1前言
等離子清洗技術(shù)被廣泛應(yīng)用于電子、生物醫(yī)藥、珠寶制作、紡織等眾多行業(yè)，由于各個行業(yè)的特殊性，需要針對行業(yè)需要，采用不同的設(shè)備及工藝。在電子封裝行業(yè)中，使用等離子清洗技術(shù)，目的是增強焊線/焊球的焊接質(zhì)量及芯片與環(huán)氧樹脂塑封材料之間的粘結(jié)強度。為了更好地達(dá)到等離子清洗的效果，需要了解設(shè)備的工作原理與構(gòu)造，根據(jù)封裝工藝，設(shè)計可行的等離子清洗料盒及工藝。
等離子清洗的工作原理是通過將注入氣體激發(fā)成等離子體，等離子體由電子、離子、自由基、光子以及其他中性粒子組成。由于等離子體中的電子、離子和自由基等活性粒子存在，其本身容易與固體表面發(fā)生反應(yīng)。反應(yīng)類型可以分為物理反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)，物理反應(yīng)主要是以轟擊的形式使污染物脫離表面，從而被氣體帶走；化學(xué)反應(yīng)是活性粒子與污染物發(fā)生反應(yīng)，生成易揮發(fā)物質(zhì)再被帶走[1]。在實際使用過程中，通常使用Ar氣來進(jìn)行物理反應(yīng)，使用O2或者H2來進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)原理示意圖如圖1所示。
等離子清洗的效果通常用滴水實驗來直觀反應(yīng)，如圖2所示，等離子清洗前接觸角約為56°，等離子清洗后表面接觸角約為7°。
在電子封裝中，通常使用物理化學(xué)結(jié)合的方式進(jìn)行等離子清洗，以去除在原材料制造、運輸、前工序中殘留的有機污染物及芯片焊盤和引線框架表面形成的氧化物。
等離子清洗設(shè)備的反應(yīng)室主要分為感應(yīng)耦合“桶式”反應(yīng)室、電容耦合“平行平板”反應(yīng)室、“順流”反應(yīng)室三種。目前國內(nèi)集成電路生產(chǎn)企業(yè)基本使用進(jìn)口設(shè)備，采用第三種模式，其具有均勻的等離子體區(qū)、射頻電源及匹配網(wǎng)絡(luò)不受負(fù)載影響，不損傷敏感器件的優(yōu)點[2~3]。
等離子按激發(fā)頻率分為射頻與微波，其頻率范圍的劃分如圖3所示。目前在微電子行業(yè)廣泛使用的為射頻等離子體。
在等離子清洗設(shè)備的使用過程中，需要根據(jù)清洗產(chǎn)品的不同，制定合理的清洗工藝，如射頻功率、清洗時間、清洗溫度、氣流速度等，以達(dá)到最好的清洗效果。本文針對TO220產(chǎn)品的鋁線鍵合工藝，設(shè)計適合于功率器件鋁線鍵合的最佳等離子清洗工藝。
2實驗過程
為了分析不同等離子清洗參數(shù)對鋁線鍵合的增強效果，本研究的主要過程如圖4所示。樣品按標(biāo)準(zhǔn)貼片工藝進(jìn)行貼片，之后根據(jù)實驗設(shè)計確定的9組參數(shù)進(jìn)行等離子清洗，然后按標(biāo)準(zhǔn)焊線工藝焊線，之后測試樣品的焊線拉力與焊球的剪切力。最后對測試結(jié)果進(jìn)行分析。
2.1樣品制備
本實驗采用BYD4N60芯片，芯片尺寸為3.20mm×3.58mm，鋁焊盤，芯片背銀。采用TO220純銅引線框架，貼片所用焊料為93.15Pb5Sn11.5Ag，貼片設(shè)備使用ASM-SD890A，焊線使用0.3mm鋁線，焊線設(shè)備為OE-360，等離子清洗使用設(shè)備為EUROPLASMA。
2.2等離子清洗參數(shù)設(shè)計
