一、?前言
電路板使用銅作為導電材料，制作過程中大多采用先進電鍍再蝕刻的方式使電路成型。一般而言，可概分為減成法(subtractive process)及加成法（additive process），前者是以銅箔基板為基材經(jīng)印刷或壓模、曝光、顯影等程序在基板上形成一線路圖案再將板面上線路部分以外的銅箔蝕刻掉，最終剝除覆蓋在線路上的感光性干膜阻劑或油墨，以形成電子線路的方法；而后者則采未壓銅膜的基板，以化學沉銅沉積的反反復，在基板上欲形成線路的部分進行銅沉積，以形成導電線路。減成法又可細分為全板鍍銅法（pannel plating）及線路鍍銅法（pattern plating），另外還有上述兩種制造方法折衷改良的局部加成發(fā)法（partial additive）。
目前電路板制造上還是多以減成法為主。無論哪種制造方式，蝕刻皆是其制造流程中不可或缺的一部分，尤其是減成法最為重要。
二、?蝕刻液之分類與說明
蝕刻液一般可分為酸性蝕刻液與堿性蝕刻液兩類，酸性蝕刻液會攻擊以錫或錫鉛為主的阻抗液金屬阻劑層，對干膜攻擊力較低；反之，堿性蝕刻液則會攻擊干膜，對金屬阻劑的攻擊力較低，所以目前酸性及堿性蝕刻液在電路板制程上的選用大致上十分清楚；有干膜的流程，如內(nèi)層蝕刻走酸性蝕刻，有金屬阻劑的制程，如外層蝕刻則走堿性蝕刻。
2.1 酸性蝕刻液
酸性蝕刻液主要用在內(nèi)層蝕刻以氯酸鈉、氯化銅以及氯化鐵為主，以下針對這幾種酸性蝕刻液作介紹：
2.1.1 氯化鐵蝕刻液
氯化鐵蝕刻液是利用鐵離子、氯離子以及銅離子作為主要蝕刻力產(chǎn)生源之蝕刻液。配制上時利用鐵金屬（來源之一為鋼鐵工廠制程副產(chǎn)品），與鹽酸作用而得之氯化亞鐵為主成分。由于鐵離子的還原電位較銅高所以銅會被其侵蝕，被蝕刻后的銅以離子態(tài)存在于蝕刻液中又會再蝕刻銅。氯化鐵蝕刻液可用于單面板及內(nèi)層板之蝕刻。其蝕刻速率約（20-25μm/min），蝕刻能力約（60-80g/l）。氯化鐵系統(tǒng)因具藥水再生性，所以可以降低制程成本；其最大的問題在于制程中會在設備上以及工作場所造成不易去除且有顏色之污垢，且槽液中不純物很多，尤其鐵、銅離子同時存在，大大影響其廢液之回收價值，因此在單面板和內(nèi)層板之蝕刻領域中，大多被氯化銅蝕刻液取代。目前多使用于鐵/鎳合金蝕刻，例如導線架業(yè)，一般電路板廠較少使用。其系統(tǒng)可以視為氯化鐵/鹽酸系統(tǒng)：其氯化鐵約占40w/w%，HCI約占5%其反應式如下：
FeCl3?+Cu0??→FeCl2 +CuCl ???????????（1）
FeCl3 +CuCl →FeCl2+CuCl2?????????????(2)
CuCl2+Cu0?→2CuCl ???????????????????(3)
見反應式（1）-（3），三價鐵會將于表面接觸到的銅氧化成一價銅，此一價銅之后會再被三價鐵氧化成二價銅，此二價銅本身具備將銅面氧化的能力，整個過程中的金屬離子僅有二價鐵不具蝕刻力，因此需要將二價鐵再氧化成三價鐵以維持槽液的活性，詳見下式（4）、（5）：
4FeCl2+O2+4HCl→4FeCl3+2H2O ????????(4)
FeCl3+H2O→Fe（OH）3+3HCl ????????（5）
