掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實(shí)現(xiàn)方法，描述了一種通過將氮?dú)馔ㄟ^高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。 實(shí)驗(yàn)圖1顯示了本工作中使用的反應(yīng)器的示意圖；該反應(yīng)器由一個(gè)惰性碳化硅反應(yīng)室和兩個(gè)裝有適當(dāng)溶液的加熱汽化器組成，通過使受控量的氮?dú)廨d氣通過汽化器來輸送蒸汽，該室沒有被加熱，并且處理壓力保持在350托。為了進(jìn)行電學(xué)表征，在摻硼多晶硅上制備了具有450納米摻雜柵的LOCOS隔離MOSCAPs 5-10 Q-cm (100)取向的硅襯底，12納米的柵氧化層是在900℃的干燥氧氣環(huán)境中生長(zhǎng)的，電容器既沒有接受氧化后惰性環(huán)境，也沒有接受金屬化后形成氣體退火。 結(jié)果與討論通過氣相高頻氧化物蝕刻，可以實(shí)現(xiàn)孵育時(shí)間和不同模式的蝕刻選擇性。硅的各種氧化物和氮化物的蝕刻速率列于表1。與高頻水溶液一樣，氣相等效物對(duì)不同的硅氧化物表現(xiàn)出不同的蝕刻速率，從而產(chǎn)生了蝕刻選擇性，蝕刻速率從熱生長(zhǎng)到沉積氧化物，從未摻雜到摻雜氧化物增加。雖然氮化硅的低蝕刻速率使其成為硅氧化物的合適蝕刻掩模，但需要注意的是，氣相HF與水對(duì)應(yīng)物一樣，產(chǎn)生各向同性蝕刻。氣相和水相高頻之間有明顯的區(qū)別。如表1所示，蝕刻發(fā)生的時(shí)間存在于蝕刻過程的開始，這種孵育時(shí)間與在晶片表面...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對(duì)角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對(duì)上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對(duì)上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對(duì)所有種類的硅晶片進(jìn)行蝕刻預(yù)處理，特別是P(111)。本發(fā)明涉及評(píng)估硅晶片內(nèi)部缺陷(defect)的方法，在半導(dǎo)體器件的制造中，主要用作基板的硅晶片通常在制造高純度多晶硅棒后。隨著超大規(guī)模集成(ULSI)電路設(shè)備(device)密度的增加，設(shè)備所在晶片表面的活動(dòng)區(qū)域沒有缺陷和污染，安全的降級(jí)區(qū)，特別是，在設(shè)備制造過程中，被熱遺棄的晶片內(nèi)部的缺陷不僅表明消除對(duì)設(shè)備電氣特性有致命影響的金屬雜質(zhì)的有益影響，而且對(duì)晶片的強(qiáng)度也有重要影響，因此準(zhǔn)確評(píng)價(jià)晶片到目前為止，硅晶片內(nèi)部的缺陷評(píng)價(jià)一直是通過將熱處理過的晶片切割干凈或角聚化后用光(wright)蝕刻液不均勻地蝕刻缺陷，用光學(xué)顯微鏡觀察蝕刻過的缺陷部位來進(jìn)行的。從上述晶片的切面簡(jiǎn)單地用光蝕刻來評(píng)價(jià)出現(xiàn)的缺陷密度的方法具有簡(jiǎn)單可行的優(yōu)點(diǎn)，但根據(jù)硅片的類型，表面出現(xiàn)了artifact，觀察缺陷有困難。將現(xiàn)有硅晶片內(nèi)部的缺陷評(píng)價(jià)球晶顯示在第一度。根據(jù)上述方法，特別是P(100)、N(100)、P Epi/P(100)晶片在蝕刻后表示良好的morphology(形態(tài))，但P(11...