本實驗采用射頻激發(fā)的Ar/H2混合氣體，可以應(yīng)用在增強引線鍵合強度。清洗時間不宜過長，清洗時間過長的負(fù)面影響是Si3N4鈍化層的晶粒呈現(xiàn)出針狀和纖維狀[4]。因此，選用Ar與H2的混合氣體。RF功率范圍200~400W，時間180~600s，流速50~150tor·s-1。
使用DOE方法設(shè)計了9組實驗參數(shù)，如表1所示。
2.3等離子清洗實驗
等離子清洗效果除與等離子清洗設(shè)備的參數(shù)設(shè)置有關(guān)外，也與樣品形狀及樣品的料盒有關(guān)。在料盒選擇方面，一般選用鏤空料盒（如圖5所示），讓盡可能多的等離子氣體進(jìn)入到料盒內(nèi)部，并且不干擾等離子氣體的流動方向與流動速度。一般選用鋁合金材質(zhì)，因為其具有良好的加工特性，同時質(zhì)量輕，便于運輸。玻璃和陶瓷材質(zhì)雖然在等離子清洗工藝中使用效果更佳，但在工廠批量生產(chǎn)中不利于運輸與操作。
本實驗使用的等離子清洗機為封閉腔型，腔內(nèi)示意圖如圖6所示。并排放置4個放置空引線框架料盒，經(jīng)過等離子清洗后進(jìn)行滴水實驗發(fā)現(xiàn)，中間位置料盒中引線框架的清洗效果優(yōu)于旁邊位置的料盒。因此，本實驗采用單料盒，放置于如圖6中所示位置進(jìn)行實驗，以達(dá)到最優(yōu)清洗效果。
2.4拉力和剪切力測試
使用DAGE4000進(jìn)行樣品的拉力測試，測試時在料盒內(nèi)選取上中下各一條引線框架，每條引線框架上均勻選取10個測試點，每組等離子清洗參數(shù)條件下獲得30個樣本值。
3實驗結(jié)果與討論
3.1等離子清洗參數(shù)
實驗獲得的焊線拉力的測試結(jié)果如圖7所示。由圖7中可以看到，第5組樣品的拉力測試值具有相對最小方差與最高PpK值，其次是第4組樣品；第9組樣品雖然使用了最大功率、最長清洗時間與較大的氣體清洗流量，但實驗結(jié)果并不理想。清洗功率與清洗時間超過理想的設(shè)定值時，一方面Si3N4鈍化層的晶粒會呈現(xiàn)出針狀和纖維狀，另一方面，會激發(fā)焊料內(nèi)的有機物揮發(fā)至氣流中，并在等離子清洗過程中覆蓋于芯片及引線框架表面，形成二次污染，從而影響焊接的強度。
由此確定，適合于該料盒的鋁線產(chǎn)品的等離子清洗參數(shù)應(yīng)參考第5組設(shè)定參數(shù)。
3.2放置空間對清洗效果的影響
樣品在等離子清洗機腔體中的放置位置對等離子清洗效果也有明顯影響。比較分別位于上中下三層的引線框架的引線拉力測試數(shù)據(jù)，結(jié)果如圖8所示。
從圖8中可以看出，上層引線框架獲得了更穩(wěn)定的拉力測試結(jié)果。因為上層引線框架與氣體接觸得更充分。位于下層的引線框架，方差值偏差較大。因此，若想得到更好的等離子清洗效果，必須盡可能多地讓引線框架暴露于等離子氣體中，引線框架的上下間距不能過于緊密。
綜上所述，等離子清洗有利于電子封裝的可靠性，能增強焊線工藝的穩(wěn)定性。在使用等離子清洗工藝時，需結(jié)合等離子清洗機腔體的結(jié)構(gòu)，設(shè)計合適的料盒，合理擺放料盒在腔體內(nèi)的位置。同時，根據(jù)清洗樣品的不同，通過DOE實驗?zāi)軌蛘业阶詈线m的清洗工藝，達(dá)到最好的清洗效果。此外，料盒中引線框架的最佳上下間距以及料盒在等離子清洗機腔體中的最佳擺放位置與數(shù)量，在本文實驗中還未涉及，下一步將結(jié)合氣體流動模型針對此問題進(jìn)一步研究討論。免責(zé)聲明：文章來源于網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)請聯(lián)系作者刪除。