單晶硅片加工工藝主要為：

切斷→外徑滾圓→切片→倒角→研磨→腐蝕、清洗等。

切斷：是指在晶體生長完成后， 沿垂直與晶體生長的方向切去晶體硅頭尾無用的部分，即頭部的籽晶和放肩部分以及尾部的收尾部分。通常利用外圓切割機進行切割。 外圓切割機刀片邊緣為金剛石涂層。

這種切割機的刀片厚，速度快，操作方便；但是刀縫寬，浪費材料，而且硅片表面機械損傷嚴重。目前，也有使用帶式切割機來割斷晶體硅的，尤其適用于大直徑的單晶硅。

外徑滾圓：在直拉單晶硅中，由于晶體生長方時的熱振動，熱沖擊等原因，晶體表面都不是非常平滑的，也就是說整根單晶硅的直徑有一定偏差起伏；而且晶體生長完成后的單晶硅棒表面存在扁平的棱線，需要進一步加工，使得整根單晶硅棒的直徑達到統(tǒng)一，以便于在后續(xù)的材料和加工工藝中操作。

切片：在單晶硅滾圓工序完成后，需要對單晶硅棒切片。太陽電池用單晶硅在切片時，對硅片的晶向，平行度和翹曲度等參數要求不高，只需對硅片的厚度進行控制。

倒角：將單晶硅棒切割成晶片，晶片銳利邊需要休整成圓弧形，主要防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生。

研磨：切片后，在硅片的表面產生線痕，需要通過研磨除去切片所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅的翹曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光處理的過程規(guī)格。

腐蝕、清洗：切片后，硅片表面有機械損傷層，近表面晶體的晶格不完整，而且硅片表面有金屬粒子等雜質污染。因此，一般切片后，在制備太陽能電池前，需要對硅片進行化學腐蝕。 在單晶硅片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是腐蝕后的最終清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。常見清洗的方式主要是傳統(tǒng)的RCA濕式化學清洗技術。