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一、技術(shù)參數(shù)要求?
??? 1、單晶硅棒物理參數(shù)要求：??
備注：
????? 1、質(zhì)量分類，必須各項指標(biāo)全部達(dá)到A等時，方可標(biāo)注A等。按照國家和國際標(biāo)準(zhǔn)A等為合格等級；B\C\D等級為公司內(nèi)部讓步接受等級（內(nèi)部采購和自產(chǎn)可做為合格判定），低于2μs做為不合格判定。
????? 2、自產(chǎn)、自購單晶硅棒，必須按照壽命等級分類，生產(chǎn)加工工藝單明確注明等級。例如：HRA\HRB….
????? 3、單晶硅棒的電阻率，頭部電阻率ρ，必須大于等于尾部電阻率ρ；（ρ頭≥ρ尾）
????? 4、檢驗不合格的按照《檢驗管理流程》執(zhí)行。
????? 5、針對外圓滾磨的單晶硅棒，必須進(jìn)行X射線定向儀檢測，判定晶向，確定加工面〔(100）面〕
1.1?電阻率測量判定
??? A.留有頭尾的單晶圓棒電阻率測量，測試表面電阻率值，測量前做好檢測儀器校準(zhǔn)；對硅棒表面用測量時必須用0＃金剛砂紙打磨表面，見到光亮層，用高純度酒精擦拭清潔方可測量電阻率。
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????????????????????????????????????????????????? 單晶棒示意圖
??? B．截去頭尾或已斷后的硅棒、硅片電阻率檢測
?????? 測量點取中心點測量電阻率（測試時探針旋轉(zhuǎn)180°測試兩次取最小值），但中心電阻率超標(biāo)時，測試邊緣約6mm位置的電阻率，若邊緣電阻率符合測試范圍要求以此點電阻率值為準(zhǔn)；?
?????? 判定標(biāo)準(zhǔn)：0.5Ω.cm＜ρ≤3Ω.cm和3Ω.cm＜ρ≤6Ω.cm?
?????? 示意圖?
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??? 1.2?原始硅單晶的直徑要求??
????備注：局部尺寸不符合要求的要在檢驗報告中備注欄注明直徑和長度，并現(xiàn)在硅棒上明確標(biāo)識出位置。
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二、太陽能級單晶硅棒檢驗標(biāo)準(zhǔn)
??? 1、單晶硅圓棒檢驗判定標(biāo)準(zhǔn)
備注： 1、對于超出合格標(biāo)準(zhǔn)的，來料檢驗依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)判定不合格。
????????? ? 2、局部尺寸不符合要求的要在檢驗報告中備注欄注明直徑和長度，并現(xiàn)在硅棒上明確標(biāo)識出位置。
?????????? ?3、檢驗不合格的按照《檢驗管理流程》執(zhí)行。
??? 2、單晶硅棒硅棒截斷端面偏差度要求(見示意圖)
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?????????????????????????????????????????端面偏差度：????︱L1-L2︱≤2mm?
???????????????????????????????????????????????????端面垂直度： ???90±2°
??? 3、單晶硅方棒檢驗參數(shù)要求及檢驗標(biāo)準(zhǔn)
????? 規(guī)格：125*125；103*103；156*156?；2）
????? 技術(shù)參數(shù)要求：（A、B、C、D；見：圖D）
3.1??單晶硅方棒檢驗判定標(biāo)準(zhǔn)?
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備注：
?????? 1、對于超出合格標(biāo)準(zhǔn)的，來料檢驗依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)判定不合格；
?????? 2、局部尺寸不符合要求的要在檢驗報告中備注欄注明直徑和長度，并現(xiàn)在硅棒上明確標(biāo)識出位置。
?????? 3、檢驗不合格的按照《檢驗管理流程》執(zhí)行。
3.2?單（多）晶硅棒表面腐蝕質(zhì)量要求
??????單多晶硅棒腐蝕后，表面目測六面均呈現(xiàn)出光亮面即為合格。在腐蝕操作時，硅棒表面光亮面一出現(xiàn)，停止腐蝕。
四、多晶硅棒檢測要求和參數(shù)
??? 1、多晶硅錠電阻率測試
???? 1．1?電阻率標(biāo)準(zhǔn)
??0.5Ω.cm＜ρ≤3Ω.cm； 3Ω.cm＜ρ≤6Ω.cm
????? 1．2?測試點取樣
?????在多晶硅錠尾部面采取中心點測量數(shù)值確定其材料的電阻率范圍，進(jìn)行記錄。取樣點見示意圖
?????儀器在測量前要進(jìn)行校準(zhǔn)；取樣點位置要用0＃金剛砂紙打磨表面，見到光亮層，并用高純度酒精擦拭清潔，方可測量電阻率，測試時探針旋轉(zhuǎn)180°測試兩次取最小值。
??? 2、少子壽命測試
????2．1?多晶硅錠少子壽命判定標(biāo)準(zhǔn)和氧碳含量數(shù)值
?????? 少子壽命：τ≥2μs?；?間隙氧含量（Oi）：＜8*1017?atoms/cm3；代位碳含量（C）：＜1*1018?atoms/cm3；
???? 2．2?檢測操作要求
?????? 多晶大方錠必須經(jīng)過破方成6寸或8寸小多晶方棒，經(jīng)過表面處理（腐蝕或機(jī)械拋光）去處損傷層，利用WT-2000壽命測試儀，按照《操作規(guī)程》要求進(jìn)行測試，測試完成后按照壽命標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行劃出晶體壽命線，并記錄參數(shù)和長度尺寸。（注意：要輕那輕放，防止損傷）
??? ?3、多晶硅棒尺寸要求（見示意圖D）
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五、單晶硅棒檢驗操作要求???
