無(wú)源濾波器單極型以RC實(shí)現(xiàn)的低通濾波器最簡(jiǎn)單的線性濾波器的電子實(shí)現(xiàn)是電阻、電感和電容的組合。這些濾波器有RC、RL、LC和RLC等多種形式。所有這些類型的濾波器總稱為無(wú)源濾波器，這是因?yàn)樗鼈兌疾恍柰獠侩娫垂╇?。電感阻止高頻信號(hào)通過(guò)而允許低頻信號(hào)通過(guò)，電容的特性卻相反。信號(hào)能夠通過(guò)電感的濾波器、或者通過(guò)電容連接到地的濾波器對(duì)于低頻信號(hào)的衰減要比高頻信號(hào)小，稱為低通濾波器。如果信號(hào)通過(guò)電容、或者通過(guò)電感連接到地，那么濾波器對(duì)于高頻信號(hào)的衰減要比低頻信號(hào)小，稱為高通濾波器。電阻自身沒有頻率選擇的特性，但是加入到電感和電容一起決定電路的時(shí)間常數(shù)，因此也決定了相應(yīng)的頻率。在大概超過(guò)100 MHz這樣非常高的頻率，有時(shí)電感由一個(gè)單環(huán)或者金屬片組成，電容由相鄰的金屬片組成，它們稱為stubs。多極型二階濾波器用Q因數(shù)來(lái)衡量。如果一個(gè)濾波器通過(guò)或者阻止的頻率帶寬與中心頻率相比非常狹窄那么就說(shuō)這個(gè)濾波器有很高的Q因數(shù)。Q定義為中心頻率/3dB帶寬。
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
29
瀏覽次數(shù)：211
電子濾波器電子濾波器（英語(yǔ)：electronic filters）可執(zhí)行信號(hào)處理功能的電子線路組件或設(shè)備，它專門用于去除信號(hào)中不想要的成分或者增強(qiáng)所需成分。電子濾波器有音頻濾波器（wave filter）與噪聲濾波器（noise filter）等應(yīng)用設(shè)備，可以是：● 無(wú)源的或者有源的● 模擬的或者數(shù)字的，(大陸稱為，模擬的或者數(shù)字的)● 離散時(shí)間（采樣）的或者連續(xù)時(shí)間的● 線性的或者非線性的● 無(wú)限脈沖響應(yīng)（IIR）或者有限脈沖響應(yīng)（FIR）不管它們的設(shè)計(jì)有什么不同，最常見的電子濾波器類型是線性濾波器。參見線性濾波器方面的文章中關(guān)于它們的設(shè)計(jì)和分析的詳細(xì)內(nèi)容。
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
29
瀏覽次數(shù)：173
薄膜光學(xué)薄膜光學(xué)是光學(xué)的一個(gè)分支，處理各種很薄的光學(xué)材料（薄膜）。和薄膜光學(xué)有關(guān)的材料，其厚度需要在可見光波長(zhǎng)的等級(jí)內(nèi)（約500 nm）。此厚度范圍的薄膜因?yàn)楣獾母缮妫约氨∧?、空間及物質(zhì)間的折射率差異，可以有顯著的折射特性，這些效應(yīng)稱為薄膜干涉，會(huì)影響光學(xué)材料折射及傳輸光的特性，像在肥皂泡及水上的油漬就會(huì)看到這類的情形。更廣義具有類似光學(xué)性質(zhì)，但不是平面層狀結(jié)構(gòu)的周期性結(jié)構(gòu)稱為光子晶體。在制造上，薄膜層可以由在基質(zhì)（一般是玻璃）上沉積一層至多層薄膜而產(chǎn)生，一般會(huì)用像蒸發(fā)或?yàn)R射淀積等物理氣相沉積方式，或是化學(xué)氣相沉積法。這類的薄膜常用來(lái)作光學(xué)鍍膜，像是家用或車用的低輻射玻璃、玻璃上的增透膜、汽車車頭燈的反光擋板，以及高精度的濾光器及鏡子。這類鍍膜的另一種應(yīng)用是空間濾波器。
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
26
瀏覽次數(shù)：273
薄膜薄膜材料是指厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機(jī)物層。電子半導(dǎo)體功能器件和光學(xué)鍍膜是薄膜技術(shù)的主要應(yīng)用。一個(gè)很為人們熟知的表面技術(shù)的應(yīng)用是家用的鏡子：為了形成反射表面在鏡子的背面常常鍍上一層金屬，鍍銀操作廣泛應(yīng)用于鏡子的制作，而低于一個(gè)納米的極薄的鍍層常常用來(lái)制作雙面鏡。當(dāng)光學(xué)用薄膜材料（例如減反射膜消反射膜等）由數(shù)個(gè)不同厚度不同反射率的薄層復(fù)合而成時(shí)，他們的光學(xué)性能可以得到加強(qiáng)。相似結(jié)構(gòu)的由不同金屬薄層組成的周期性排列的薄膜會(huì)形成所謂的超晶格結(jié)果。