光學(xué)材料的干法刻蝕研究
摘?要：本文對(duì)化學(xué)材料二氧化硅的干法刻蝕工藝進(jìn)行研究，運(yùn)用反應(yīng)離子刻
蝕設(shè)備對(duì)二氧化硅進(jìn)行了刻蝕實(shí)驗(yàn)，通過(guò)對(duì)不同工藝條件下二氧化硅的刻蝕速
率、均勻性等參數(shù)對(duì)比，最終得出了二氧化硅等同類(lèi)光學(xué)材料最佳的干法刻蝕
工藝條件。
關(guān)鍵詞：光學(xué)材料；干法刻蝕；二氧化硅；工藝條件
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1.反應(yīng)離子刻蝕的基本原理分析射頻輝光放電后會(huì)使反應(yīng)氣體被擊穿從而產(chǎn)生刻蝕所需要的等離子體，等離子體中不僅包含正離子和負(fù)離子，同時(shí)也含有可以與刻蝕樣品表面發(fā)生反應(yīng)的游離基和自由電子，這便是反應(yīng)離子刻蝕中應(yīng)用化學(xué)作用進(jìn)行刻蝕的基本原理。而陰離子和陽(yáng)離子在電場(chǎng)作用下可以射向刻蝕樣品的表面，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)刻蝕樣品的物理轟炸，這便是反應(yīng)離子刻蝕中應(yīng)用物理作用的基本原理，而通過(guò)物理作用和化學(xué)作用的結(jié)合便可以完成對(duì)樣品的刻蝕。
2.反應(yīng)離子刻蝕工藝研究?jī)?nèi)容及方法
關(guān)于光學(xué)材料在不同工藝條件下的反應(yīng)離子刻蝕研究，在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中將實(shí)驗(yàn)硅片作為基礎(chǔ)材料，并通過(guò)CVD技術(shù)使實(shí)驗(yàn)硅片生成實(shí)驗(yàn)所需要的二氧化硅層，在一定的沉積工藝條件下保證所制備的二氧化硅薄膜具有實(shí)驗(yàn)所需要的各種性質(zhì)，并保證其致密性、折射率等都可以達(dá)到光學(xué)材料所具備的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)，這樣才能確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果在光學(xué)材料干法刻蝕應(yīng)用中的有效性。二氧化硅膜在滿足標(biāo)準(zhǔn)后要對(duì)其均勻性進(jìn)行檢測(cè)，可以運(yùn)用橢偏儀對(duì)二氧化硅膜的厚度與折射率進(jìn)行測(cè)量，這樣才能使實(shí)驗(yàn)結(jié)果完全可以代表硅片表面在干法刻蝕工藝中的實(shí)際膜厚，對(duì)保證該實(shí)驗(yàn)結(jié)果的合理性、科學(xué)性、準(zhǔn)確性以及有效性有著重要意義。反應(yīng)離子刻蝕工藝實(shí)驗(yàn)過(guò)程中將CHF3作為刻蝕氣體，當(dāng)刻蝕氣體在反應(yīng)室遇到輝光放電會(huì)發(fā)生下列化學(xué)反應(yīng)：CHF3+e-→CHF2++F（游離基）+2e-而在化學(xué)反應(yīng)之后所生成的游離基可以與樣品表面的SiO2發(fā)生以下反應(yīng)：
SiO2+4F→SiF4↑+O2↑
二氧化硅在化學(xué)反應(yīng)中所分解出來(lái)的氧離子會(huì)與CHF2+基團(tuán)發(fā)生反應(yīng)，并可以釋放出多種揮發(fā)性氣體，在刻蝕工藝中需要將這些氣體從反應(yīng)腔體中徹底抽出?？涛g實(shí)驗(yàn)后要對(duì)剩余的二氧化硅膜進(jìn)行再次測(cè)量，通過(guò)與第一次測(cè)量數(shù)據(jù)的對(duì)比便可以通過(guò)定量計(jì)算的方式來(lái)確定刻蝕速率及均勻性等，這也是該實(shí)驗(yàn)最后所需要的研究的各項(xiàng)干法刻蝕參數(shù)。
3.?反應(yīng)離子刻蝕工藝實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析
