化學(xué)氣相沉積裝置有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置達(dá)成上述目的，其特征在于包括：腔室，提供對基板進(jìn)行處理的處理空間；氣體供給部，向腔室的內(nèi)部供給處理氣體；以及基板支撐部，配置于腔室的內(nèi)部，具備安裝基板的收容槽，對基板進(jìn)行加熱；且在收容槽的內(nèi)側(cè)形成有安裝基板的安裝部，在安裝部的邊緣與收容槽之間形成有中間槽。在基板安裝到安裝部的情況下，中間槽的寬度可被所述基板遮擋60％至95％。中間槽可形成為內(nèi)部的邊角具有棱角的形態(tài)。在此情況下，中間槽的寬度可為1mm至3mm。從安裝部的上表面測定的中間槽的深度可相對于從基板支撐部的上表面測定的中間槽的深度而為40％至80％。進(jìn)而，基板可沿圓形的圓周面而在至少一部分具備平面，收容槽具備從邊緣向內(nèi)側(cè)突出形成而防止基板旋轉(zhuǎn)的突出部。此時(shí)，基板的平面可與突出部接觸。在此情況下，基板的圓周面與平面接觸的角隅區(qū)域不與突出部接觸。突出部相對于安裝部的中心的圓周角度可相對小于基板的平面相對于安裝部的中心的圓周角度。進(jìn)而，能夠以可裝卸的方式配置突出部?；逯尾靠砂ò惭b基板并加熱的加熱器區(qū)塊，從加熱器區(qū)塊的底部向上部形成插入槽，在插入槽的內(nèi)側(cè)具備測定加熱器區(qū)塊的溫度的熱電偶。從加熱器區(qū)塊的底部測定的插入槽的高度可相對于加熱器區(qū)塊的高度而為60％至90％。發(fā)明效果根據(jù)具有上述構(gòu)成的，在基板支撐部的收容槽安裝基板的安裝部與收容槽的內(nèi)表面之間形成中間槽，由此引導(dǎo)如顆粒等的異物形成到...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
08
瀏覽次數(shù)：197
![MOCVD工藝]( "MOCVD工藝")
MOCVD工藝１反應(yīng)室流體力學(xué)模擬系統(tǒng)：反應(yīng)室流體力學(xué)模擬子系統(tǒng)包括３個部分：（1）有限差分網(wǎng)格的自動剖分；（2）氣流傳輸方程的求解；（3）模擬結(jié)果的可視化處理，各部分的關(guān)系及功能如圖１所示，剖分模塊可對任何結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室按用戶要求進(jìn)行自動有限差分網(wǎng)格剖分，并產(chǎn)生剖分文件供模擬模塊使用，模擬模塊對傳輸方程在現(xiàn)有網(wǎng)格上進(jìn)行快速求解，并存儲數(shù)據(jù)文件供顯示模塊使用，顯示模塊可以＝維填充或等值線方式顯示速度分布、壓力分布和溫度分布，并可打印輸出，亦可保存成圖像文件。 生長高質(zhì)量半導(dǎo)體薄膜的前提條件是反應(yīng)室內(nèi)的氣流應(yīng)為層流，最佳反應(yīng)室結(jié)構(gòu)是指能夠產(chǎn)生層流分布的結(jié)構(gòu)，最佳結(jié)構(gòu)是相對的，與生長條件密切相關(guān)這就要求設(shè)計(jì)人員必須根據(jù)生長的材料系統(tǒng)及生長條件來設(shè)計(jì)反應(yīng)室結(jié)構(gòu)，２化學(xué)反應(yīng)熱力學(xué)模擬系統(tǒng)：對于MOCVD系統(tǒng)，在一定條件下，當(dāng)反應(yīng)物的消耗速率及生成物的產(chǎn)生速率近似相等時(shí)，就可以認(rèn)為達(dá)到一種動平衡，這時(shí)熱力學(xué)分析的相平衡理論就可以運(yùn)用于系統(tǒng)，通常進(jìn)行熱力學(xué)分析有兩種方法，一種是求解質(zhì)量作用方程組，可得到系統(tǒng)中各物種于平衡態(tài)時(shí)的濃度；另一種是以系統(tǒng)相平衡時(shí)自由能最小為判據(jù)，同樣可得到反應(yīng)后組分，后者更適于處理復(fù)雜的多元復(fù)相系統(tǒng)，在開發(fā)熱力學(xué)模擬系統(tǒng)時(shí)我們采用了后者，將自由能最小原理推廣到多元復(fù)相系統(tǒng)，并將各種工藝參數(shù)對系統(tǒng)引起的物種分配變化，集成于一個模擬系統(tǒng)處理，采用目前比較先進(jìn)的VC...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