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種清洗太陽能電池晶片的清洗設(shè)備，特別涉及一種用于干燥清洗后的晶片的太陽能電池晶片清洗器的干洗裝置。根據(jù)發(fā)明的太陽能電池晶片洗滌器用干裝置包括:在內(nèi)部注入晶片的情況下使晶片干燥的腔室、在該腔室內(nèi)旋轉(zhuǎn)支承的情況下提供空氣以使注入腔室內(nèi)的晶片干燥的擺動(dòng)噴嘴、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)該擺動(dòng)噴嘴的擺動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置，從而確保更好的干燥性能，大大縮短干燥時(shí)間，從而有助于提高生產(chǎn)率。太陽能電池是吸收太陽光并產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的光電轉(zhuǎn)換元件，是太陽能發(fā)電系統(tǒng)的核心，目前晶體硅(Si)占太陽能電池材料的90%以上。太陽能電池級(jí)晶片與已經(jīng)用作半導(dǎo)體電路元件基板50多年的半導(dǎo)體級(jí)硅片相比，為了降低制造成本，純度比11 Nine低6 Nine(99.9999%)但是，雖然電路的復(fù)雜性或線寬大小有差異，但從根本上說，半導(dǎo)體所子和太陽能電池都是通過添加硼(B)、磷(P)等興奮劑形成P型和n型區(qū)域，制作電極的過程是相同的。形成如此眾多光電轉(zhuǎn)換元件的太陽能電池級(jí)晶片被稱為Solar Wafer。這樣制造Solar Wafer，配置電池并安裝在現(xiàn)場(chǎng)，太陽能發(fā)電系統(tǒng)就完成了。另一方面，太陽能電池制造工藝由光刻、蝕刻（蝕刻）、離子注入、薄膜形成等眾多單位工程組成，在一個(gè)單位工程結(jié)束，進(jìn)入下一個(gè)單位工程之前，必須經(jīng)過清潔工藝。這樣，清潔設(shè)備可以降低昂貴的工藝設(shè)備部件和材料的更換費(fèi)用，是提高半導(dǎo)體/LCD/...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種感光膜去除方法，通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡(jiǎn)化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。圖1是示出澆口蝕刻過程中過量生成的聚合物的圖。 圖2a內(nèi)地圖2b為本發(fā)明澆口蝕刻后的感光膜去除方法的工藝剖面圖。 圖3是從設(shè)備方面說明本發(fā)明的感光膜去除方法的概要的圖，該方法將在Asher的工藝室內(nèi)進(jìn)行。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件的制造工藝，更詳細(xì)地說，涉及一種在澆口蝕刻后能夠順利地去除聚合物和感光膜的方法，在半導(dǎo)體制造過程中，每一步都必須寫照相工藝。 該照相工藝將感光劑均勻涂布在晶片上， 使用步進(jìn)器等曝光設(shè)備， 是指將蒙版或復(fù)制品上的圖案縮小投影曝光后，經(jīng)過顯影過程，形成所需二維圖案的感光膜的所有工序。 在照相過程中形成圖案后， 使用感光膜作為掩膜，實(shí)施蝕刻或離子注入工程等，之后實(shí)施去除不必要的感光膜的工程，稱為感光膜去除。 