1.1寬禁帶半導(dǎo)體的概念和發(fā)展
寬禁帶半導(dǎo)體（WBS）是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
第二代半導(dǎo)體GaAs與Si相比除了禁帶寬度增大外，其電子遷移率與電子飽和速度分別是Si的6倍和2倍，因此其器件更適合高頻工作。GaAs場(chǎng)效應(yīng)管器件還具有噪聲低、效率高和線性度好的特點(diǎn)但相比第三代半導(dǎo)體GaN和SiC，它的熱導(dǎo)率和擊穿電場(chǎng)都不高，因此它的功率特性方面的表現(xiàn)不足。為了滿足無(wú)線通信、雷達(dá)等應(yīng)用對(duì)高頻率、寬禁帶、高效率、大功率器件的需要從二十世紀(jì)九十年代初開(kāi)始，化合物半導(dǎo)體電子器件的研究重心開(kāi)始轉(zhuǎn)向?qū)捊麕О雽?dǎo)體。
我們一般把禁帶寬度大于2eV的半導(dǎo)體稱為寬禁帶半導(dǎo)體。寬禁帶半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)，在高溫、高頻、大功率、光電子及抗輻射等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。
1.2主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料
近年來(lái)，發(fā)展較好的寬禁帶半導(dǎo)體材料主要是SiC和GaN，其中SiC的發(fā)展更早一些，碳化硅、氮化鎵、硅以及砷化鎵的一些參數(shù)如下圖所示：
如上圖所示，SiC和GaN的禁帶寬度遠(yuǎn)大于Si和GaAs，相應(yīng)的本征載流子濃度小于硅和砷化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體的最高工作溫度要高于第一、第二代半導(dǎo)體材料。擊穿場(chǎng)強(qiáng)和飽和熱導(dǎo)率也遠(yuǎn)大于硅和砷化鎵。
2.1SiC材料
純碳化硅是無(wú)色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)?/span>α-SiC。
SiC是IV-IV族二元化合物半導(dǎo)體，也是周期表IV族元素中唯一的一種固態(tài)化合物。構(gòu)成元素是Si和C，每種原子被四個(gè)異種原子所包圍,形成四面體單元(圖25a)。原子間通過(guò)定向的強(qiáng)四面體SP3鍵(圖25b)結(jié)合在一起，并有一定程度的極化。SiC具有很強(qiáng)的離子共價(jià)鍵，離子性對(duì)鍵合的貢獻(xiàn)約占12%,決定了它是一種結(jié)合穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。SiC具有很高的德拜溫度，達(dá)到1200-1430K,決定了該材料對(duì)于各種外界作用的穩(wěn)定性，在力學(xué)、化學(xué)方面有優(yōu)越的技術(shù)特性。它的多型結(jié)構(gòu)如圖所示：
碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機(jī)葉輪或汽缸體的壁，可提高其耐磨性而延長(zhǎng)使用壽命1～2倍；用以制成的高級(jí)耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強(qiáng)度高，節(jié)能效果好。低品級(jí)碳化硅（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快煉鋼速度，并便于控制化學(xué)成分，提高鋼的質(zhì)量。此外，碳化硅還大量用于制作電熱元件硅碳棒。
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí)，僅次于世界上最硬的金剛石（10級(jí)），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體，高溫時(shí)能抗氧化。
2.2GaN材料
GaN是一種極穩(wěn)定，堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃。GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大氣壓下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。它在一個(gè)晶胞中有4個(gè)原子。因?yàn)槠溆捕雀?，又可以作為良好的涂層保護(hù)材料。
在室溫下，GaN不溶于水、酸和堿，而在熱的堿溶液中溶解速度又非常緩慢。但是NaOH、H2SO4和H3PO4能較快地腐蝕質(zhì)量差的GaN，這種方法可以用來(lái)檢測(cè)質(zhì)量不高的GaN晶體。GaN在HCL或H2氣氛高溫下呈現(xiàn)不穩(wěn)定特性，而在N2氣下最為穩(wěn)定。GaN基材料是直接躍遷型半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的光學(xué)性能,可作出高效率的發(fā)光器件,GaN基LED的發(fā)光波長(zhǎng)圍可從紫外到綠色光
