半導(dǎo)體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設(shè)計(jì)（上）
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在半導(dǎo)體制造中，許多芯片工藝步驟采用光刻技術(shù)，用于這些步驟的圖形“底片”稱為掩膜，其作用是：在硅片上選定的區(qū)域中對(duì)一個(gè)不透明的圖形模板遮蓋，繼而下面的腐蝕或擴(kuò)散將只影響選定的區(qū)域以外的區(qū)域。
↑??掩膜
通常在光罩上形成圖形的基本步驟和硅片相似，一般來說光罩的制作分為數(shù)據(jù)處理部分和工藝制造部分。
↑??光掩膜制作流程
1、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換：將如GDSII版圖格式分層，運(yùn)算，格式轉(zhuǎn)換為光刻設(shè)備所知的數(shù)據(jù)形式；
2、圖形產(chǎn)生：通過電子束或激光進(jìn)行圖形曝光；
3、光阻顯影：曝光多余圖形, 以便進(jìn)行蝕刻；
4、鉻層刻蝕對(duì)鉻層進(jìn)行刻蝕, 保留圖形；
5、去除光阻去除多余光刻膠；
6、尺寸測(cè)量測(cè)量關(guān)鍵尺寸和檢測(cè)圖形定位；
7、初始清洗清洗并檢測(cè)作為準(zhǔn)備；
8、缺陷檢測(cè)檢測(cè)針孔或殘余未蝕刻盡的圖形；
9、缺陷補(bǔ)償對(duì)缺陷進(jìn)行修補(bǔ)；
10、再次清洗清洗為加保護(hù)膜版作準(zhǔn)備；
11、加保護(hù)膜保護(hù)膜加在主體之上, 這防止灰塵的吸附及傷害；
12、最后檢查對(duì)光掩膜作最后檢測(cè)工作, 以確保光罩的正確。