由（4）、（5）兩式可知在氧氣（空氣）充足的情況下添加鹽酸可以將二價鐵氧化成三價鐵，且當鹽酸消耗過多時會產(chǎn)生氧化鐵沉淀，因此控制酸含量對于氯化鐵蝕刻液的系統(tǒng)來說十分重要，一般而言PH通?？刂圃?.5-1之間。
2.1.2 氯化銅蝕刻液
利用二價銅離子和氯離子為主軸的銅蝕刻液，通常由氯化銅、鹽酸、氯化鈉或氯化銨配成，通常以氯酸鈉或雙氧水等氧化劑的系統(tǒng)連續(xù)再生而成，成本較氯化鐵蝕刻液便宜，廢液亦有回收價值。
氯化銅蝕刻液有良好的蝕刻因子，再生控制適當時，其蝕刻速率、蝕刻狀態(tài)都不錯。但若氯化不足，則蝕刻速率降低，且水洗會產(chǎn)生白色氯化亞銅沉淀；若氯化過量，則會產(chǎn)生游離氯氣，極易侵蝕蝕刻機的金屬零件。冷卻時，噴嘴容易因結晶被堵塞，需常清洗。對一般金屬，有腐蝕作用，故耐蝕膜也只能采用耐酸油墨或干膜，因此僅適用于單面板及內(nèi)層板的蝕刻。氯化銅的使用值得注意的是殘留銅面的亞銅離子，會形成氯離子之銅錯鹽溶解于槽液中。
2.1.3 氯酸鈉系統(tǒng)
本系統(tǒng)與氧化銅之系統(tǒng)十分相似，一樣具有二價銅供給銅面的反應產(chǎn)生，但是其再生反應是以添加氯酸鈉（NaClO3）的方式來再生，此雜聲反應需要鹽酸的配合，反應之副產(chǎn)物為鹽巴，值得一提的是在Cu+不足的情況如果PH低于0.5加入氯酸鈉會有下式之反應發(fā)生：
2NaClO3+4HCl →2ClO2+Cl2+2NaCl+2H2O
由上式可以知道鹽酸與氯化鈉直接反應會生成次氯酸和氯氣；可以想象，如果槽液的狀態(tài)或甚至溫度改變，都有可能造成次氯酸氣體和氯氣的產(chǎn)出；其中次氯酸容易溶于水中，氯氣的產(chǎn)出則較危險，另外氯化鈉和銅離子亦會同時存在。
高濃度的氯酸鈉蝕刻液必須注意安全：PH為十分重要的控制因子，簡而言之，PH高時會再生反應，PH過低則會發(fā)生氯氣，操作中PH控制于1.3-1.5之間，PH 3以上還會有氫氧化銅產(chǎn)生。先前的酸性蝕刻因為要維持高蝕刻速度的關系必須在高酸下運作（＞2.5N），因此相對之下有產(chǎn)生氯氣的風險，目前，友緣化學所推出的新一代酸性蝕刻液可以在低酸下（1-2N）之間達到更高的產(chǎn)速，因此幾無氯氣產(chǎn)生的風險。
2.2堿性蝕刻液
2.2.1 堿性氯化銨之銨銅蝕刻液（即堿性氨系蝕刻液）
首先針對一般的堿性蝕刻而言作介紹：一般的堿性蝕刻液是以氯化銅、氯化銨、氯水以及界面活性劑、濕潤劑和氧化抑制劑等配制而成，并額外添加輔助成分如氯化鈉、碳酸銨、磷酸銨、硝酸銨、乙酸酰胺、氰氨、胺基硫酸或其他含硫化合物，以加強蝕刻液的功能性；對于線寬30μm以下的超細線路蝕刻則另外添加策蝕刻抑制劑（蝕刻速度的要求和一般蝕刻差異剖大，因此其余成分亦須調(diào)整）。堿性蝕刻液多年以來無論在使用方法、操作條件、蝕刻液性能、回收性等，一直在改良、進步中，并因此能于業(yè)界產(chǎn)品不斷變化的情形下生存，且已取代上述幾種蝕刻液而成為雙面板及多層板蝕刻液的主流。
堿性是蝕刻液穩(wěn)定、安全性好、蝕刻速率快（最快可達70μm/min以上）、蝕刻能量大（可達170g/l以上）、蝕刻因子佳，各種材料的有機及金屬抗蝕刻膜除銀外均可適用。
堿性蝕刻液可藉由自動控制器對槽液比重、PH進行監(jiān)控、添加、排放，因此可以連續(xù)大量生產(chǎn)并維持穩(wěn)定的線速。只要蝕刻液中有足夠的氯和氨含量，氯化二氨亞銅隨即與氧作用氧化，不會有亞銅的累積，影響蝕刻速率。須注意的是堿性氨系蝕刻液有刺鼻氣味，所以必須注意通風與設備抽風。
