掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言目前，193納米光刻的K1遠(yuǎn)低于0.4，顯著增加了整個(gè)光刻工藝的工藝復(fù)雜性和成本。ITRS要求32 nm和22 nm節(jié)點(diǎn)分別實(shí)現(xiàn)1.7 nm和1.2 nm的LWR (3s)，劑量靈敏度為(5至15) mJ/cm2。為了理解劑量靈敏度、LWR和分辨率之間的權(quán)衡，需要使用模型EUV光致抗蝕劑系統(tǒng)研究潛像形成和顯影圖像的組合效應(yīng)。以前對這種模型光致抗蝕劑聚合物中酸擴(kuò)散的研究表明，去保護(hù)分布的空間范圍隨著劑量或酸濃度的增加而增加，但即使不使用堿猝滅劑2，3，它也能自限于光致抗蝕劑的未曝光區(qū)域。我們研究了PAG負(fù)載和顯影劑強(qiáng)度對EUV圖案保真度的影響。 實(shí)驗(yàn) 使用的模型光致抗蝕劑是聚(羥基苯乙烯-丙烯酸共叔丁酯)(P(HOSt-co-tBA))(數(shù)均相對摩爾質(zhì)量(Mn) = 11，459 g/mol，多分散指數(shù)(PDI) = 1.83，含有49摩爾%的HOSt和51摩爾%的tBA(杜邦電子聚合物)。該模型光致抗蝕劑和顯影劑溶液中不含其他添加劑，因此可以對PAG加載和顯影劑強(qiáng)度的影響進(jìn)行受控研究。當(dāng)提到PAG載荷(或濃度)時(shí)，從這一點(diǎn)開始，它將被暗示為質(zhì)量百分比。對于對比曲線表征，SEMATECH-North Albany抗蝕劑測試中心Exitech MET與相同的PAB和PEB一起用作模式研究。在所有晶片上的EUV曝光之后，立即在90℃下進(jìn)行...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言氧化鋅（ZnO） 壓敏電阻， 電子照相感光劑 不僅僅是作為氣體傳感器等的電子陶瓷材料， 其C軸取向膜， 表面彈性波元件等1）的音響裝置， 也可用于光波導(dǎo)等2）的光學(xué)器件。另外， 通過摻雜Al等3價(jià)元素，有望應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜。當(dāng)薄膜作為半導(dǎo)體及透明電極材料使用時(shí)， 微細(xì)加工是必不可少的， 一般進(jìn)行蝕刻。蝕刻有干法蝕刻3）和濕法蝕刻2種。干法蝕刻的方法是通過濺射進(jìn)行物理蝕刻。 通過等離子中生成的激發(fā)活性物質(zhì)進(jìn)行化學(xué)蝕刻，這種蝕刻法是目前半導(dǎo)體加工的主流。 根據(jù)缺乏揮發(fā)性的物質(zhì)的不同，也存在不可能進(jìn)行蝕刻的情況。因此，在本報(bào)告中，我們注意到ZnO與乙酰丙酮的反應(yīng)，嘗試了用有機(jī)溶劑的蝕刻。另外，從蝕刻速度和溫度的倒數(shù)中，可以求出蝕刻的活化能，由于活化能是絕對量，因此被認(rèn)為是可以相互比較的ZnO膜的新的評價(jià)方法。另外，不僅可以用乙酰丙酮蝕刻可以在多方面利用的氧化鋅膜，而且可以從蝕刻處理液中回收作為CVD用原料的乙酰丙酮鋅，可以實(shí)現(xiàn)對地球環(huán)境友好的再循環(huán)。 實(shí)驗(yàn)ZnO膜的合成中，使用了不使用真空裝置的開放型熱CVD裝置5）和R.F.磁控濺射裝置（日電阿內(nèi)爾瓦制造，SPF―332）。作為制作膜的評價(jià)，使用觸針式表面粗糙度形狀測量機(jī)（東京精密，Surfcom 550A）測量膜厚，求出膜的減量。另外，表面組織用掃描電子顯微鏡（JEOL； 通過JSM，...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言氧化鋅具有寬帶隙，提供電子由于是通過添加而顯示出優(yōu)良的電學(xué)及光學(xué)特性的物質(zhì)，因此被廣泛使用。