??????? a、拉晶完成后，硅棒存放于待檢倉庫，檢驗員準(zhǔn)備檢測器具、記錄表和記號筆等工具。
??????? b、首先，確認(rèn)帶有頭尾單晶硅棒的電阻率范圍，根據(jù)電阻率標(biāo)準(zhǔn)和實際測量點進(jìn)行劃線，同時確定整根硅棒的型號。
??????? c、截斷按照劃線要求進(jìn)行截斷，頭部截去帽蓋（確保直徑達(dá)到153毫米），分別截取頭、尾樣片，并按照頭、尾順序進(jìn)行編號刻標(biāo)記。（截取頭、尾2毫米左右厚度的測試樣片）
??????? d、測量硅棒極性型號，為P型合格；N型不合格。
??????? e、測量硅棒表面電阻率，以尾部起向上每間隔200毫米，測量硅棒電阻率（測量時必須用0＃金剛砂紙打磨表面，見到光亮層，方可測量電阻率），并按照順序做好電阻率測量記錄；但是對于電阻率處于合格范圍極限值時，按照10mm距離前后移動進(jìn)行測量，找到極限點進(jìn)行劃線確認(rèn)極限點位置。
??????? f、根據(jù)測量電阻率范圍和分布長度，按照0.5Ω.cm＜ρ≤3Ω.cm和3Ω.cm＜ρ≤6Ω.cm?范圍用記號筆進(jìn)行劃線，同時做好記錄表位置記錄。生產(chǎn)截斷根據(jù)劃線位置進(jìn)行截斷。（若在同一范圍長度超過300毫米的，由生產(chǎn)截斷人員按照工藝規(guī)定進(jìn)行截斷，截斷后通知檢驗人員進(jìn)行編號、標(biāo)識、記錄）
??????? g、對樣片進(jìn)行腐蝕處理，測量少子壽命和氧碳含量，并根據(jù)晶棒號做好測量數(shù)據(jù)記錄。
??????? h、參照少子壽命范圍分布等級，進(jìn)行記錄和實物標(biāo)識。同時根據(jù)尾部樣片測量的少子壽命數(shù)據(jù)值，按照等級要求進(jìn)行標(biāo)識。明確尾部料的等級，倉庫和生產(chǎn)人員根據(jù)等級要求分類保管。
??????? i、生產(chǎn)過程、檢驗過程中的邊皮料和碎裂硅片，必須按照少子壽命范圍等級進(jìn)行標(biāo)記和分類。
??????????? ?（外協(xié)料除外，若外協(xié)邊皮料留用，必須進(jìn)行少子壽命測量分類）
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六、檢驗檢測環(huán)境、設(shè)備、方法
??? 1、檢測場所環(huán)境要求
??????? i.?檢驗場所，非檢驗相關(guān)人員不得入內(nèi)。與檢驗相關(guān)人員入內(nèi)，必須遵照檢驗場所管理規(guī)定執(zhí)行。
??????? ii.?檢驗場所必須保持干凈、整潔，滿足檢測環(huán)境要求的潔凈。
??????? iii.?檢測環(huán)境溫度23±2℃；相對濕度＜55℃；有良好的照明。
??????? iv.?非檢驗或必要操作相關(guān)人員，入內(nèi)必須征得當(dāng)班人員同意。
??? 2、檢測設(shè)備
??????? 長度類：游標(biāo)卡尺、千分尺、鋼直尺、鋼卷尺
????????關(guān)鍵特性測量類：SDY-4四探針測試儀、SemilabWT-1000或1000B、SemilabWT-2000、光學(xué)顯微鏡、DLY-2??P-N導(dǎo)電類型鑒別儀、WQF-410紅外光譜儀、YX2HB晶向測試儀、測厚儀???RT-100?電阻率測試儀
?????? ?設(shè)備操作：按照相關(guān)的檢測設(shè)備操作規(guī)程進(jìn)行。
??? 3、測試方法
?????? ?參照相關(guān)國家或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。
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七、包裝、儲存和運(yùn)輸要求
??? 1、包裝要求
??????? 需要提供明細(xì)裝箱單、產(chǎn)品合格證，包裝上必須注明單晶編號、電阻率、規(guī)格型號、合格品等級。
???? 2、儲存要求
??????? 產(chǎn)品儲存在清潔、干燥的環(huán)境中，溫度10-40℃；濕度≤60℃；避免酸堿腐蝕性氣氛，避免油污、灰塵顆粒氣氛。
???? 3、運(yùn)輸要求?
??????? 產(chǎn)品運(yùn)輸過程中輕拿輕放、嚴(yán)禁拋擲，且采取防震、防潮措施。
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