08
瀏覽次數(shù)：313
濾波器結(jié)構(gòu):所設(shè)計(jì)的并聯(lián)電感耦合波導(dǎo)濾波器采用了三諧振器電感膜片耦合的結(jié)構(gòu)如圖1所示。圖1濾波器結(jié)構(gòu)示意圖濾波器是四面封閉、兩端開口的腔體結(jié)構(gòu)腔體內(nèi)部全部金屬化立體結(jié)構(gòu)如圖2所示。濾波器的設(shè)計(jì)尺寸為240mm×50mm×25mm頻率140GHz帶寬10GHz。圖2濾波器立體結(jié)構(gòu)示意圖濾波器工藝路線:研制波導(dǎo)濾波器的工藝步驟如下(圖3)備片硅片厚800m。刻蝕掩模制備由于刻蝕深度達(dá)800m,刻蝕掩模需要使用厚度大于3m的氧化層或0.5m厚的鋁或鉻層。光刻:光刻腐蝕氧化層形成深槽刻蝕掩模?？涛g:ICP刻蝕硅刻蝕深度800m將硅片刻蝕穿通。鍵合硅片去除刻蝕掩模后采用陽極鍵合技術(shù)封閉濾波器的底面。金屬化濺射Au使硅結(jié)構(gòu)表面金屬化電鍍加厚金屬厚度3~8m。鍵合采用Au-Si共晶鍵合技術(shù)封閉濾波器的頂面,完成濾波器的芯片加工。劃片通過劃片工藝獲得設(shè)計(jì)外形尺寸的THz濾波器樣品。關(guān)鍵工藝技術(shù):THz濾波器要求刻蝕深度深、四面封閉、內(nèi)部金屬化等。相較一般的體微加工工藝有其特殊性和難度主要的關(guān)鍵工藝技術(shù)有硅深槽刻蝕、腔體內(nèi)部金屬化和三層鍵合工藝。硅深槽刻蝕技術(shù):采用等離子刻蝕機(jī)研究硅深槽刻蝕的兩個關(guān)鍵問題掩模的選擇和橫向腐蝕的控制。試驗(yàn)表明厚度大于3m的熱氧化硅或0.5m的金屬鋁或鉻膜可以滿足刻蝕硅通孔的要求同時(shí)深槽刻蝕需要提高刻蝕速率以滿足刻蝕800m硅通孔的要求。最終的工藝加...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
08
瀏覽次數(shù)：161
LED濕法清洗設(shè)備主要由供液機(jī)柜、供液源、輸送單元、輸送管路、電氣控制、排風(fēng)裝置、漏液檢測等部分組成。供液機(jī)柜:供液機(jī)柜通常由耐腐蝕的PP（聚丙烯）材料焊接而成，機(jī)柜上設(shè)有進(jìn)風(fēng)口及排風(fēng)裝置。排風(fēng)裝置除將酸、堿腐蝕氣體及時(shí)排出供液機(jī)柜外，還可以降低機(jī)柜內(nèi)揮發(fā)出的有機(jī)溶劑濃度，避免發(fā)生燃燒和爆炸。同時(shí)排風(fēng)口裝有風(fēng)壓檢測傳感器，當(dāng)廠務(wù)端排風(fēng)出現(xiàn)故障時(shí)，發(fā)出警報(bào)，以利維護(hù)人員及時(shí)處理。在供液機(jī)柜內(nèi)一般設(shè)計(jì)有滾輪機(jī)構(gòu)，方便更換供液桶。機(jī)柜內(nèi)設(shè)有水槍，用于腐蝕液的沖洗。腐蝕區(qū)與供液泵、控制系統(tǒng)之間物理隔離，以避免電子元器件及金屬零件等被腐蝕。供液源:LED工藝線上供液源采用容積為20L的供液桶，供液桶為標(biāo)準(zhǔn)尺寸的耐腐蝕塑料桶，通常一種化學(xué)液配備兩只供液桶，兩只供液桶一用一備，交替進(jìn)行工作，實(shí)現(xiàn)不間斷供液。輸送系統(tǒng):化學(xué)液輸送方式分泵浦輸送和惰性氣體輸送。