由于可以比較容易地制備均勻性優(yōu)良的薄膜，因此特別用于制作需要均質(zhì)、大面積氧化鋅薄膜的透明電極。最近，隨著以VLSI為代表的半導(dǎo)體元件開發(fā)的急劇進(jìn)步，以吸收低電壓電子電路中的浪涌為目的的低電壓用壓敏電阻的開發(fā)迫在眉睫。在3-10V左右的低電壓下，為了在電壓和電流的關(guān)系中表現(xiàn)出較大的非線性，在使用以往使用的氧化鋅粒子（10―20″m）時(shí)，需要制作出能夠保持與該粒子大小大致相同厚度的燒成體。目前，正在嘗試將使用刮刀法制作的生片進(jìn)行多重積層化的方法，但由于電壓―電流（VJ）特性中的非線性系數(shù)值較小，還存在許多技術(shù)問題。在本研究中，作為液相法制作氧化鋅薄膜相關(guān)研究的一環(huán)，在含有鋅和鐠的溶液上浸涂基板，之后通過燒制，調(diào)制添加鐠的氧化鋅薄膜。特別是在本報(bào)告中，在詳細(xì)敘述薄膜前驅(qū)體溶液的調(diào)制法的同時(shí)，將所得薄膜的結(jié)晶粒徑及壓敏電阻特性與液相沉淀法和固相法調(diào)制的試料進(jìn)行了比較研究，現(xiàn)將其結(jié)果進(jìn)行報(bào)告。 實(shí)驗(yàn)在調(diào)節(jié)前驅(qū)體溶液時(shí)，作為Zn源的醋酸鋅二水和物（試劑特級）杏， 作為添加劑的Pr源，使用氧化鐠（信越化學(xué)試劑特級）。 另外作為溶劑使用了特級乙醇。并且前驅(qū)體溶液的穩(wěn)定化， 以及作為粘度調(diào)整的成膜助劑， 單乙醇胺， 使用烯醇胺及三乙醇胺（各Nakarai Te...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言為了LSI的小型·高性能化， 為了實(shí)現(xiàn)高精度的基板表面粗糙度，在制造工序中推進(jìn)了微細(xì)且多層布線化。 要求使用粒徑100 nm以下的納米粒子的CMP（Chemical Mechanical Polishing）工程。 工藝后晶圓上殘留納米粒子，成為產(chǎn)生缺陷產(chǎn)品的原因拋光后的清洗之一是利用軟PVA（Polyvinyl Alcohol）刷直接接觸清洗晶圓。 通過具有內(nèi)部孔和結(jié)構(gòu)凹凸的刷子的機(jī)械旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和供給的藥液流動(dòng)，附著在表面的納米粒子從晶圓上脫離[3]。在清洗過程中，觀察表面上的拋光納米粒子的清洗現(xiàn)象。 闡明機(jī)制， 對于更有效的納米粒子清洗是必不可少的。在本研究中使用漸逝光的PVA刷的氮化膜上的納米二氧化硅粒子接觸清洗現(xiàn)象的觀察中，PVA刷與基板表面接觸使粒子從表面脫離時(shí)，由于PVA刷的散射光明亮，所以很難觀察與納米二氧化硅粒子的相互行為。因此，在本稿中，通過使用與PVA刷不同波長的熒光特殊納米二氧化硅粒子，識別藍(lán)色散射光的PVA刷和紅色熒光的納米二氧化硅粒子，觀察表面附近的接觸清洗現(xiàn)象，因此進(jìn)行報(bào)告。 實(shí)驗(yàn)圖1顯示了PVA刷的接觸擦洗。通過向晶圓表面的PVA刷旋轉(zhuǎn)接觸和藥液供給的并用，使附著在基板上的100 nm以下的二氧化硅研磨粒子脫離。由于該納米尺度現(xiàn)象在距離表面數(shù)百nm的范圍內(nèi)高度發(fā)生，本研究中如圖2所示，通過使用僅...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言隨著對世界能源環(huán)境問題的關(guān)注增加，對可再生能源太陽能發(fā)電的期待也越來越高。 在停滯的世界經(jīng)濟(jì)中，太陽能電池相關(guān)產(chǎn)業(yè)備受關(guān)注。 