在超晶格結(jié)構(gòu)中，電子的運(yùn)動(dòng)被限制在二維空間中而不能在三維空間中運(yùn)動(dòng)于是產(chǎn)生了量子阱效應(yīng)。薄膜技術(shù)有很廣泛的應(yīng)用。長(zhǎng)久以來(lái)的研究已經(jīng)將鐵磁薄膜用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備，醫(yī)藥品，制造薄膜電池，染料敏化太陽(yáng)能電池等。陶瓷薄膜也有很廣泛的應(yīng)用。由于陶瓷材料相對(duì)的高硬度使這類薄膜可以用于保護(hù)襯底免受腐蝕氧化以及磨損的危害。在刀具上陶瓷薄膜有著尤其顯著的功用，使用陶瓷薄膜的刀具的使用壽命可以有效提升幾個(gè)數(shù)量級(jí)?，F(xiàn)階段對(duì)于一種被稱為多組分非晶重金屬陽(yáng)離子氧化物的新型的無(wú)機(jī)氧化物材料的研究正在進(jìn)行，這種材料有望用于制造穩(wěn)定，環(huán)保，低成本的透明晶體管。
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
26
瀏覽次數(shù)：215
硅是用來(lái)制造芯片的最重要半導(dǎo)體材料。對(duì)于可用于制造半導(dǎo)體器件的硅而言。使用一種特殊純度級(jí)以滿足嚴(yán)格的材料和物理要求。單晶硅的生長(zhǎng)柴可拉斯基法（簡(jiǎn)稱柴氏法 英語(yǔ)：Czochralski process），又稱直拉法，是一種用來(lái)獲取半導(dǎo)體（如硅、鍺和砷化鎵等）、金屬（如鈀、鉑、銀、金等）、鹽、合成寶石單晶材料的晶體生長(zhǎng)方法。這個(gè)方法得名于波蘭科學(xué)家揚(yáng)·柴可拉斯基，他在1916年研究金屬的結(jié)晶速率時(shí)，發(fā)明了這種方法。后來(lái)，演變?yōu)殇撹F工廠的標(biāo)準(zhǔn)制程之一。直拉法最重要的應(yīng)用是晶錠、晶棒、單晶硅的生長(zhǎng)。其他的半導(dǎo)體，例如砷化鎵，也可以利用直拉法進(jìn)行生長(zhǎng)，也有一些其他方法（如布里奇曼-史托巴格法）可以獲得更低的晶體缺陷密度。
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
25
瀏覽次數(shù)：421
化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積（英語(yǔ)：chemical vapor deposition，簡(jiǎn)稱CVD）是一種用來(lái)產(chǎn)生純度高、性能好的固態(tài)材料的化學(xué)技術(shù)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)使用此技術(shù)來(lái)成長(zhǎng)薄膜。典型的CVD工藝是將晶圓（基底）暴露在一種或多種不同的前趨物下，在基底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或/及化學(xué)分解來(lái)產(chǎn)生欲沉積的薄膜。反應(yīng)過(guò)程中通常也會(huì)伴隨地產(chǎn)生不同的副產(chǎn)品，但大多會(huì)隨著氣流被帶走，而不會(huì)留在反應(yīng)腔（reaction chamber）中。微制程大都使用CVD技術(shù)來(lái)沉積不同形式的材料，包括單晶、多晶、非晶及外延材料。這些材料有硅、碳纖維、碳納米纖維、納米線、納米碳管、SiO2、硅鍺、鎢、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各種不同的high-k介質(zhì)等材料。CVD制程也常用來(lái)生成合成鉆石。
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
25
瀏覽次數(shù)：199
物理氣相沉積物理氣相沉積（英語(yǔ)：Physical vapor deposition，PVD）是一種工業(yè)制造上的工藝，是主要利用物理過(guò)程來(lái)沉積薄膜的技術(shù)，即真空鍍膜(蒸鍍)，多用在切削工具與各種模具的表面處理，以及半導(dǎo)體裝置的制作工藝上。和化學(xué)氣相沉積相比，物理氣相沉積適用范圍廣泛，幾乎所有材料的薄膜都可以用物理氣相沉積來(lái)制備，但是薄膜厚度的均勻性是物理氣相沉積中的一個(gè)問(wèn)題。主要的物理氣相沉積的方法有：● 熱蒸鍍● 濺鍍● 脈沖激光沉積
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
25
瀏覽次數(shù)：186