泵浦輸送是利用泵的壓力做動力來輸送化學(xué)液，其特點(diǎn)是：化學(xué)液可進(jìn)行過濾處理，輸送產(chǎn)生脈動較大，適用于長距離輸送。惰性氣體輸送是利用氣體的壓力做動力來輸送化學(xué)液。惰性氣體一般采用高純氮?dú)?。該方式的特點(diǎn)是：不易和化學(xué)液反應(yīng)，輸出流量小，需要壓力操作容器，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，易產(chǎn)生故障。CDS較多采用泵浦輸送方式。輸送系統(tǒng)包括供液泵、過濾器、流量計(jì)等。由于氣動隔膜泵或氣動風(fēng)囊泵采用壓縮空氣為動力源，它的剪切力低、流量大、楊程高、工作中不產(chǎn)生火花、不產(chǎn)生熱量。因此...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
08
瀏覽次數(shù)：268
GaN芯片制造流程1. GaNITO芯片前道流程：1.1GaN芯片前道流程演示圖：2. GaNITO芯片后道流程：2.1. GaN芯片后道流程演示圖：免責(zé)聲明：文章來源于網(wǎng)絡(luò)，不代表本公司觀點(diǎn)，如有侵權(quán)請聯(lián)系作者刪除。
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
08
瀏覽次數(shù)：240
HB法制備GaAs的工藝流程：①裝料：As量要比化學(xué)計(jì)算的量要稍多一些②加熱除去氧化膜Ga：高真空下，700℃，2hAs：高真空下，280℃，2h③用液氮或干冰將Ga凝固，撞破石英隔窗，將反應(yīng)管放入爐中④升溫：低溫爐617℃，高溫爐1250℃⑤移動熔區(qū)合成好熔體⑥生長單晶，⑦降溫：先將高溫區(qū)降至610℃，再同時(shí)降溫至室溫HB法優(yōu)缺點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：設(shè)備簡單，生長系統(tǒng)中溫度梯度小，可生長低位錯密度單晶缺點(diǎn)：①粘舟，產(chǎn)生缺陷生長截面D形，加工成圓片材料損失②難以生長非摻雜半絕緣GaAs單晶③難以生長大直徑75mm液態(tài)密封法LEC、LEP：是對CZ技術(shù)的一項(xiàng)重大改進(jìn)基本原理：用一種惰性液體覆蓋著被拉制材料的熔體，生長室內(nèi)充入惰性氣體，使其壓力大于熔體的離解壓力，以抑制熔體中揮發(fā)性組元的蒸發(fā)損失，這樣就可按通常CZ技術(shù)拉制單晶液態(tài)密封法中所用覆蓋劑應(yīng)滿足條件：1.密度小于拉制材料2.對熔體和坩堝在化學(xué)上必須是惰性的，而且熔體中溶解度小3.熔點(diǎn)低于被拉制材料熔點(diǎn)，且蒸汽壓低，易去掉4.有較高純度，熔融狀態(tài)下透明B2O3滿足上述要求LEC法生長GaSb熔點(diǎn)低，用1:1KCl+NaCl作覆蓋劑LEC法工藝流程：1.裝料：一石英杯裝Ga，一石英安瓶裝As，石英坩堝中裝B2O32.抽真空下，B2O3加熱脫水900-1000℃，Ga杯，As瓶烘烤除去氧化膜3.降溫至600-700℃，將Ga倒入坩堝內(nèi)沉沒在B...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
08
瀏覽次數(shù)：248
高功率模塊具備半導(dǎo)體功率器件的特性測試功能，主要通過PCI總線與主控機(jī)進(jìn)行通信，實(shí)現(xiàn)對半導(dǎo)體功率器件的電激勵功能和電測量功能。相關(guān)參數(shù)和指標(biāo)下：最大驅(qū)動電壓：±200V最大驅(qū)動電流：±1A最小驅(qū)動電壓：±2V最小驅(qū)動電流：±1nA電壓測量分辨率：2uV電流測量分辨率：10fA最大功率：20W由于高功率模塊對測試電壓和測試電流的分辨率要求很高，經(jīng)過理論計(jì)算最低需要18位AD。