作為太陽能電池的評價(jià)基準(zhǔn)，不僅是制造成本，效率和可靠性(耐久性)也是重點(diǎn)。 綜合判斷，也有預(yù)測稱，如果晶體基板的供給體制完備，晶體硅太陽能電池的優(yōu)勢不會(huì)輕易崩潰。 晶體硅系太陽能電池已經(jīng)有很長的實(shí)績，看起來在技術(shù)上已經(jīng)完成，但是通過基板的薄膜化實(shí)現(xiàn)的低成本·省資源化、表面反射率降低以及p/n結(jié)形成法的改善帶來的效率提高等改良現(xiàn)在也在穩(wěn)步進(jìn)行。 實(shí)驗(yàn)通過濕法工藝對太陽能電池用硅進(jìn)行表面處理，并通過降低表面反射率來提高高效晶體硅太陽能電池的效率。 為了解決這樣的問題，即在400-1100 nm波長范圍內(nèi)，原始硅平坦襯底的反射率非常高，平均約為40%，因此，由于反射而產(chǎn)生大的損失。 為了解決在應(yīng)用于太陽能電池時(shí)的工藝成本問題，盡管可以通過施加折射率不同的多層膜涂層（例如光學(xué)部件）來降低反射率。 在這種情況下，采用了在硅表面上施加粗糙形狀并施加單層涂層（例如氮化硅膜和二氧化鈦膜）的技術(shù)。 采用凹凸結(jié)構(gòu)的面，具有光限制效果，稱為紋理面。 在單晶硅的情況下，由于（111）面是化學(xué)穩(wěn)定的，因此通過利用該面容易通過化學(xué)處理暴露的事實(shí)來獲得紋理面。 具體地，通過將（100）面的硅晶片浸入堿性液體中，形成由（111）面...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言作為光學(xué)部件的鏡頭，由于其光學(xué)特性，有各種各樣的硝種，被認(rèn)為是不可能用水清洗的，同時(shí)，由于其量產(chǎn)化的計(jì)劃，無論如何都必須自動(dòng)化，與大型照相機(jī)制造商共同研究，試制了光學(xué)鏡頭的超聲波自動(dòng)清洗裝置，才確立了量產(chǎn)化。之后，鏡頭的自動(dòng)清洗裝置大量銷售，并且通過清洗系統(tǒng)的改良、機(jī)構(gòu)的簡化、洗滌劑的開發(fā)、振動(dòng)器的改良等，一直延續(xù)到現(xiàn)在。 實(shí)驗(yàn)就像光學(xué)透鏡一樣， 液晶玻璃， 磁盤， 磁磁頭 光掩膜等表面拋光的零部件的清洗， 已經(jīng)有人說，如果不使用超聲波清洗，就無法得到清潔面。當(dāng)然， 超聲波清洗不是全部，與其他清洗方法的組合，洗滌劑的選擇，清洗系統(tǒng)的構(gòu)成，干燥系統(tǒng)的構(gòu)成等都是重要的因素，不要忘記。在原理上被認(rèn)為是理所當(dāng)然的。使用單一共振頻率的振子強(qiáng)制制造駐波， 相反，我們需要做的是， 如何使安裝有振動(dòng)器的面有效地進(jìn)行活塞運(yùn)動(dòng)。當(dāng)然， 洗滌物， 如果進(jìn)行機(jī)械性的搖擺運(yùn)動(dòng)，就會(huì)橫穿氣蝕發(fā)生區(qū)， 反而可以期待同樣的洗凈效果。因此，與以往的使用空化的洗滌的想法不同。像這樣，超聲波洗滌有各種系統(tǒng)的組合方法，如果頻率、振動(dòng)器輸入等不設(shè)定適當(dāng)?shù)闹?，洗滌物就無法洗滌，反而會(huì)造成損傷，因此必須十分注意這些系統(tǒng)的選定。因此，本公司一旦有洗滌委托，就會(huì)請教其前工序，即附著了什么樣的污物，經(jīng)過什么樣的工序附著了污物，根據(jù)這些來決定洗滌系統(tǒng)。然后，進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，判斷洗滌結(jié)果，進(jìn)入...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言作為半導(dǎo)體器件和MEMS微加工技術(shù)基礎(chǔ)的光刻技術(shù)中，顯影和清洗等濕法工藝是必不可少的。