刻蝕刻蝕（英語(yǔ)：etching）是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝?？涛g對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。如果刻蝕過(guò)程中出現(xiàn)失誤，將造成難以恢復(fù)的硅片報(bào)廢，因此必須進(jìn)行嚴(yán)格的工藝流程控制。半導(dǎo)體器件的每一層都會(huì)經(jīng)歷多個(gè)刻蝕步驟。[1] 刻蝕一般分為電子束刻蝕和光刻，光刻對(duì)材料的平整度要求很高，因此，需要很高的清潔度。 但是，對(duì)于電子束刻蝕，由于電子的波長(zhǎng)極短，因此分辨率與光刻相比要好的多。 因?yàn)椴恍枰谀０?，因此?duì)平整度的要求不高，但是電子束刻蝕很慢，而且設(shè)備昂貴。對(duì)于大多數(shù)刻蝕步驟，晶圓上層的部分位置都會(huì)通過(guò)“罩”予以保護(hù)，這種罩不能被刻蝕，這樣就能對(duì)層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì)，氮化硅就可以用來(lái)制造這樣的“罩”。
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
24
瀏覽次數(shù)：167
半導(dǎo)體激光半導(dǎo)體激光（Semiconductor laser）在1962年被成功激發(fā)，在1970年實(shí)現(xiàn)室溫下連續(xù)發(fā)射。后來(lái)經(jīng)過(guò)改良，開發(fā)出雙異質(zhì)接合型激光及條紋型構(gòu)造的激光二極管（Laser diode）等，廣泛使用于光纖通信、光盤、激光打印機(jī)、激光掃描器、激光指示器（激光筆），是目前生產(chǎn)量最大的激光器。在基本構(gòu)造上，它屬于半導(dǎo)體的P-N接面，但激光二極管是以金屬包層從兩邊夾住發(fā)光層（活性層），是“雙異質(zhì)接合構(gòu)造”。而且在激光二極管中，將界面作為發(fā)射鏡（共振腔）使用。在使用材料方面，有鎵(Ga)、砷(As)、銦(In)、磷(P)等。此外在多重量子井型中，也使用Ga·Al·As等。由于具有條狀結(jié)構(gòu)，即使是微小電流也會(huì)增加活性區(qū)域的居量反轉(zhuǎn)密度，優(yōu)點(diǎn)是激發(fā)容易呈現(xiàn)單一形式，而且，其壽命可達(dá)10~100萬(wàn)小時(shí)。激光二極體的優(yōu)點(diǎn)是效率高、體積小、重量輕且價(jià)格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也達(dá)到數(shù)%~25%，總而言之能量效率高是其最大特色。另外，它的連續(xù)輸出波長(zhǎng)涵蓋了紅外到可見光范圍，而光脈沖輸出達(dá)50W（帶寬100ns）等級(jí)的產(chǎn)品也已商業(yè)化，作為激光雷達(dá)或激發(fā)光源可說(shuō)是非常容易使用的激光的例子。
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
24
瀏覽次數(shù)：169
能帶結(jié)構(gòu)在固體物理學(xué)中，固體的能帶結(jié)構(gòu) （又稱電子能帶結(jié)構(gòu)）描述了禁止或允許電子所帶有的能量，這是周期性晶格中的量子動(dòng)力學(xué)電子波衍射引起的。材料的能帶結(jié)構(gòu)決定了多種特性，特別是它的電子學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。為何有能帶單個(gè)自由原子的電子占據(jù)了原子軌道，形成一個(gè)分立的能級(jí)結(jié)構(gòu)。如果幾個(gè)原子集合成分子，他們的原子軌道發(fā)生類似于耦合振蕩的分離。這會(huì)產(chǎn)生與原子數(shù)量成比例的分子軌道。當(dāng)大量（數(shù)量級(jí)為{\displaystyle 10^{20}}或更多）的原子集合成固體時(shí)，軌道數(shù)量急劇增多，軌道相互間的能量的差別變的非常小。但是，無(wú)論多少原子聚集在一起，軌道的能量都不是連續(xù)的。這些能級(jí)如此之多甚至無(wú)法區(qū)分。首先，固體中能級(jí)的分離與電子和聲原子振動(dòng)持續(xù)的交換能相比擬。其次，由于相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間間隔，它接近于由于不確定性原理引起的能量的不確定度。物理學(xué)中流行的方法是從不帶電的電子和原子核出發(fā)，因?yàn)樗鼈兪亲杂傻钠矫娌ǎ梢跃哂腥我饽芰?，并在帶電后衰減。這導(dǎo)致了布拉格反射和帶結(jié)構(gòu)。
發(fā)布時(shí)間:
2019
-
01
-
23
瀏覽次數(shù)：242