Ⅲ族氮化物主要包括GaN、ALN、InN、ALInN、GaInN、ALInN和ALGaInN等，其禁帶寬度覆蓋了紅、黃、綠、藍(lán)、紫和紫外光譜圍。GaN是Ⅲ族氮化物中的基本材料，也是目前研究最多的Ⅲ族氮化物材料。GaN的電學(xué)性質(zhì)是決定器件性能的主要因素。目前GaN的電子室溫遷移率可以達(dá)到900cm2/（V*s）。GaN材料所具有的禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、電子飽和速度高是制作高溫、大功率器件的最佳材料。
氮化物半導(dǎo)體材料存在六方纖鋅礦和立方閃鋅礦兩種不同的晶體結(jié)構(gòu)，如氮化鎵的結(jié)構(gòu)下圖所示：
晶體結(jié)構(gòu)的形成主要由晶體的離子性決定，氮化物的離子性強(qiáng)，所以纖鋅礦是氮化鎵的常見(jiàn)結(jié)構(gòu)，閃鋅礦結(jié)構(gòu)是亞穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)。
GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。調(diào)制摻雜的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)具有高的電子遷移率(2000cm2/v·s)、高的飽和速度(1×107cm/s)、較低的介電常數(shù)，是制作微波器件的優(yōu)先材料；GaN較寬的禁帶寬度(3.4eV)及藍(lán)寶石等材料作襯底，散熱性能好，有利于器件在大功率條件下工作。
對(duì)于GaN材料，長(zhǎng)期以來(lái)還有襯底單晶，異質(zhì)外延缺陷密度相當(dāng)高等問(wèn)題還沒(méi)有解決，但是GaN半導(dǎo)體器件的水平已可實(shí)用化。InGaN系合金的生成，InGaN/AlGaN雙質(zhì)結(jié)LED，InGaN單量子阱LED，InGaN多量子阱LED等相繼開(kāi)發(fā)成功。InGaN與AlGaP、AlGaAs系紅色LED組合形成亮亮度全色顯示。這樣三原色混成的白色光光源也打開(kāi)新的應(yīng)用領(lǐng)域,以高可靠、長(zhǎng)壽命LED為特征的時(shí)代就會(huì)到來(lái)。日光燈和電燈泡都將會(huì)被LED所替代。LED將成為主導(dǎo)產(chǎn)品，GaN晶體管也將隨材料生長(zhǎng)和器件工藝的發(fā)展而迅猛發(fā)展，成為新一代高溫度頻大功率器件。
3.1寬禁帶半導(dǎo)體的工藝
氧化工藝
SiC的氧化層與硅器件制作中的SiO2具有十分相似的作用，例如氧化層作為工藝過(guò)程的掩膜，用作金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)的絕緣層、作為器件表面的電學(xué)鈍化層等。外延生長(zhǎng)前的氧化過(guò)程還可以除去SiC襯底上的拋光損傷。由于SiC可以被氧化成SiO2，因此器件制作中可以與成熟的硅器件平面工藝相兼容。實(shí)現(xiàn)熱氧化不需要特殊的不同于在硅上獲得SiO2時(shí)所利用的工藝設(shè)備，它們的區(qū)別僅僅是碳化硅的氧化速度明顯減少，采用干氧氧化和濕氧氧化進(jìn)行熱氧化，還可以在N2O中獲得SiO2，可使用氮化物或氮氧化物絕緣體應(yīng)用于高溫器件。
熱氧化法主要包括干氧氧化和濕氧氧化，干氧氧化：Si+O2→SiO2，它的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)致密、干燥、均勻性和重復(fù)性好，掩蔽能力強(qiáng)，與光刻膠黏附性好，也是一種理想的鈍化膜。高質(zhì)量SiO2薄膜如MOS柵氧化層一般都采用此法制備。濕氧氧化：氧化劑是通過(guò)高純水（一般被加熱到950C左右）的氧氣，既有氧又有水。氧化速度介于干氧和水汽氧化之間，具體與氧氣流量、水汽含量等有關(guān)也可用惰性氣體（氮?dú)饣驓鍤猓y帶水汽進(jìn)行氧化熱氧化的優(yōu)點(diǎn)：質(zhì)量好，表面態(tài)密度小，可很好控制界面陷阱和固定電荷，性質(zhì)不太受濕度和中等熱處理溫度的影響，因此是集成電路中最重要的制備SiO2方法。
3.2光刻
光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)，最早的構(gòu)想來(lái)源于印刷技術(shù)中的照相制版。它的概念是將掩模版上的圖形（電路結(jié)構(gòu)）“臨時(shí)”（嵌套式）轉(zhuǎn)移到硅片上的過(guò)程。光刻技術(shù)在半導(dǎo)體器件制造中的應(yīng)用最早可追溯到1958年，實(shí)現(xiàn)了平面晶體管的制作。光刻工藝的成本在整個(gè)IC芯片加工成本中幾乎占三分之一，IC集成度的提高，主要?dú)w功用于光刻技術(shù)的進(jìn)步。
集成電路中對(duì)光刻的基本要求：
（1）高分辯率。通常把線寬作為光刻水平的標(biāo)志，也用加工圖形線寬的能力來(lái)代表IC的工藝水平。