在本稿中，介紹了能夠定量評價(jià)超臨界CO2處理對微細(xì)光刻膠圖案―基板間的粘接強(qiáng)度帶來的影響的、用于微小結(jié)構(gòu)材料的粘接強(qiáng)度試驗(yàn)法。 并且，實(shí)際利用該試驗(yàn)法，測量在不同的超臨界CO2處理?xiàng)l件下制作的微細(xì)光刻膠圖案的粘附強(qiáng)度，通過超臨界處理?xiàng)l件提高粘附強(qiáng)度的定量性證明了這一點(diǎn)。 實(shí)驗(yàn)該微細(xì)加工技術(shù)還應(yīng)用于Micro―electro―mechanical system(MEMS)器件的微機(jī)械元件的制造。 MEMS器件是指在基板上集成由數(shù)～數(shù)百微米尺寸的部件構(gòu)成的微機(jī)械元件和電子電路。 圖1顯示的是一般的半導(dǎo)體·MEMS微加工技術(shù)的示意圖。 圖1左圖是作為半導(dǎo)體器件制造基礎(chǔ)的二維微細(xì)加工技術(shù)，利用光刻法，在通過旋涂等在基板上薄薄涂布的感光性光刻膠膜上，利用紫外線、電子束等對微細(xì)圖案進(jìn)行曝光、顯影，從而在基板上用高分子光刻膠薄膜制作超微細(xì)圖案的技術(shù)。 通過利用該微細(xì)抗蝕劑圖案作為掩模對基板上的薄膜進(jìn)行蝕刻，或者利用該微細(xì)抗蝕劑圖案作為模具進(jìn)行氣相沉積、電鍍等，在基板上制作高密度集成電路。在MEMS器件中，通過組合該二維光刻法和三維微加工雙方的微細(xì)加工技術(shù)并反復(fù)實(shí)施，同時(shí)進(jìn)行超微細(xì)電子電路和微小機(jī)械要素的制造、組裝。如前項(xiàng)所述，由于急劇的高集成化，光刻...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 近年來，由于用于經(jīng)濟(jì)和社會(huì)活動(dòng)的信息量急劇增加，特別是對信息電子設(shè)備的高性能和小型化的強(qiáng)烈要求，為了實(shí)現(xiàn)這些要求，開發(fā)了制造半導(dǎo)體元件的各種技術(shù)。 其技術(shù)趨勢，主要可以梳理為“大口徑化”和“精細(xì)化”。 也就是說，通過使元件的結(jié)構(gòu)更精細(xì)來提高集成度，從而實(shí)現(xiàn)小型化和高性能，并且通過擴(kuò)大作為主要材料的硅晶片的直徑來實(shí)現(xiàn)有效的生產(chǎn)。 實(shí)驗(yàn)在作為一種化學(xué)氣相沉積(CVD)方法的硅外延薄膜的生長中，由于使用氣流，因此可以通過將表面化學(xué)反應(yīng)與質(zhì)量守恒方程、動(dòng)量守恒方程、能量守恒方程、化學(xué)物種守恒方程和理想氣體狀態(tài)方程相關(guān)聯(lián)來進(jìn)行數(shù)值計(jì)算，從而預(yù)測生長速率和膜厚分布。通過將氣體入口的詳細(xì)形狀包括在計(jì)算中，可以預(yù)測膜厚分布的精細(xì)特征（谷）的形成。 在生長中，通過使用膦氣體和二硼氧化物氣體將磷和硼混合到薄膜中來調(diào)節(jié)電阻率，并且如果摻雜劑的濃度被認(rèn)為是一種組成，則可以通過確定摻雜劑的沉積速率與總沉積速率的比率來預(yù)測摻雜劑的濃度，同時(shí)考慮主原料氣體和摻雜劑氣體之間的表面化學(xué)反應(yīng)的競爭。由于通過使用生長裝置的具體結(jié)構(gòu)計(jì)算傳輸現(xiàn)象和化學(xué)反應(yīng)，可以在實(shí)際水平上預(yù)測外延生長速度，因此可以在預(yù)測最終結(jié)果的同時(shí)設(shè)計(jì)生長裝置。 如果在有機(jī)分子粘附的情況下形成氧化膜，則氧化膜的絕緣性降低，并且當(dāng)想要限制電子時(shí)，電子泄漏。 為了...