2.2.2 堿性蝕銅液的反應機構
a.基本反應式：
2Cu+2Cu（NH3）4Cl2→4Cu（NH3）2Cl（亞銅錯合物）
b.再生反應之反應式：
4Cu（NH3）2+2NH4Cl+2NH4OH+O2→4Cu（NH3）4Cl2+2H2O
c.總反應式：
合并a.b兩反應式
a反應式之中間態(tài)亞銅離子之溶解度很差，是一種污泥狀的沉淀物，若未迅速除掉時，會在板面上形成蝕銅的障礙，因而造成板面或孔壁的污染，必須輔助以氨水、氯離子及空氣中大量的氧，使其繼續(xù)氧化成可溶性的二價銅離子，而又再成為蝕銅的氧化劑，周而復始的繼續(xù)蝕銅，直到銅量太多而減慢為止。
2.2.3堿性蝕刻液特性說明
a. 氨銅系統(tǒng)說明：
堿性蝕刻液特定的控制范圍內(nèi)銅含量越高（比重越大）或PH愈低則側(cè)蝕性愈小，蝕銅時藥液和銅面產(chǎn)生溶解度小的保護膜Cu（NH3）2+,此種保護膜物理性質(zhì)弱，在噴壓的作用下側(cè)面保護膜的維持度比垂直蝕銅好，因此在游離銨離子減弱時，則有降低側(cè)蝕功用，PH高意味著游離銨離子多，此時保護膜則容易化成溶解度大的Cu（NH3）42+離子而離開銅面，因此在PH高或低含銅量蝕刻時，往往造成過蝕現(xiàn)象。
b.側(cè)蝕抑制劑
添加側(cè)蝕抑制劑，能夠在銅側(cè)面維持一定的保護膜，此種溶解度低的保護膜在壓力懸殊時形成很大的差別，壓力大時容易斷裂，側(cè)蝕壓力小于一定值時不易斷裂，由于噴壓在側(cè)邊較低所以抑制劑可以維持較久的時間并保護側(cè)邊的銅不被蝕刻液攻擊因此側(cè)蝕可減少20-30%，側(cè)蝕抑制劑對細線路蝕刻的線路品質(zhì)尤其重要。
c.堿性蝕刻之操作與特性
（1）抽風：以噴灑室內(nèi)質(zhì)空氣呈負壓為原則，使空氣能與藥液充分混合，并提供充足的氧氣以滿足完成反應之所需。
（2）噴嘴：噴嘴依照噴出之形狀可分類為扇形，實錐形、空錐形，一般理想的設計是上噴嘴呈錐形下噴嘴呈扇形，不過近來實測發(fā)現(xiàn)對于超細線路上下皆扇形有較佳的蝕刻均勻度，另外值得一提的是后蝕刻（post etch）對于蝕刻均勻度有很大的影響。
（3）擺動：擺動有定點搖擺式，來回搖擺式。（最佳組合需經(jīng)實測才能找出最佳條件）。
（4）噴管：噴管與前進方向呈順置、橫置、斜置配置。
（5）溫度：在可作業(yè)情形下，越低越好。
（6）壓力：針對一般電路板噴壓以1.2-1.5Kg/cm2就大致足夠，太高易打斷保護膜，不過對于超細線路而言，其噴壓以1.6Kg/cm2較適合，上述所提供的噴壓與設備幫浦到噴嘴的設計有關，因此需要依照設備狀況調(diào)整而非絕對值；板子上面會有積水而有水池效應，所以上壓要比下壓稍高，因難度較高之線路面宜朝下，且線路順走之側(cè)蝕大于橫走之方向（噴嘴定點搖擺式）。
（7）蝕刻速度與設備之線速度：通常設定在蝕刻槽3/4距離處蝕刻完成，以有效長度1.0m為例，一般電路板的蝕刻速度大約設定在60-80μm/min，針對超細線路而言是蝕刻速度大約設定在20-30μm/min，而線速會影響電路板與蝕刻藥水中的滯留時間。
（8）化學性：PH低，銅含量高，氯離子低，護岸劑多對側(cè)蝕有改善。