為了解決上述問題， 本發(fā)明的目的在于針對(duì)澆口蝕刻后生成的聚合物的特性，首先順暢地去除聚墨，從而提供一種能夠簡(jiǎn)化感光膜去除工藝的感光膜去除方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明包括:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文的目的是尋找改進(jìn)玻璃蝕刻劑的濕式蝕刻技術(shù)的方法，分析了玻璃濕蝕工藝的基本要素。為此，提出了一種改進(jìn)的玻璃深濕蝕刻技術(shù)。用Cr/Au和光刻膠掩模蝕刻了一個(gè)500µm厚的Pyrex玻璃晶片，據(jù)我們所知，這是所報(bào)道的最佳結(jié)果。對(duì)于改進(jìn)的表面，建立了高溫和蘇石灰玻璃的最佳溶液HF/HCl（10：1）。本文將重點(diǎn)研究玻璃的濕蝕刻過程，重點(diǎn)研究最常用的玻璃玻璃之一（康寧7740）。 玻璃蝕刻技術(shù)玻璃蝕刻主要有三種技術(shù)：機(jī)械、干燥和濕。機(jī)械方法包括傳統(tǒng)的金剛石鉆頭鉆頭、超聲波鉆孔、電化學(xué)放電或粉爆，這些方法通常用于通過玻璃晶片進(jìn)行蝕刻。然而，使用這種方法不能生成光滑的表面，干式蝕刻技術(shù)包括等離子體和激光蝕刻玻璃。目前有大量的玻璃，每一種都有不同的性質(zhì)和不同的成分。玻璃是氧化物的“混合物”，這些氧化物的組成和濃度賦予了主要的性質(zhì)。因此，玻璃蝕刻的表征只能進(jìn)行一般術(shù)語的分析。玻璃的濕式蝕刻主要是在hf基溶液中進(jìn)行的。由于成分的不同，蝕刻速率也有所不同。 圖1不同眼鏡的深度與蝕刻時(shí)間圖1給出了一個(gè)例子，其中三種不同的玻璃(康寧7740、打石灰和HoyaSD-2)在HF49%溶液中濕蝕刻,可以觀察到，只有康寧7740呈現(xiàn)出恒定的蝕刻速率，而其他兩種玻璃的深度在時(shí)間上有拋物線變化。對(duì)這種效應(yīng)的解釋可以在玻璃成分中找到。結(jié)果在蝕刻后，...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本文研究了CMP化學(xué)物質(zhì)誘導(dǎo)的多孔硅-sio低材料的降解，并描述了其降解機(jī)理和回收方法。描述了CMP工藝對(duì)漏電流退化的影響和介電常數(shù)，發(fā)現(xiàn)漏電流和介電常數(shù)增加。根據(jù)傅立葉變換FTIR吸收，由于CHx和OH鍵的增加，CMP后清洗溶液，這是因?yàn)榛瘜W(xué)機(jī)械拋光后清洗溶液中的表面活性劑滲透到多孔二氧化硅中，滲透的表面活性劑在CMP工藝之后，可以通過用2-丙醇或乙醇沖洗來去除多孔二氧化硅。 實(shí)驗(yàn) 本文研究的工藝流程是使用CMP掃描機(jī)NPS3301尼康對(duì)300mm硅片上的多孔硅片進(jìn)行了Cmp工藝直接拋光和CMP后清洗，將漿液的流量保持在150mL/min時(shí)保持不變，拋光壓力和平均相對(duì)速度分別保持在0.34kPa和1.79m/s。這個(gè)多孔的二氧化硅被拋光了30秒，清洗液1pH9.0和清洗液2pH5.0與刷砂一起進(jìn)行cmp后清洗，清洗時(shí)間分別為38和60s。此外，用n2氣-水二相流動(dòng)清洗清洗拋光后的多孔二氧化硅18s。 為了研究CMP化學(xué)物質(zhì)的降解和對(duì)回收過程的影響，進(jìn)行了浸漬試驗(yàn)，即將多孔硅膜浸入CMP化學(xué)物質(zhì)中1min，用去離子水或乙醇沖洗8min，n2吹法干燥。FTIR作為一個(gè)指硅襯底在透射模式下的入射角和垂直入射角的差光譜進(jìn)行測(cè)量。采用固著液滴法測(cè)量了接觸角。