經(jīng)過了大量的理論研究和分析，并綜合考慮系統(tǒng)噪聲、AD的低端數(shù)據(jù)丟失等因素的影響，最終選擇了待測件的I-V曲線，用戶可以根據(jù)I-V曲線了解待測件的相關(guān)電氣特性。在進(jìn)行半導(dǎo)體功率器件參數(shù)測試過程中，必須保證程控恒壓源、恒流源的高度穩(wěn)定性。為此，高功率模塊采用了雙控制環(huán)路的方法，使用FPGA[3]控制，實(shí)現(xiàn)恒壓源或恒流源的穩(wěn)定輸出。當(dāng)采用恒壓源作為半導(dǎo)體功率器件激勵源時(shí)，恒流負(fù)反饋控制環(huán)路處于關(guān)閉狀態(tài)，利用恒壓負(fù)反饋控制環(huán)路實(shí)現(xiàn)恒壓控制；相反，當(dāng)采用恒流源作為半導(dǎo)體功率器件激勵源時(shí)，恒壓負(fù)反饋控制環(huán)路處于關(guān)閉狀態(tài)，利用恒流負(fù)反饋控制環(huán)路實(shí)現(xiàn)恒流控制。其具體原理框圖如圖2所示。 全范圍大動態(tài)控制調(diào)整及斜坡補(bǔ)償技術(shù)：高功率模塊開關(guān)電源根據(jù)輸出電壓和負(fù)載變化，通過反饋閉環(huán)回路[4]調(diào)整開關(guān)管的工作占空比實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓輸出，反饋閉環(huán)回路是否穩(wěn)定決定了高壓電源輸出電壓的穩(wěn)定度和工作的可...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
08
瀏覽次數(shù)：104
多量子阱層和電子阻擋層；在電子阻擋層上生長高溫P型層，高溫P型層由多個周期的超晶格結(jié)構(gòu)組成，每個周期的超晶格結(jié)構(gòu)均包括InGaN層和BGaN層，InGaN層的生長溫度小于BGaN層的生長溫度，InGaN層的生長壓力大于BGaN層的生長壓力；在高溫P型層上生長P型接觸層。InGaN層的生長溫度為800～1000℃。BGaN層的生長溫度為900～1100℃。InGaN層的生長壓力為400～600torr。BGaN層的生長壓力為100～200torr。InGaN層和BGaN層的厚度相等。高溫P型層的厚度為50～300nm。高溫P型層包括n個周期的InGaN/BGaN超晶格結(jié)構(gòu)，2≤n≤20。InGaN層為In x Ga 1-x N層，0BGaN層為B y Ga 1-y N層， 0 . 05 圖1圖2圖1是例提供的一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片的制造方法流程圖；圖2是例提供的另一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片的制造方法流程圖。圖1是例提供的一種氮化鎵基發(fā)光二極管外延片的制造方法流程圖，如圖1所示，該制造方法包括：襯底可以為藍(lán)寶石襯底。步驟102、在襯底上依次生長低溫緩沖層、三維成核層、二維恢復(fù)層、未摻雜的GaN層、N型層、多量子阱層和電子阻擋層。 低溫緩沖層可以為GaN緩沖層，厚度為20～50nm。三維成核層可以為GaN層，厚度為400～60...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
08
瀏覽次數(shù)：635