（2）高靈敏度的光刻膠（指膠的感光速度）。為了提高IC產(chǎn)量，希望曝光時(shí)間越短越好。
（3）低缺陷。在光刻中引入的缺陷的影響比其它工藝更嚴(yán)重，比如重復(fù)導(dǎo)致多數(shù)片子都變壞。
（4）精密的套刻對(duì)準(zhǔn)。允許的套刻誤差為線寬的10%。
（5）對(duì)大尺寸硅片的加工。在大尺寸硅片上滿足上述光刻要求的難度更大。
光刻工藝的主要步驟圖如下：
光刻的主要步驟：
（1）涂膠（甩膠）：在硅片表面形成厚度均勻、附著性強(qiáng)、沒(méi)有缺陷的光刻膠薄膜。之前需要脫水烘焙，并且涂上HMDS或TMSDEA用以增加光刻膠與硅片表面的附著能力
（2）前烘：去溶劑，減少灰塵污染，保持曝光精確度，減少顯影溶解致厚度損失，減輕高速旋轉(zhuǎn)致薄膜應(yīng)力。由于前烘，光刻膠的厚度會(huì)減薄10%~20%
（3）曝光：光刻膠通過(guò)掩模曝光，以正膠為例，感光劑DQ受光變?yōu)橐蚁┩?，再變?yōu)轸人幔ㄒ兹苡趬A液）
（4）顯影：正膠的曝光區(qū)和負(fù)膠的非曝光區(qū)在顯影液中溶解，使曝光后光刻膠層中形成的潛在圖形顯現(xiàn)出來(lái)。圖形檢查，不合格的返工，用丙酮去膠
（5）堅(jiān)膜：高溫處理過(guò)程，除去光刻膠中的剩余溶液，增加附著力，提高抗蝕能力。堅(jiān)膜溫度（光刻膠玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度）高于前烘和曝光后烘烤溫度，在這個(gè)溫度下，光刻膠將軟化，表面在表面力的作用下而圓滑化，減少光刻膠層中的缺陷，并修正光刻膠圖形的邊緣輪廓
（6）刻蝕或注入
（7）去膠：將光刻膠從硅片的表面除去，包括干法去膠和濕法去膠。干法去膠就是用等離子體（如氧等離子體）將光刻膠剝除。濕法去膠又分為有機(jī)溶劑（常用丙酮）去膠和無(wú)機(jī)溶劑（如H2SO4和H2O2）去膠，而金屬化后必須用有機(jī)溶劑去膠。干法去膠和濕法去膠經(jīng)常搭配進(jìn)行。
以在SiO2氧化膜上光刻為例，如下圖，首先在有SiO2覆蓋的硅片表面涂布一層對(duì)紫外光敏感材料，這種材料是一種液態(tài)物質(zhì)叫做光刻膠。將少量液態(tài)光刻膠滴在硅片上，再經(jīng)過(guò)高速旋轉(zhuǎn)后，則在硅片表面形成一層均勻的光刻膠薄膜。甩膠之后，在較低的溫度(80oC-100oC)下進(jìn)行一定時(shí)間烘焙，其目的是，使光刻膠中的溶劑揮發(fā)，從而改善光刻膠與表面的粘附性。硬化后的光刻膠與照像所使用的感光膠相似。
接下來(lái)用UV光通過(guò)掩模版的透光區(qū)使光刻膠曝光，如圖（b）所示。掩模版是預(yù)先制備的玻璃或石英版，其上復(fù)制有需要轉(zhuǎn)移到SiO2薄膜上的圖形。掩模版的暗區(qū)可以阻擋UV光線通過(guò)。曝光區(qū)域中的光刻膠會(huì)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)的類型與光刻膠的種類有關(guān)。對(duì)于負(fù)性光刻膠，在經(jīng)過(guò)光照的區(qū)域會(huì)發(fā)生聚合反應(yīng)，變得難以去除。浸入顯影劑之后，曝光區(qū)域發(fā)生聚合反應(yīng)的負(fù)膠保留下來(lái)，而沒(méi)有曝光的區(qū)域的負(fù)膠被分解掉，溶于顯影液中。經(jīng)過(guò)顯影之后的負(fù)膠圖形如圖（c）的右圖所示。正性光刻膠中含有大量的感光劑，可以顯著地抑制正膠在堿性顯影液中的溶解速度。經(jīng)過(guò)曝光之后，感光劑發(fā)生分解，使得曝光區(qū)域的正
膠被優(yōu)先除去，其效果如圖（c）的左圖所示。從應(yīng)用的過(guò)程來(lái)看，負(fù)膠在早期的IC工藝中廣泛應(yīng)用。現(xiàn)在正膠的應(yīng)用已經(jīng)成為主流，因?yàn)檎z可以提供更好的圖形控制。
對(duì)準(zhǔn)方法：
（1）預(yù)對(duì)準(zhǔn)，通過(guò)硅片上的notch或者flat進(jìn)行激光自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)；
（2）通過(guò)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志（AlignMark），位于切割槽（ScribeLine）上。另外層間對(duì)準(zhǔn)，即套刻精度（Overlay），保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對(duì)準(zhǔn)。曝光中最重要的兩個(gè)參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距調(diào)整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現(xiàn)為圖形的關(guān)鍵尺寸超出要求的圍。
曝光方法：