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文公開了一種用濕式均勻清洗半導(dǎo)體晶片的方法,所公開的本發(fā)明的特點(diǎn)是:具備半導(dǎo)體晶片和含有預(yù)定清潔液的清潔組、對(duì)齊上述半導(dǎo)體晶片的平坦區(qū)域，使其不與上述清潔組的入口相對(duì)、將上述對(duì)齊的半導(dǎo)體晶片浸入清潔組的步驟、旋轉(zhuǎn)上述沉積的半導(dǎo)體晶片的凸緣區(qū)域，在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)清洗上述旋轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體晶片、將上述清潔的半導(dǎo)體晶片浸入上述清潔組之外的步驟。涉及半導(dǎo)體晶片濕式清洗方法，特別是，半導(dǎo)體晶片用濕式均勻清洗方法。一般來說，半導(dǎo)體器件制造過程中，通過氧化和擴(kuò)散過程、照相過程、蝕刻過程和薄膜沉積過程等，將半導(dǎo)體器件聚集到Weiper中的過程中，會(huì)伴隨著粒子、灰塵和水分等不可選擇的雜質(zhì)。這種雜質(zhì)是引起半導(dǎo)體器件物理缺陷及特性下降的原因，最終會(huì)使器件的收率下降。因此，為了使元件的收率保持在適當(dāng)狀態(tài)，正在單位工序前后進(jìn)行清除不需要的雜質(zhì)的清洗過程。 圖1圖1是用于說明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體晶片清洗方法的圖紙。參照?qǐng)D1，為了從晶片(10)的表面消除污染源，將晶片(10)的平坦區(qū)域?qū)?zhǔn)預(yù)定方向，然后將晶片(10)浸泡在含有清洗液的清洗槽中,這時(shí)，晶片的平坦區(qū)域按照不與洗滌池的入口相對(duì)的方向排列。因此，晶片按A區(qū)域、B區(qū)域、C區(qū)域的順序沉積在洗滌池中。在這里，清洗液由適當(dāng)?shù)娜軇┗蚧瘜W(xué)溶液組成，以消除目標(biāo)污染源。在圖1中，箭頭指示晶片(10)沉積在洗滌液(20)上的方向。...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料半導(dǎo)體制造過程中，在每個(gè)過程前后實(shí)施的清洗過程約占整個(gè)過程的30%，是重要的過程之一。特別是以RCA清潔為基礎(chǔ)的濕式清潔工藝，除了化學(xué)液的過度使用、設(shè)備的巨大化、廢水造成的環(huán)境污染等問題外，重要的是有效地沖洗，防止清潔化學(xué)液在道工序后在晶片表面殘留，以及防止水斑點(diǎn)等污染物再次污染。因此，最近在濕清洗過程中，正在努力減少化學(xué)液和超純水的量，回收利用，開發(fā)新的清洗過程，在干燥過程中，使用超純水和IPA分離層的marangoni干燥方法正在引入。本研究考察了不同于傳統(tǒng)的marangoni方法，利用超純水和IPA的混合溶液表面進(jìn)行干燥和去除污染顆粒的效果。自制了超純水和IPA混合溶液安裝在室內(nèi)，為了制造一定濃度的混合溶液，我們先在單獨(dú)的容器中混合，并保持混合溶液在bath內(nèi)以3 LPM的流量恒定地投入。此外，為了方便晶片的干燥，還采取了其他措施。根據(jù)IPA的濃度變化，觀察晶片表面污染顆粒的增減情況，在IPA添加量為低濃度和高濃度的情況下，可以觀察到良好的結(jié)果。而且，將晶片從bath內(nèi)取出到大氣中時(shí)的解除速度對(duì)晶片表面的污染粒子數(shù)沒有太大影響，但對(duì)晶片底部的water droplet形成有很大影響，結(jié)論表明與GAN有密切關(guān)系。另外，繼續(xù)反復(fù)使用超純水和IPA混合溶液進(jìn)行工藝，表明晶片表面存在的粒子數(shù)量沒有增加，而是保持在一定水平。干燥過程中吹的hot N2...