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????? 濕法蝕刻仍被廣泛地應用于當今集成電路制造領域,因其工藝可精確控制薄膜的去除量以及工藝過程中對原材料的損耗較低,在今后很長一段時間內其地位將無法被取代。

????? 隨著工藝尺寸的不斷縮小,器件可靠性變得越來越重要,但濕法蝕刻均勻性卻逐漸成為提高器件可靠性的一個瓶頸。集成電路工藝技術正進一步向大尺寸晶圓和小尺寸單個器件的方向發(fā)展,如何持續(xù)保持和提高濕法蝕刻的均勻性是集成電路工藝技術研究中的一個熱點。

????? 濕法刻蝕的設備目前主要有槽式刻蝕機和單片刻蝕機兩種,槽式刻蝕機采用浸沒式處理,刻蝕反應時硅片完全浸沒在藥液槽中,表面較均勻,所以其刻蝕均勻性也較好。

????? 單片刻蝕機采取噴灑式工藝,由于硅片表面的藥液層厚度較難控制,所以其刻蝕均勻性相對較差。研究發(fā)現(xiàn),低刻蝕率化學藥液的均勻性比高刻蝕率藥液好,原因是刻蝕率低的藥液反應劇烈程度小,所以容易得到較均勻的表面.在影響濕法刻蝕均勻性的關鍵因素方面,對于槽式刻蝕機,硅片進出藥液槽的時間以及硅片從藥液槽到純水槽的傳送速度很關鍵；對于單片式刻蝕機,硅片的自轉轉速和噴灑頭的運動速度對刻蝕率均勻性影響很大。去離子水清洗方面,加入噴淋和快速排水功能有助于防止二次蝕刻,從而達到提高刻蝕均勻性的目的。

????? 另外,過量的1號標準液清洗起不到增強清洗的作用,反而會使硅片表面的粗糙度變差,從一個側面反映了反應時間過長對刻蝕均勻性的影響。濕法刻蝕均勻性對器件性能影響方面,在65納米邏輯產品上試驗和分析了柵氧化層濕法蝕刻工藝均勻性對WAT(wafer acceptance test), CP(chip prober), RE(Reliability)的影響,刻蝕均勻性和WAT直接相關,而對CP和RE的影響不大,這可能是試驗用產品的關鍵尺寸不夠小,濕法刻蝕均勻性重要性沒有得到充分的體現(xiàn)。

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