（9）抗蝕性：對堿性蝕刻而言抗蝕性關系為：Sn＞Sn/Pb＞Ni＞Au＞Ink＞Dryfilm按上列順序，所以鍍金板及干膜在蝕刻時，必須控制PH值及Cl-值以免被攻擊。
（10）添加劑：常用高分子型或含氮型之界面活性劑當潤濕劑（或并用）
a.使用強有力的含硫、含氮護岸劑
b.使用亞銅錯合劑或有機物能與亞銅錯鹽產(chǎn)生加成衍生物者，達到改變蝕銅速度與護岸之效果。
c.有效的PH緩術劑，穩(wěn)定PH及控制儲存時NH3揮發(fā)。
（11）銅皮結構與厚度：etching是蝕去一次銅與底銅，可見80%之蝕刻表現(xiàn)取決于基材銅箔，因此使用薄銅箔或銅箔結晶細致及一次銅厚度均勻者，可得到較佳的側(cè)蝕因子。
2.3 其他蝕刻液
2.3.1硫酸---雙氧水系列
對金屬銅而言，雙氧水是一種極佳的蝕刻藥液，但由于其本身的性質(zhì)不夠安定，容易分解而影響蝕刻的效果，所以一般均與硫酸并用，并在其中加入適量的安定劑與促進劑，以維持并提升蝕刻液的性能。硫酸—雙氧水法因為以下數(shù)點特色而被國外電路板業(yè)者采用：
a.無刺激性的氨味 ???b，無銅錯合劑 ?c.無銨離子 ??d.回收容易 ?e.廢水處理容易
但此蝕刻液最大的問題就是雙氧水的安定問題，尤其在開始蝕刻之后雙氧水的銅離子開始增加，雙氧水的分解速度是會大幅提升，其次是蝕銅量偏低。因為使用雙氧水為氧化劑，成本自然也偏高，目前在臺灣大多只用于除銅面之氧化物而已。
表面處理的蝕刻液還有很多種類，包括超粗化、棕化、黑化以及SPS等等，由于其功能大多用在改變銅面的狀態(tài)并非蝕刻線路（SPS也用在SAP制程的蝕刻但是比例不算高）。
三、?堿性蝕刻品質(zhì)
蝕刻為影響電路板良率的主要因素之一，一般銅線路蝕刻有兩個品質(zhì)重點，分別是蝕刻速度和蝕刻因子：
3.1 蝕刻速率（Etch ?rate）
對于一般的蝕刻而言蝕刻速率是十分重要的因子，尤其是針對傳統(tǒng)板生產(chǎn)者以及代工廠而言，目前市場的趨勢可以分為不同的兩極，其中之一是為了做超細線路的板子，尤其是40/40μm以下的電路不能，為了避免線路側(cè)蝕過多底銅厚度的薄化是不可避免的，針對底銅厚度小于8μm的電路板，蝕刻因子的重要性遠高于蝕刻速度，針對這類型的板子蝕刻速度大約15-25μm/min較為適合；但是對于一般的電路板就不一樣了，在維持蝕刻品質(zhì)的原則下線速于一定范圍內(nèi)越快越好，為了提升蝕刻速度，因此常在蝕刻液中加入加速劑，某些加速劑在加入后可將蝕刻速率提升。以下為堿性氨系蝕刻液加速劑之分類：
3..1.1 以貴金屬加速
貴金屬因置換作用在銅面形成催化性核心，促進銅面的蝕刻加速。這些離子的電極電位必須較銅金屬更負才行，如此方可將銅原子置換出來，并會造成局部化學電池作用加速銅的溶解。這類型的反應會發(fā)生之最主要負面影響為貴金屬殘留。殘留下來得貴金屬通常會吸附在線路銅兩側(cè)，如果于當時槽液狀態(tài)下貴金屬所帶之表面電荷和銅相反則其吸附性非常強，需要更強的外力如微蝕、超粗化或能使添加貴金屬與銅帶相同電荷之藥水才會清除干凈，因此添加之金屬必須慎選。
這些可溶解之貴金屬鹽類與氧化物包括有Ag+（一價銀離子），Pd2+（二價鈀離子），Au3+（三價金離子），Hg2+（二價汞離子），其他尚可使用的有鈀離子與白金離子。實驗顯示使用銀離子時，具有最佳加速速率，而最常使用之離子則為汞離子，因其具以下兩點優(yōu)點：
a.?藥劑價格低廉 ?