（1）接觸式曝光（ContactPrinting）。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來(lái)的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng)，設(shè)備簡(jiǎn)單。缺點(diǎn)：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。
（2）接近式曝光（ProximityPrinting）。掩膜板與光刻膠層的略微分開(kāi)，大約為10～50μm?？梢员苊馀c光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時(shí)引入了衍射效應(yīng)，降低了分辨率。1970后適用，但是其最大分辨率僅為2～4μm。
（3）投影式曝光（ProjectionPrinting）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會(huì)以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點(diǎn)：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。
投影式曝光分類：
掃描投影曝光（ScanningProjectPrinting）。70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸步進(jìn)重復(fù)投影曝光（Stepping-repeatingProjectPrinting或稱作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（Iline）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區(qū)域（ExposureField）22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區(qū)域）。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。掃描步進(jìn)投影曝光（Scanning-SteppingProjectPrinting）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區(qū)域（ExposureField）26×33mm。優(yōu)點(diǎn)：增大了每次曝光的視場(chǎng)；提供硅片表面不平整的補(bǔ)償；提高整個(gè)硅片的尺寸均勻性。但是，同時(shí)因?yàn)樾枰聪蜻\(yùn)動(dòng)，增加了機(jī)械系統(tǒng)的精度要求。
在曝光過(guò)程中，需要對(duì)不同的參數(shù)和可能缺陷進(jìn)行跟蹤和控制，會(huì)用到檢測(cè)控制芯片/控片（MonitorChip）。根據(jù)不同的檢測(cè)控制對(duì)象，可以分為以下幾種：
（1）顆?？仄?/span>ParticleMC）：用于芯片上微小顆粒的監(jiān)控，使用前其顆粒數(shù)應(yīng)小于10顆；
（2）卡盤顆?？仄?/span>ChuckParticleMC）：測(cè)試光刻機(jī)上的卡盤平坦度的專用芯片，其平坦度要求非常高；
（3）焦距控片（FocusMC）：作為光刻機(jī)監(jiān)控焦距監(jiān)控；
（4）關(guān)鍵尺寸控片（CriticalDimensionMC）：用于光刻區(qū)關(guān)鍵尺寸穩(wěn)定性的監(jiān)控；
（5）光刻膠厚度控片（PhotoResistThicknessMC）：光刻膠厚度測(cè)量；
（6）光刻缺陷控片（PDM，PhotoDefectMonitor）：光刻膠缺陷監(jiān)控。舉例：0.18μm的CMOS掃描步進(jìn)光刻工藝。
光源：KrF氟化氪DUV光源（248nm）；數(shù)值孔徑NA：0.6～0.7；焦深DOF：0.7μm分辨率Resolution：0.18～0.25μm（一般采用了偏軸照明OAI_Off-AxisIllumination和相移掩膜板技術(shù)PSM_PhaseShiftMask增強(qiáng)）；套刻精度Overlay：65nm；產(chǎn)能Throughput：30～60wafers/hour（200mm）；視場(chǎng)尺寸FieldSize：25×32mm；
顯影方法：
（1）整盒硅片浸沒(méi)式顯影（BatchDevelopment）。缺點(diǎn)：顯影液消耗很大；顯影的均勻性差；
（2）連續(xù)噴霧顯影（ContinuousSprayDevelopment）。
自動(dòng)旋轉(zhuǎn)顯影（Auto-rotationDevelopment）。一個(gè)或多個(gè)噴嘴噴灑顯影液在硅片表面，同時(shí)硅片低速旋轉(zhuǎn)（100～500rpm）。噴嘴噴霧模式和硅片旋轉(zhuǎn)速度是實(shí)現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復(fù)性的關(guān)鍵調(diào)節(jié)參數(shù)。
（3）水坑（旋覆浸沒(méi)）式顯影（PuddleDevelopment）。