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 為了闡明半導(dǎo)體制造業(yè)中用于沖洗和干燥過程的馬蘭戈尼干燥過程中硅片上液滴干燥行為的機(jī)理，利用CCD相機(jī)研究了液滴在有機(jī)氣體溶解過程中的干燥時(shí)間。用微光學(xué)濃度傳感器測量了液滴中有機(jī)成分的濃度。此外，還分析了由相平衡得到的評價(jià)干燥時(shí)間和濃度的數(shù)值方法。兩者在質(zhì)量上都很一致。最后，通過數(shù)值分析，提出了降低水印、有機(jī)和水濃度的指南。 實(shí)驗(yàn) 如圖1所示，通過這樣做，在晶圓和純水的界面上形成的彎月面尖端的薄膜部分，有機(jī)物成分濃度比其根部部分高，使薄膜部分的表面張力更低。結(jié)果，在彎月面的根部部分之間產(chǎn)生表面張力梯度，通過Marangoni力將彎月面吸引到根部部分，即促進(jìn)排水。 在本研究中，在馬蘭戈尼干燥方面， 在明確晶圓上殘留的液膜、液滴的干燥機(jī)理的同時(shí)，通過它以得到降低水印的指針為目的。為此，本論文進(jìn)行了以下的討論。液滴的IPA濃度和干燥時(shí)間，由于實(shí)際的干燥是在室溫下進(jìn)行的，所以即使除去溫度的影響，干燥氣氛氣體的IPA濃度和水蒸氣濃度（相對濕度）也是密切相關(guān)的。在此，首先，通過模擬晶圓上殘留液滴的干燥的實(shí)驗(yàn)裝置，通過CCD攝像機(jī)的觀察和獨(dú)自的濃度測量探針，分別明確了氣氛氣體的IPA濃度和水蒸氣濃度（相對濕度）對干燥時(shí)間的影響，...
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掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言 在作為半導(dǎo)體光刻原版的光掩模中，近年來，與半導(dǎo)體晶圓一樣，圖案的微細(xì)化正在發(fā)展。 在半導(dǎo)體光刻中，通常使用1/4～1/5的縮小投影曝光，因此光掩模上的圖案線寬是晶圓上線寬的4～5倍，雖然要求分辨率比半導(dǎo)體工藝寬松，但近年來，從邊緣粗糙度、輪廓形狀等角度來看，干蝕刻已成為主流。 半導(dǎo)體用光掩模是對在合成石英基板上成膜的鉻、氧化鉻、氮化鉻等鉻系薄膜進(jìn)行圖案化的掩模，特別是在尖端光刻用掩模中，現(xiàn)狀是從硝酸鈰系的濕蝕刻劑加工，基本完成了向氯、氧系混合氣體的等離子蝕刻加工的轉(zhuǎn)移。 實(shí)驗(yàn) 關(guān)于半導(dǎo)體光刻技術(shù)，在移位掩模技術(shù)中，多采用大小中最小間距的半數(shù)，在世代或技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行討論。 到目前為止，為了實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，主要是通過光刻的短波長化來應(yīng)對，但近年來，圖案的精細(xì)化正在以超過短波長化的速度發(fā)展。 如表1所示，從180nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)開始，晶圓上的解像線寬變得低于曝光波長，在今天的90nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，變得不到一半有嗎？ 另外，關(guān)于預(yù)定于2007年開始量產(chǎn)的65nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，也在繼續(xù)開發(fā)193nm波長下的曝光，現(xiàn)狀是要求形成波長1/3的線寬。 圖2 ...
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