同刻蝕一樣，干法等離子體工藝也可用于光刻膠去除。將晶圓放置于反應(yīng)室中．并通入氧氣。等離子體場(chǎng)把氧氣激發(fā)到高能狀態(tài)，因而將光刻跤成分氧化為氣體由真空泵從反應(yīng)室吸走。術(shù)語(yǔ)灰化（ashlng〕用來(lái)說(shuō)明那些設(shè)計(jì)成用來(lái)只去除有機(jī)殘留物的等離子體工藝。等離子去除需要去除有機(jī)和無(wú)機(jī)兩種殘留物的工藝。在干法去除機(jī)中，等離子體由微波，射頻和UV臭氧源共同作用產(chǎn)生。
等離子體光刻膠去除的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了液體槽和對(duì)化學(xué)品的操作。缺點(diǎn)是對(duì)于金屬離子的去除沒(méi)有效果。在等離子體場(chǎng)中沒(méi)有足夠的能量使金屬離子揮發(fā)。需要對(duì)等離子體去膠的另一個(gè)考慮是高能等離子體場(chǎng)對(duì)電路的輻射損傷。采用將等離子體發(fā)生室從去除反應(yīng)室移開(kāi)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)減小這個(gè)問(wèn)題。因而稱其為下游去除機(jī)（downstream strip，這是因?yàn)榈入x子體在晶的下游產(chǎn)生。MOS晶圓在去膠中對(duì)輻射影響更加敏感。
工業(yè)對(duì)干法等離子體工藝取代濕法去除期待已久。然而，氧等離子體不能去除移動(dòng)離子的僉屬污染．并且有一定程度的金屬殘留和輻射損傷，這使得濕法去除或濕法/于法結(jié)合繼續(xù)保持著光刻膠去除工藝的主流。等離子體去除被用于硬化的光刻般層，然后以濕法來(lái)去除未被等離子體去掉的殘留物。有專門的濕法去膠機(jī)處理這些硬化的光刻膠層。
兩個(gè)有問(wèn)題的地方是離子注人后光刻膠的去除和等離子體去除之后，離子注人導(dǎo)致強(qiáng)烈的光刻膠聚合并使表層崆化。一般地，用十法工藝來(lái)去除或減少光刻膠，然后再加以濕法上藝。等離子體刻蝕后的光刻餃層同樣難以去除。另外，刻蝕可留下殘留物，如AlCl3,和／或AlBr3?它們與水或空氣反應(yīng)形成混合物腐蝕金連線。低溫等離子體可在這些有害混合物生成腐蝕性化學(xué)物前將其去除。另一種途徑是在等離子體環(huán)境中加人鹵元素把不可溶解的金屬氧化物降至最低。這是設(shè)置工藝參數(shù)來(lái)完成高效處理（光刻膠去除）而又不引人晶圓表面損傷或金屬腐蝕的另一種情況。
最終目檢
在基本的光璽工藝中最終步驤是目檢。實(shí)際上與顯影目檢是一樣的規(guī)程．只是大多數(shù)的拒收是無(wú)法挽回的（不能進(jìn)行重新工藝處理)-
一個(gè)例外是受到污染的品劌可能會(huì)被重新清洗并重新目檢。最終目檢證明送到下一步晶員的質(zhì)量，并充當(dāng)顯影目檢有效性的一個(gè)檢驗(yàn)。在顯影目檢中本應(yīng)該已被區(qū)分，并從本批中拿出的晶稱為“顯影目檢漏檢”(developinspectescape)。
晶圓在人射白光或紫外線下首先接受表面目檢，以檢查污點(diǎn)和大的微粒污染。之后是顯微鏡檢驗(yàn)或自動(dòng)檢驗(yàn)來(lái)檢驗(yàn)缺陷和圖形畸變。對(duì)于特定層淹模版的關(guān)腱尺寸的洮量也是最終目檢的一部分。主要針對(duì)的是刻蝕過(guò)的圖形質(zhì)量，欠刻蝕和鉆蝕是兩個(gè)核心參數(shù)。有很多最終目檢中一系列在最終檢驗(yàn)中被拒收晶圓的拒收原因。
掩模版制作
之前我們?cè)敿?xì)說(shuō)明了電路設(shè)計(jì)步驟。本章對(duì)用于制成掩模版使用的工藝加以了解。最初淹模版由涂上感光乳劑的玻璃板制成。感光乳劑與在照相機(jī)膠卷中使用的感光材料相似。這些掩模版容易劃傷，在使用中變質(zhì)，且不能分辨3以下圖形“現(xiàn)代最常使用的掩模版使用玻璃涂敷鉻技術(shù)。這種掩模版制作技術(shù)幾乎與晶罷一圖形復(fù)制操作一致（參見(jiàn)圖9．30）。實(shí)際上目標(biāo)是相同的。在玻璃掩模版表面的鍺薄膜上形成一個(gè)圖形。首選的模版制作材料是硼硅酸鹽玻璃或石英，它們有良好的尺寸穩(wěn)定性和罎光波長(zhǎng)的傳播性能。鉻涂層的厚度在1000埃的范圍內(nèi)，用濺射法淀積在玻璃上。先進(jìn)的掩版使用鉻、鉻氧化物、鉻氮化物渡層”。