噴覆足夠（不能太多，最小化背面濕度）的顯影液到硅片表面，并形成水坑形狀（顯影液的流動(dòng)保持較低，以減少邊緣顯影速率的變化）。硅片固定或慢慢旋轉(zhuǎn)。一般采用多次旋覆顯影液：第一次涂覆、保持10～30秒、去除；第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗（去除硅片兩面的所有化學(xué)品）并旋轉(zhuǎn)甩干。優(yōu)點(diǎn)：顯影液用量少；硅片顯影均勻；最小化了溫度梯度。
顯影液：
（1）正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因?yàn)闀?huì)帶來(lái)可動(dòng)離子污染（MIC，MovableIonContamination），所以在IC制造中一般不用。最普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26，溫度15～250C）。在I線光刻膠曝光中會(huì)生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒(méi)有影響；在化學(xué)放大光刻膠（CAR，ChemicalAmplifiedResist）中包含的酚醛樹(shù)脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產(chǎn)生的酸會(huì)去除PHS中的保護(hù)基團(tuán)（t-BOC），從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中。整個(gè)顯影過(guò)程中，TMAH沒(méi)有同PHS發(fā)生反應(yīng)。
（2）負(fù)性光刻膠的顯影液。顯影液為二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、
三氯乙烯。
顯影中的常見(jiàn)問(wèn)題：
（1）顯影不完全（IncompleteDevelopment）。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成；
（2）顯影不夠（UnderDevelopment）。顯影的側(cè)壁不垂直，由顯影時(shí)間不足造成；
（3）過(guò)度顯影（OverDevelopment）?？拷砻娴墓饪棠z被顯影液過(guò)度溶解，形成臺(tái)階。顯影時(shí)間太長(zhǎng)。
3.3刻蝕
刻蝕是指用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。刻蝕的基本目的，是在涂膠(或有掩膜)的硅片上正確的復(fù)制出掩膜圖形。通常是在光刻工藝之后進(jìn)行。我們通常通過(guò)刻蝕，在光刻工藝之后，將想要的圖形留在硅片上。從這一角度而言，刻蝕可以被稱之為最終的和最主要的圖形轉(zhuǎn)移工藝步驟。在通常的刻蝕過(guò)程中，有圖形的光刻膠層〔或掩膜層)將不受到腐蝕源顯著的侵蝕或刻蝕，可作為掩蔽膜，保護(hù)硅片上的部分特殊區(qū)域，而未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域，則被選擇性的刻蝕掉。
在半導(dǎo)體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。
干法刻蝕，是利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，通過(guò)經(jīng)光刻而開(kāi)出的掩蔽層窗口，與暴露于等離子體中的硅片行物理和化學(xué)反應(yīng)，刻蝕掉硅片上暴露的表面材料的一種工藝技術(shù)法。該工藝技術(shù)的突出優(yōu)點(diǎn)在于，可以獲得極其精確的特征圖形。超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，要求微細(xì)化加工工藝能夠嚴(yán)格的控制加工尺寸，要求在硅片上完成極其精確的圖形轉(zhuǎn)移。任何偏離工藝要求的圖形或尺寸，都可能直接影響產(chǎn)品性能或品質(zhì)，給生產(chǎn)帶來(lái)無(wú)法彌補(bǔ)的損害。由于干法刻蝕技術(shù)在圖形軼移上的突出表現(xiàn)，己成為亞微米尺寸下器件刻蝕的最主要工藝方法。在特征圖形的制作上，已基本取代了濕法腐蝕技術(shù)。
對(duì)于濕法腐蝕，就是用液體化學(xué)試劑(如酸、堿和溶劑等)以化學(xué)的方式去除硅片表面的材料。當(dāng)然，在通過(guò)濕法腐蝕獲得特征圖形時(shí)，也要通過(guò)經(jīng)光刻開(kāi)出的掩膜層窗口，腐蝕掉露出的表面材料。但從控制圖形形狀和尺寸的準(zhǔn)確性角度而言，在形成特征圖形方面，濕法腐蝕一般只被用于尺寸較大的情況(大于3微米)。由于這一特點(diǎn)，濕法腐蝕遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有干法刻蝕的應(yīng)用廣泛。但由于它的高選擇比和批量制作模式，濕法腐蝕仍被廣泛應(yīng)用在腐蝕層間膜、去除干法刻蝕殘留物和顆粒等工藝步驟中。