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簡介

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子工業(yè)的核心，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)是硅材料工業(yè)。雖然有各種各樣新型的半導(dǎo)體材料不斷出現(xiàn)，但?90%以上的半導(dǎo)體器件和電路，尤其是超大規(guī)模集成電路（ULSI）都是制作在高純優(yōu)質(zhì)的硅單晶拋光片和外延片上的。

硅片清洗對半導(dǎo)體工業(yè)的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因為硅片表面的污染物會嚴(yán)重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展以及人們對原料要求的提高，污染物對器件的影響也愈加突出。

20世紀(jì)70年代在單通道電子倍增器基礎(chǔ)上發(fā)展起來一種多通道電子倍增器。微通道板具有結(jié)構(gòu)簡單、增益高、時間響應(yīng)快和空間成像等特點，因而得到廣泛應(yīng)。它主要應(yīng)用于各種類型的像增強(qiáng)器、夜視儀、量子位置探測器、射線放大器、場離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強(qiáng)器的核心部件。MCP的制作工藝周期長且復(fù)雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關(guān)鍵因素之一。在MCP的工藝制造過程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機(jī)物和無機(jī)物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢,產(chǎn)生發(fā)射點、黑點、暗斑等,導(dǎo)致MCP的良品率下降,使得管子質(zhì)量不穩(wěn)定以至失效,因此在MCP的制造過程中利用超聲波清洗技術(shù)去除污染物十分重要。
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清洗方式

普通的清洗方法一般不能達(dá)到孔內(nèi),而孔內(nèi)芯料的反應(yīng)生成物及其他污染物會在后序工藝中會產(chǎn)生重復(fù)污染。無論是采用有機(jī)溶劑或是清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用超聲波清洗技術(shù)卻可以實現(xiàn)無重復(fù)污染,而且能深入MCP孔內(nèi)的效果。對不同材料及孔徑的MCP應(yīng)采用頻率、聲強(qiáng)可調(diào)的超聲波進(jìn)行實驗,以確定實際工藝參數(shù)。對孔徑6~12μmMCP的清洗,當(dāng)媒液為水和乙醇時,可采用空化閾約1/3 W/cm2,聲強(qiáng)10~20 W/cm2,頻率20~120 kHz的超聲波進(jìn)行清洗。表1是同一段不同板號的MCP采用不同頻率超聲波清洗后表觀及電性能測試結(jié)果。由檢測結(jié)果可見,對1μm以下的小顆粒污染物,應(yīng)選用頻率40 kHz以上的超聲波進(jìn)行清洗。
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清洗溫度
???????在硅片的清洗過程中，清洗液的溫度是一個關(guān)鍵因素。合適的清洗溫度能夠加快油污的去除，得到最佳的清洗效果。當(dāng)硅片浸到清洗液中，硅片上的油污產(chǎn)生膨脹，油污內(nèi)部以及油污與硅片之間的作用力減弱，溫度越高，油污膨脹越大，這種作用力就越弱，表面活性劑分子越容易將油污撬離硅片表面。同時，溫度的變化可導(dǎo)致膠束本身性質(zhì)和被增溶物在膠束中溶解情況發(fā)生變化。聚氧乙烯型表面活性劑的聚氧乙烯鏈（CH2CH2O）n在水中產(chǎn)生水合作用，與水分子中的氫形成氫鍵。溫度升高，氫鍵減弱，有的甚至斷裂，水合作用減小，膠束易于形成，膠束的聚集數(shù)亦顯著地增加，對油脂等污染物的增溶量增大，這種情況有利于硅片的清洗。當(dāng)溫度升高到60℃左右時，聚氧乙烯鏈（CH2CH2O）n加速脫水并產(chǎn)生卷縮，使膠束起增溶的空間減小，增容能力下降，清洗液由透明變成乳濁液，這一溫度稱做溶液的濁點溫度。只有溫度接近表面活性劑溶液的濁點溫度時，增溶能力最強(qiáng)，因而清洗液的溫度定在60℃比較合理。
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?產(chǎn)品特點
1、一體式設(shè)計，緊湊，操作方便；
2、流動式操作，避免產(chǎn)品刮花；
3、配置過濾系統(tǒng)，有效節(jié)約水源；
4、不銹鋼網(wǎng)帶傳輸，清洗效果徹底，清洗效率超高；
5、配置油水分離及過濾系統(tǒng)，提供清洗劑的利用率；
6、操作簡單，具有手動和自動轉(zhuǎn)換功能；
7、PLC全程式控制，自動連續(xù)步進(jìn)式清洗、乾燥；
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適用范圍
???????主要用于半導(dǎo)體材料的清洗，生產(chǎn)加工過程工序間或終端的清洗。