b.?少量添加即可見其功效；但此法較少被國內(nèi)業(yè)者接受
3.1.2 以潤濕劑及滲透劑加速：
潤濕劑或滲透劑可以歸類于界面活性劑，添加量大多在0.1-5%之間，添加量不需太多就會有很明顯的效果。這些界面活性劑強烈的滲透作用，可以加速溶解結構粗糙的底層銅。界面活性劑所呈現(xiàn)的電性也會影響其作用速度與清洗性，通常選用稍微和銅相反電荷且分子量不應太大的界面活性劑，需使親水基作用稍勝疏水基，這樣界面活性劑才能順利的在基材粗糙表面進行滲透，加速底層銅的溶解。在堿性蝕刻液通常使用特殊的兩性界面活性劑；上述界面活性劑的添加尤其對超細線路蝕刻的而系統(tǒng)十分重要。
3.1.3 以有機硫或氮化物進行加速：
含硫或氮的化合物本身和銅面具有結合力，上述化合物對于銅面的結合是全面性的，由于噴壓的關系， 線路兩側(cè)的含硫或氮之化合物較不容易被移除，所以可以改善蝕刻液的蝕刻因子，實作時發(fā)現(xiàn)此類化合物中的某些種類，在堿性中有顯著的加速蝕刻效果，同時由于和銅的結合特性亦可當護銅劑，其加速作用是與銅形成可溶性的鹽類，使金屬銅變成亞銅鹽的速度加快。
3.1.4 以鹵素衍生物或鹽類加速：
一般增加槽液中的氯離子含量，在一定的范圍內(nèi)可以增加蝕刻速度，其來源通常是含氯的鹽類。如果使用鹵素的衍生物往往都有更佳的效果，目前大u偶是用兩種或兩種以上鹵素化合物，可以與銅離子形成溶解度良好的錯離子，故能加速反應進行。
3.1.5 以有機氰化物加速
這類加速劑用來加速亞銅錯鹽的形成，一般也有助于蝕刻因子的提高，不過有機氰根對銅面的結合力太強，稍微過量就會使蝕刻速度下降。
3.2 蝕刻因子
隨著電路板的精密化之發(fā)展趨勢，電路設計越來越密集，孔間要通過兩條或者三條線路，因此蝕刻技術的要求亦愈精細。
3.2.1 懸垂度（over hang）
以V表示，指抗蝕刻層，一般而言就是錫鉛層（無鉛化之后改成純錫層）超出緊接銅層的寬度，也就是說蝕刻過程中，二銅與抗蝕刻層接面被咬蝕進去的量。其造成的主因除了蝕刻方面的因子外，鍍錫（或錫鉛）時的狀態(tài)也有很大的影響。
3.2.2 側(cè)蝕（under-cut）
以Y表示，指最大橫向蝕刻寬度其值越小愈佳。蝕刻深度（etch depth）以X表示，為側(cè)蝕最寬處至基板之厚度。通常最后品質(zhì)檢驗的時候線寬是很重要的因子，制程中其實有很多地方會對銅線路造成侵蝕，因此線寬有可能會不夠，因此設計的時候加入補償值是必要的，而蝕刻段的側(cè)蝕是吃掉線寬的主要因子之一。
3.2.3 蝕刻因子（etch factor）
通常以X/Y表示，與蝕刻液效能、制程設計、操作參數(shù)等因子有關。X/Y函數(shù)值愈大即表示該蝕刻銅液之側(cè)蝕愈小，對于線路品質(zhì)越有幫助。
3.2.4 過蝕度（over etch）
以Z表示，與很多因素有關，不過以目前的技術來說造成的原因主要是底銅的厚度，因為底銅通常比線路難蝕刻，所以其蝕刻速率當然低于線路銅，因此當?shù)足~很厚時，底銅還沒咬完線路銅就已經(jīng)咬超過了。
四、?超細線路蝕刻
4.1超細線路蝕刻之基本特性
這里所提到的超細線路是指線寬線距介于15μm-40μm之間的產(chǎn)品，當然未來有更細的線路量產(chǎn)亦屬此類。