本文在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中通過(guò)改變反應(yīng)離子刻蝕工藝條件來(lái)獲取實(shí)驗(yàn)結(jié)果，表1是不同氧氣流量下二氧化硅的刻蝕速率及選擇比，基于四次實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)反應(yīng)離子刻蝕工藝條件變化對(duì)刻蝕速率、均勻性等方面的影響進(jìn)行分析。圖1是本文通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)氧氣流量與選擇關(guān)系的分析。
（1）刻蝕氣體流量對(duì)刻蝕效率的影響。通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果我們可以分析出刻蝕氣體流量與樣品刻蝕效率的對(duì)比關(guān)系，在實(shí)驗(yàn)中不斷加大刻蝕氣體流量會(huì)使反應(yīng)氣體濃度不斷上升，從而使二氧化硅在刻蝕過(guò)程中表面受到的化學(xué)作用和物理作用更加充分，這在很大程度上提高了樣品的整體刻蝕效率，但隨著氣體流量逐漸接近飽和狀態(tài)，真正參與化學(xué)作用和物理作用的氣體十分有限，這樣便會(huì)導(dǎo)致樣品在刻蝕過(guò)程中的刻蝕效率受到很大限制。如果氣體流量在氣體達(dá)到飽和狀態(tài)后依舊增加，這樣會(huì)使反應(yīng)離子之間的碰撞更加激烈，離子碰撞會(huì)消耗其自身一定的能量，而這會(huì)在很大程度上削弱離子的物理作用，從而導(dǎo)致樣品在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的刻蝕效率受到很大削弱，所以，接近飽和狀態(tài)的氣體流量是最佳工藝條件，其對(duì)提高刻蝕效率、節(jié)約氣體資源有著重要作用。
（2）溫度和氣體壓強(qiáng)對(duì)刻蝕效率的影響。光學(xué)材料在干法刻蝕過(guò)程中，由于化學(xué)作用和物理作用，會(huì)使粒子在相互碰撞及撞擊樣品表面的過(guò)程中產(chǎn)生一定的熱量，而熱量過(guò)高則會(huì)導(dǎo)致二氧化硅樣品表面受到損傷，因此，反應(yīng)離子刻蝕過(guò)程中需要通過(guò)冷卻系統(tǒng)來(lái)對(duì)樣品表面溫度進(jìn)行控制，在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中對(duì)二氧化硅樣品進(jìn)行溫度控制不會(huì)對(duì)刻蝕效率產(chǎn)生影響，或者是溫度變化對(duì)二氧化硅表面的刻蝕效率有著很小的影響。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，將射頻功率和氣體流量控制在穩(wěn)定條件下，逐漸增大氣體壓強(qiáng)，并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，發(fā)現(xiàn)當(dāng)氣體壓強(qiáng)逐漸升高的時(shí)候刻蝕效率會(huì)有很大提升，這是因?yàn)闅怏w壓強(qiáng)的增加會(huì)使反應(yīng)室中的反應(yīng)氣體的濃度也隨之增加，這樣便在很大程度上提高了化學(xué)反應(yīng)的效率，從而使二氧化硅樣品表面的整體刻蝕效率也有很大提升，但是在氣體壓強(qiáng)增加到一定程度時(shí)會(huì)使反應(yīng)離子接近或達(dá)到飽和狀態(tài)，此時(shí)如果繼續(xù)增大氣體壓強(qiáng)則會(huì)加速粒子之間的碰撞使其能量被消耗，很大程度上限制刻蝕效率。
4.結(jié)語(yǔ)
通過(guò)光學(xué)材料的干法刻蝕實(shí)驗(yàn)，我們可以證明射頻功率、反應(yīng)氣壓、氣流量以及樣品冷卻溫度等因素在光學(xué)材料的干法刻蝕過(guò)程中都會(huì)對(duì)其刻蝕速率及均勻性產(chǎn)生一定影響，所以在光學(xué)材料干法刻蝕工藝中，我們可以通過(guò)控制上述幾個(gè)因素，通過(guò)改變刻蝕工藝條件來(lái)將刻蝕速率與均勻性控制在最佳水平。
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