??????? 這主要從兩個方面來考慮：一個是材料和工藝問題；另一個是電氣性能問題。
?????? P型半導(dǎo)體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的三價元素，如：硼、銦、鎵或鋁等；N型半導(dǎo)體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的五價元素，如：磷、銻、砷等。P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體，在材料成本方面應(yīng)該差別不是很大，但要把它做成一個電子產(chǎn)品，在生產(chǎn)工藝方面會存在很大的差異。
?????? 例如，用本征鍺材料制作PNP晶體管相對于用本征鍺材料制作NPN晶體管容易很多，因為銦與鍺比較容易結(jié)合（擴散）；同樣，用本征硅材料制作NPN晶體管，相對于用本征硅材料制作PNP管要容易很多。
?????? 某種半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的誕生并不是一天就可以達(dá)到盡善盡美的，需要通過大量試驗和經(jīng)驗積累。早期生產(chǎn)的場效應(yīng)管大部分是結(jié)型場效應(yīng)管，這種結(jié)型場效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)方面與PNP晶體管很相似，兩者的區(qū)別主要是基區(qū)引出電極的區(qū)別（基極與源極和漏極）。晶體管把中間的一層（N區(qū)）當(dāng)成一個電極引出稱為基極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當(dāng)發(fā)射極和集電極引出；而場效應(yīng)管則是把基區(qū)當(dāng)成一個導(dǎo)電溝道（N溝道），并在其兩端分別引出一個電極，稱為源極和漏極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當(dāng)源極和柵極引出。
?????? 絕緣柵場效應(yīng)管則是從結(jié)型場效應(yīng)管演變過來的，把結(jié)型場效應(yīng)管中的柵極（P型半導(dǎo)體）換成金屬氧化物，就可變成一個絕緣柵場效應(yīng)管，簡稱MOS管。早期的MOS管大量的都是采用N溝道結(jié)構(gòu)（N溝道結(jié)構(gòu)采用P型半導(dǎo)體做襯底），P溝道結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)管（P溝道結(jié)構(gòu)采用N型半導(dǎo)體做襯底）的誕生，相對要比N溝道結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)管晚?？赡苁怯捎诠に嚿系脑颍琍溝道場效應(yīng)管的價格一直比N溝道場效應(yīng)管的價格高很多，但電性能卻比N溝道結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管差很多，因此，P溝道場效應(yīng)管使用的人很少。
?????? P溝道場效應(yīng)管比N溝道場效應(yīng)管電性能差的原因，主要是溝道材料的電氣性能不一樣。在N溝道中參與導(dǎo)電的是電子，而在P溝道中參與導(dǎo)電的是空穴，兩者在單位電場強度下的遷移率相差非常大。電子的遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的遷移率，即N溝道的導(dǎo)電性能要比P溝道的導(dǎo)電性能好。因此N溝道場效應(yīng)管的導(dǎo)通速度或工作頻率要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于P溝道場效應(yīng)管。
另外，用于制作場效應(yīng)管柵極的金屬氧化物，其與N型半導(dǎo)體的接點電位差，和與P型半導(dǎo)體接點電位差，不但數(shù)值不一樣，而且極性也不一樣。作為場效應(yīng)管柵極的金屬氧化物，與P型半導(dǎo)體的接點電位差要比N型半導(dǎo)體的接點電位差低（絕對值）。
?????? 因此，P溝道場效應(yīng)管和N溝道場效應(yīng)管的工作電壓極性也不一樣，兩者正好相反，并且輸入、輸出特性也不完全一樣。P溝道場效應(yīng)管的輸入、輸出特性與PNP晶體管的輸入、輸出特性相似；而N溝道場效應(yīng)管的輸入、輸出特性與NPN晶體管的輸入、輸出特性相似。但場效應(yīng)管屬于電壓控制特性，而晶體管則屬于電流控制特性，兩者還是存在本質(zhì)上的區(qū)別。
?????? 所謂節(jié)點電位差，就是兩種不同性質(zhì)的物體互相接觸在一起的時候，由于組成物體的物質(zhì)的外層電子的能級不同，在兩物體接觸界面處所產(chǎn)生的電位差（一個帶正電，另一個帶負(fù)電）。
?????? MOS管的誕生相對來說還是比較早的，由于早期生產(chǎn)的MOS管相對于晶體管來說，可靠性很差，所以MOS管遲遲沒有被大批量使用。直到微型計算機及大量數(shù)字電路產(chǎn)品出現(xiàn)以后，特別是CMOS大規(guī)模集成電路技術(shù)誕生之后，?MOS管才被廣泛應(yīng)用。
?????? CMOS（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor,?互補金屬氧化物半導(dǎo)體）是一種同時采用兩種工藝（垂直外延和橫向外延）制造MOS管的大規(guī)模集成電路新技術(shù)（請參看問答1），鑒于N溝道場效應(yīng)管在生產(chǎn)工藝和電氣性能方面均比P溝道場效應(yīng)管優(yōu)越的原因，CMOS電路采用P襯底是理所當(dāng)然的，因為在采用CMOS產(chǎn)生工藝的集成電路中，N溝道場效應(yīng)管的數(shù)量要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于P溝道場效應(yīng)管的數(shù)量。