由于積體電路與電子構裝技術的更新，以及電腦與通訊系統(tǒng)的激素發(fā)展，因此電路板技術朝向高密度、細線路（fine line）的方向發(fā)展。由于高密度電路板可提供細線小孔高密度表面構裝之積材基板，能符合電腦資訊電子產(chǎn)品小型化，多功能化，高速化及高I/O數(shù)的需求，并能與filp chip、BGA、CSP與MCM等電子構裝技術相互配合，因此其應用層面更為廣泛。目前已發(fā)展至1min/1min的線寬線距，因此對于蝕刻液的使用而言必須更注重蝕刻品質(zhì)；對于超細線路的生產(chǎn)而言其注重的不是線速極快而是蝕刻因子；我們先以一般的情形來進行一個簡單的試算，如果底銅厚度8μm，假設線路（trace）補償值L/S：50μm/30μm，線路銅全是電鍍銅，底銅除了電鍍銅還有基材銅箔，假設其蝕刻速度比是1.5:1則底銅要咬完線路單邊側(cè)蝕要達到8μm，假設線路補償值L/S：50μm/30μm，線路銅全是電鍍銅，底銅除了電鍍銅還有基材銅箔，假設其蝕刻熟讀比是1.5:1則底銅要咬完線路單邊側(cè)蝕要達到8×1.5=12（μm），所以蝕刻完線路寬度只剩50-（12×2）=26（μm），而線距變成30+（12×2）=54（μm），反之如果側(cè)蝕和底銅蝕刻比是1:1則底銅咬完線路單邊側(cè)蝕也是8μm，最后線寬有34μm而線距有46μm可見得蝕刻因子在超細線路重要性。
4.2 超細線路所需蝕刻液之重要因子
4.2.1 護岸劑（banking agent）或側(cè)蝕抑制劑
護岸劑即是抗腐蝕之抑制劑，在蝕刻過程中，護岸劑通常被使用來降低側(cè)蝕（提高蝕刻品質(zhì)）。護岸劑與側(cè)蝕抑制劑可以是一樣的添加劑，在定義上最大的不同點在于護岸劑對于蝕刻后水洗干凈前的銅面都有保護的功能，而側(cè)蝕抑制劑只在蝕刻反應的前段提供保護。側(cè)蝕添加劑的作用方式乃是在蝕銅反應中產(chǎn)生一層不溶性的鈍化膜，而蝕銅機的噴嘴壓力足以正面沖破此鈍化膜，但對于線路兩側(cè)，則因壓力不足，因次鈍化膜得以繼續(xù)維持，而達到降低側(cè)蝕的目的。護岸劑亦有相同的功能；由以上敘述我們可以知道幾乎沒有差別，因此目前兩者大多統(tǒng)稱為護岸劑，只有在超細線路蝕刻中為求品質(zhì)而將其區(qū)分出來。對于超細線路蝕刻而言護岸劑基本上可以分成兩類：（1）界面抑制劑（2）相面抑制劑
a．?界面抑制劑
界面抑制劑可以直接吸附在金屬表面，抑制劑需通過電雙層達到金屬表面并吸附與金屬表面形成單層吸附為主的保護層，界面抑制劑的分類通常以其反應模式可以分成：
（1）?幾何式抑制劑：藉由抑制劑于金屬表面形成隔絕層使蝕刻藥水無法與金屬表面接觸進而降低金屬被攻擊的幾率與蝕刻速度，這類的抑制劑通常帶氮或硫，因為這兩類的化合物很容易與銅面形成鏈接。
（2）?去金屬活性型抑制劑：目前很少使用于銅金屬蝕刻抑制劑，這類型的抑制劑可以吸附于金屬活性位置，以阻止化學反應的發(fā)生。
（3）?化學反應型抑制劑：此類型的抑制劑除了類似幾何型抑制劑可以形成阻隔層之外，其本身通常具有化學活性，可以參與反應并形成另一種形態(tài)通常是不易溶解形態(tài)。這類型的抑制劑均會與氫離子作用，然后吸附在金屬表面，最終形成高分子覆蓋膜覆蓋于金屬表面之上，并且一直離子到達或離開金屬。
b．?相面抑制劑