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言本設(shè)計(jì)涉及自旋干燥器的晶片導(dǎo)向結(jié)構(gòu)， 更詳細(xì)的說明是為了減少蝕刻后的晶片在干燥中的顆粒所造成的污染， 內(nèi)側(cè)有支撐各種結(jié)構(gòu)的軀體， 使多個(gè)晶片在上述體內(nèi)側(cè)可旋轉(zhuǎn)支撐的多個(gè)回收站， 對(duì)于由多個(gè)晶片導(dǎo)軌組成的自旋驅(qū)動(dòng)裝置，上述每個(gè)晶片的邊緣結(jié)合在一起，從而使上、下晶片在一定的間隙內(nèi)高速旋轉(zhuǎn)， 上述晶片導(dǎo)軌的特點(diǎn)是，由傾斜角度約為12°的斜角槽和寬約為0.9 mm的長(zhǎng)方形槽組成，使與晶片的摩擦最小化。 圖1圖1a為城市通常自旋干裝置的一部分的平面圖，圖1b為城市圖1a的1-1線的部分截面圖。 其中， 圖1b是圖1a的1-1線， 上述晶片導(dǎo)軌形成了傾斜的傾斜凹槽，以使晶片的邊緣易于插入； 與上述傾斜凹槽聯(lián)通時(shí)，形成了一定寬度及一定深度的矩形槽。進(jìn)行這種配置的傳統(tǒng)自旋干燥器的晶片導(dǎo)軌在多個(gè)晶片插入上述晶片導(dǎo)軌的直方槽后， 其作用是在超純水噴射到上述晶片表面的同時(shí)，在高速旋轉(zhuǎn)（大約為1200RPM）的過程中，抓住晶片以防止上述晶片移動(dòng)。 當(dāng)然，在上述晶片的高速旋轉(zhuǎn)下，殘留在上述晶片上的蝕刻液都會(huì)外排。但是，這種傳統(tǒng)的自旋干燥器的晶片導(dǎo)軌存在著一個(gè)問題，由于與晶片的摩擦，大量的particle和物質(zhì)留在晶片的邊緣，導(dǎo)致晶片被頂出（reject）處理。也就是說， 由于晶片邊緣與上述晶片導(dǎo)軌的矩形槽之間的摩擦，上述矩形槽可能會(huì)輕微損壞，...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O/O2氣體氣氛中進(jìn)行干洗，在CF4等離子體條件下進(jìn)行干燥，在O2等離子體的條件下進(jìn)行干燥劑后， 通過執(zhí)行濕式清潔工藝去除上述殘留光刻膠，可以徹底去除半導(dǎo)體裝置制造過程中使用的光刻膠，增進(jìn)半導(dǎo)體裝置的可靠性，防止設(shè)備污染。眾所周知， 在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，用于各種電路的無縫電氣連接金屬布線隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的高集成化、高速化，越來越要求以較小的線寬制作。因此，選擇合適的光刻膠是非常重要的，隨著金屬布線的線寬變小，不僅大功率和低壓力被用作金屬布線形成的蝕刻方法，根據(jù)所用光刻膠的特點(diǎn)，去除蝕刻進(jìn)程中產(chǎn)生的聚合物和光刻膠是非常重要的。傳統(tǒng)的方法是在半導(dǎo)體裝置的制造過程中使用H2O等離子體、由于蝕刻過程中產(chǎn)生的聚合物，使用O2等離子體進(jìn)行干洗，可能無法完全去除光刻膠。 即使執(zhí)行濕式清潔，由于等離子體室的高溫，在等離子體發(fā)揮作用之前，隨著晶片停留時(shí)間的增加，聚合物也會(huì)過度硬化，直接殘存的問題。因此， 本發(fā)明旨在解決上述傳統(tǒng)技術(shù)存在的問題，在半導(dǎo)體裝置的制造過程中，H2O等離子體，其目的在于提供一種半導(dǎo)體制造用的光刻膠去除方法，利用H2O/O2氣體、CF4等離子體和O2等...
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