單面拋光機(jī)制作工藝PG-510型單面拋光機(jī)的主要結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：PG-510型單面拋光機(jī)的結(jié)構(gòu)組成主要由拋光盤組件、拋光頭組件、拋光液流量控制系統(tǒng)、晶片純水沖洗系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)、操作系統(tǒng)等組成。拋光盤組件的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：拋光盤組件主要包括拋光盤部件、主軸系統(tǒng)、拋光盤驅(qū)動系統(tǒng)、拋光盤溫度控制系統(tǒng)組成。PG-510型單面拋光機(jī)拋光盤組件的整體結(jié)構(gòu)如圖2所示:拋光盤組件是拋光機(jī)的核心部件，他的主要功能是拋光過程中帶動粘貼在拋光盤表面的拋光墊作平穩(wěn)旋轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)CMP工藝過程中磨料對材料表面化學(xué)反應(yīng)物的磨削去除作用。拋光過程中，不同的階段對拋光盤的轉(zhuǎn)速要求也不盡相同，在拋光的初始階段，由于材料表面粗糙度較低，極易造成拋光墊的快速磨損和損傷，一般要求拋光盤要慢啟動低轉(zhuǎn)速，而在拋光的中間過程，為了提高拋光效率達(dá)到較高的去除率，要求拋光盤的轉(zhuǎn)速相對較高，在拋光結(jié)束時(shí)為了防止納米級的拋光表面被劃傷，則要求拋光盤能夠?qū)崿F(xiàn)低轉(zhuǎn)速慢停止，整個拋光過程中拋光盤的速度曲線為梯形，如圖3所示。PG-510型單面拋光機(jī)的拋光盤驅(qū)動采用變頻器與三相異步電機(jī)來完成，可實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)啟動和停止的工藝要求，控制采用PLC模擬量加數(shù)字量控制，模擬量控制轉(zhuǎn)速，數(shù)字量控制方向，整個拋光過程中拋光盤的速度最多可分為十個階段，不同階段可設(shè)定不同轉(zhuǎn)速，整個過程中速度的變換由程序自動控制完成。PG-510型單面拋光機(jī)拋光盤的速度控制范圍為：0~...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
08
瀏覽次數(shù)：366
低壓氣相淀積，是在27-270Pa的反應(yīng)壓力下進(jìn)行的化學(xué)氣相淀積。它的特點(diǎn)是：膜的質(zhì)量和均勻性好，產(chǎn)量高，成本低，易于實(shí)現(xiàn)自動化。一般工藝流程：裝片——進(jìn)舟——對反應(yīng)室抽真空——檢查設(shè)備是否正?！銷2吹掃并升溫——再抽真空——保持壓力穩(wěn)定后開始淀積——關(guān)閉所有工藝氣體，重新抽真空——回沖N2到常壓——出爐?；瘜W(xué)氣相沉積的制程，包含了熱的傳達(dá)、邊界層的擴(kuò)散(boundary-layerdiffusion)，吸附于基板表面，反應(yīng)物分解、表面擴(kuò)散、副產(chǎn)物脫離表面等許多步驟，所以有很多個參數(shù)會影響沉積作用，如反應(yīng)溫度、壓力、反應(yīng)物流量、晶片擺置的位置和反應(yīng)物的混合比例都是對是否能沉積出高品質(zhì)的薄膜非常重要的因素。因?yàn)樯鲜龅幕瘜W(xué)氣相沉積制程的幾個步驟是連續(xù)的，那個步驟是最慢的速率，將會決定此化學(xué)氣相沉積的速率，亦即是速率決定步驟。速率決定步驟，一般可分成兩大類，一類是氣相質(zhì)量輸運(yùn)(gas-phaseprocess)，另一類是表面反應(yīng)(surfaceprocess)。對于氣相質(zhì)量輸運(yùn)最主要的考量點(diǎn)是反應(yīng)氣體撞擊到基板。這個模型要考慮氣體橫越過邊界層(boundary-layer)的速度。而此邊界層就是氣體大量流動和基板表面之間的范圍。反應(yīng)物的傳輸過程是藉著氣相的擴(kuò)散來達(dá)成，而此氣相擴(kuò)散的速率，正比于擴(kuò)散系數(shù)和橫越此邊界層的的濃度梯度(concentrationgradient)。因此物質(zhì)傳...
發(fā)布時(shí)間:
2021
-
04
-
07
瀏覽次數(shù)：195