相面抑制劑和界面抑制劑最大的不同在于立體結構，通常相面抑制劑是三維結構而界面抑制劑是立體結構，早期的相面抑制劑就是鈍化劑的一種，可以使欲保護之金屬面的腐蝕電位移動到鈍化區(qū)進而使之形成鈍化膜。
只有能證明具有從火星可以轉(zhuǎn)變成鈍化特性的金屬才能跟鈍化劑作用一直腐蝕。鈍化劑常被認知為氧化型抑制劑，其在中性或弱酸性電解液中特別有效。
如同無機抑制劑一般，某些有機抑制劑已被證實能與腐蝕生成物相互結合而造成一直作用。除了上述兩種類型抑制劑功能的一直及，例如BTA。界面抑制劑還能與表面氧化物起作用，進而產(chǎn)生具保護性之聚合物。BTA對銅而言，即具此一抑制行為，表面之氧化銅有助于形成具保護作用之聚合性polymeric triazole film，可表為【Cu（I）BTA】。然而，與界面抑制劑不同，應為三度空間之相面抑制行為。實驗顯示，亞銅或銅離子及/其氧化物會吸附在金屬表面。
4.2.2 底銅厚度
對于超細線路而言由于線路寬度原本就比較窄?；你~的蝕刻速率又低于電鍍銅，因此不論蝕刻因子多好底銅都不能（基材銅加上一銅）都不能太厚，如果底銅超過8μm則光蝕刻段線路寬度的損失就至少12μm以上，因此一般超細線路的底銅總厚度必須控制在5μm以下；由于基材銅具有較電鍍銅（指目前電鍍板業(yè)電鍍常用之參數(shù)所鍍出來的銅）難蝕刻的特性，所以基材銅較厚時容易造成銅毛邊，如果底銅一定要達到某個厚度則一銅的比例應相對提高而基材銅的比例應降低，因此超薄銅箔的使用是在所避免。
4.2.3 蝕刻常見問題
超細線路蝕刻的問題其實和一般蝕刻類似，只是由于線寬很細所以會將各種問題的影響放大；通常單純蝕刻段所造成的問題其實不多，大多是因前制程出狀況而影響蝕刻表現(xiàn)的比例較高，比如說滲鍍、夾膜、結瘤以及顯影不良等問題造成蝕刻結果出狀況。
蝕刻段的問題通常是很多原因加總在一起而造成的，單獨蝕刻造成的問題以殘銅、毛邊以及蝕刻不全為主。
c．?蝕刻不全
蝕刻不全也是常見的狀況，其造成因素墾是設備或是制程問題，常見的原因包括：
（1）?鍍二銅或鍍錫時因為均勻度的關系造成夾膜，由于夾膜不容易靠氫氧化鈉去除，所以到蝕刻槽時會影響蝕刻速度造成蝕刻不全。
（2）?線速不適合，最常見的是同一條線跑不通料號時如果有某一批是底銅特別厚的情形則容易蝕刻不全。
（3）?滲鍍，和夾膜類似知識蝕刻阻劑由干膜改成滲鍍或滲鍍銅。
d．?上下面蝕刻狀態(tài)不同
電路板上下兩面不均的蝕刻狀態(tài)不同主要的原因有下列三種：
（1）?兩面銅后不均尤其是有削薄銅面的情形時
（2）?上下噴壓的設定不良
（3）?噴嘴型式
五、?結論
蝕刻液的使用在電路板制程中是無可避免的，技術也已經(jīng)十分成熟，不過對于產(chǎn)品日新月異的電路板業(yè)界而言，不斷的調(diào)整參數(shù)，微調(diào)制程是必須的。現(xiàn)今的酸性蝕刻已經(jīng)可以達到低酸（無味），高速。堿性蝕刻也已經(jīng)達到接近中性，可制作超細線路（針對BGA載板而言）。
值得一提的是，超細線路的制作必須從底片開始到包括電鍍、貼膜、曝光、顯影等流程甚至噴壓、線速、操作參數(shù)到噴嘴設計等重要的制程設備設計都要配合才能達成，因此需要自藥水供應商到生產(chǎn)、設備、品管等領域協(xié)力才能達成。
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