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掩模版/放大的庵模版制作依據(jù)最初的曝光方法（圖形產(chǎn)生，激光，電子束）和最后的結(jié)果（放大的掩模版或掩模版）有許多不同的方法。有一種使用圖形發(fā)生器的方法制作掩模版的工藝，這是一個(gè)較老的技術(shù)方法。圖形發(fā)生器由一個(gè)光源和一系列的電機(jī)驅(qū)動(dòng)的快門。帶有光刻膠的鍍鉻掩模版/放大的掩模版在光源下隨著快門的打開(kāi)而移動(dòng)，來(lái)使光形成的精確圖形照射到光刻餃上產(chǎn)生預(yù)期的圖形。放大的掩模版圖形以一種步進(jìn)一重復(fù)的工藝被轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的空白掩模版來(lái)形成一一個(gè)母版。母版用來(lái)在一個(gè)接觸復(fù)印機(jī)上制作多重工作掩模版。這種設(shè)備將母版與涂有光刻膠的空白掩模版接觸并有一個(gè)用于圖形復(fù)制的UV光源。每個(gè)曝光步驟完成后（圖形產(chǎn)生，激光、電子束．母版曝光和接觸復(fù)印).放大的淹模版/掩模版通過(guò)顯影．目檢，刻蝕．去光刻膠和目檢而最終把圖形永久地復(fù)制到鍍鉻層上。目檢十分關(guān)，因?yàn)槿魏沃焯綔y(cè)到的錯(cuò)誤或缺陷將會(huì)潛在造成數(shù)千個(gè)晶圓報(bào)廢。這種用途的放大的掩模版一般是在光刻掩模版上的最終鍍鉻的5-20倍。
具有非常小幾何形狀并有很窄定位裕度的高端產(chǎn)品要求高質(zhì)量的放大的淹模版和/或掩模版。用于這種工藝中的放大的掩模版和淹模版是由激光或電子束直接曝光寫(xiě)人方式而制成的（A流程和B流程）。激光曝光使用波長(zhǎng)364 nm的I線系統(tǒng)。它可使用標(biāo)準(zhǔn)的光學(xué)光膠并且比電子束曝光更快。用一個(gè)聲波一光學(xué)調(diào)制器〔AOM）“控制貞接寫(xiě)人激光源的開(kāi)和關(guān)。在所有這些情況中，放大的掩模版或掩模版被加工處理，以在其鍍鉻層上刻蝕出圖形。
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也可以用其他的掩模版／放大的掩模版工藝流程。在A流程中的放大的掩模版可以用激光/電子束制作，或母版可以用激光/電子束制作。VLSI和ULSI級(jí)的電路實(shí)際上要求無(wú)缺陷及尺寸上完美的掩模版和放大的淹模版。從各個(gè)方面上的關(guān)鍵尺寸（CD）裕度為10％或更好，留給放大的掩模版4％的錯(cuò)誤余量。有一些方法用激光“跳過(guò)”的技術(shù)來(lái)消除不期望的鉻點(diǎn)和圖形伸出。對(duì)于小圖形的掩模版和放大的掩模版，聚焦離子束（FIB）是通常首選的修復(fù)技術(shù)。沒(méi)有或部分圖形丟失可用碳沉積的方法來(lái)填補(bǔ)。不透明的或不想要的鉻區(qū)域以離子束濺射來(lái)去除。
對(duì)于VLSI和ULSI,分辨率和對(duì)準(zhǔn)要求非常嚴(yán)格。在1977年，最小特征圖形尺寸是3um。到了20世紀(jì)80年代中期，突破了1 um障礙。20世紀(jì)年代0．5 um已很普遍，并有0．35um的技術(shù)計(jì)劃用于生產(chǎn)電路。電路設(shè)計(jì)的預(yù)期要求在2016年最小柵條尺寸是10-15nm。
芯片制造商對(duì)于每個(gè)電路產(chǎn)品計(jì)算要有幾個(gè)預(yù)留量。關(guān)踺尺寸（CD）預(yù)留量是計(jì)算晶員表面形尺寸可允許的變化量。對(duì)于亞微米最小特征圖形尺寸的產(chǎn)品，CD的余量是10%-15%。另外一個(gè)關(guān)注是相對(duì)于最小特證圖形尺寸的關(guān)鍵缺陷尺寸。這兩個(gè)參數(shù)被一起放在一個(gè)為產(chǎn)品計(jì)算好的誤差預(yù)留量中。套準(zhǔn)（overlay）預(yù)留量是整套掩模版可允許的累計(jì)定位誤差。一個(gè)單憑經(jīng)驗(yàn)的方法是微米或亞微米特征尺寸的電路必須符合最小特征三分之一的標(biāo)注公差。0.35um的產(chǎn)品，允許的套準(zhǔn)預(yù)留量大約是0.1um。
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