化學(xué)氣相沉積裝置
有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置達(dá)成上述目的，其特征在于包括：
腔室，提供對(duì)基板進(jìn)行處理的處理空間；氣體供給部，向腔室的內(nèi)部供給處理氣體；以及基板支撐部，配置于腔室的內(nèi)部，具備安裝基板的收容槽，對(duì)基板進(jìn)行加熱；且在收容槽的內(nèi)側(cè)形成有安裝基板的安裝部，在安裝部的邊緣與收容槽之間形成有中間槽。在基板安裝到安裝部的情況下，中間槽的寬度可被所述基板遮擋60％至95％。
中間槽可形成為內(nèi)部的邊角具有棱角的形態(tài)。在此情況下，中間槽的寬度可為1mm至3mm。
從安裝部的上表面測(cè)定的中間槽的深度可相對(duì)于從基板支撐部的上表面測(cè)定的中間槽的深度而為40％至80％。
進(jìn)而，基板可沿圓形的圓周面而在至少一部分具備平面，收容槽具備從邊緣向內(nèi)側(cè)突出形成而防止基板旋轉(zhuǎn)的突出部。此時(shí)，基板的平面可與突出部接觸。在此情況下，基板的圓周面與平面接觸的角隅區(qū)域不與突出部接觸。突出部相對(duì)于安裝部的中心的圓周角度可相對(duì)小于基板的平面相對(duì)于安裝部的中心的圓周角度。進(jìn)而，能夠以可裝卸的方式配置突出部?；逯尾靠砂ò惭b基板并加熱的加熱器區(qū)塊，從加熱器區(qū)塊的底部向上部形成插入槽，在插入槽的內(nèi)側(cè)具備測(cè)定加熱器區(qū)塊的溫度的熱電偶。從加熱器區(qū)塊的底部測(cè)定的插入槽的高度可相對(duì)于加熱器區(qū)塊的高度而為60％至90％。
發(fā)明效果
根據(jù)具有上述構(gòu)成的，在基板支撐部的收容槽安裝基板的安裝部與收容槽的內(nèi)表面之間形成中間槽，由此引導(dǎo)如顆粒等的異物形成到中間槽，從而可防止在基板配置到收容槽時(shí)傾斜地配置的情況。
根據(jù)，沿安裝基板的收容槽的內(nèi)側(cè)邊緣具備突出部而防止基板旋轉(zhuǎn)，由此可防止基板卡入到收容槽的內(nèi)部或破損。
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圖1
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圖2
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圖3
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圖4
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圖5
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圖6
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圖8
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圖9
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圖10
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圖11
圖1是表示一實(shí)施例的有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置的構(gòu)造的剖面圖。
圖2是基板支撐部的俯視圖。
圖3是基板支撐部的局部剖面圖。
圖4至圖8是表示形成在基板支撐部的收容槽的突出部的各種實(shí)施例的俯視圖。
圖9是表示基板支撐部的內(nèi)部構(gòu)造的剖面圖。
圖10是以往裝置的基板支撐部的剖面圖。
圖11是以往裝置的基板支撐部的俯視圖。
參照?qǐng)D1，有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置(1000)具備腔室(10)、基板支撐部(20)、氣體供給部(30)及反應(yīng)空間形成單元(40)。
腔室(10)具備：腔室頂蓋(11)，覆蓋腔室的上部；外部壁部(12)，緊固到腔室頂蓋(11)，覆蓋腔室的側(cè)部；以及底部凸緣部(13)，形成腔室的下部底面。腔室頂蓋(11)可通過螺桿等緊固元件以可分離的方式緊固到外部壁部(12)，可在腔室頂蓋(11)形成冷卻流路(11a)。冷卻流路(11a)以如下方式構(gòu)成：供冷卻水或冷卻氣體等冷卻介質(zhì)流動(dòng)，從而使因在腔室(10)內(nèi)的沉積制程中產(chǎn)生的高溫的熱而加熱的腔室(10)冷卻。
在腔室頂蓋(11)設(shè)置有作為光學(xué)傳感器(51)的光測(cè)定通路而發(fā)揮功能的傳感器管(52)，光學(xué)傳感器用以光學(xué)測(cè)定在下文敘述的反應(yīng)空間形成單元(40)內(nèi)沉積到基板上的薄膜。此處，以如下方式構(gòu)成：對(duì)傳感器管(52)導(dǎo)入吹掃氣體而防止反應(yīng)氣體從反應(yīng)空間形成單元(40)排出到傳感器管(52)。外部壁部(12)以緊固到腔室頂蓋(11)且覆蓋腔室(10)的側(cè)部的方式構(gòu)成。外部壁部(12)以如下方式構(gòu)成：形成排氣孔(14)，排氣孔(14)連接到排氣線，從而在沉積制程結(jié)束后，通過排氣孔(14)與排氣線將殘留在反應(yīng)空間形成單元(40)的反應(yīng)氣體排出到腔室(10)的外部。
在外部壁部(12)的內(nèi)部還可配置內(nèi)部壁部(12a)。內(nèi)部壁部(12a)以如下方式構(gòu)成：以插入貫通的方式設(shè)置反應(yīng)空間形成單元(40)，從而可穩(wěn)定地設(shè)置反應(yīng)空間形成單元(40)。
在腔室(10)的下部設(shè)置底部凸緣部(13)?？稍诘撞客咕壊?/span>(13)形成冷卻流路(13a)。冷卻流路(13a)以如下方式構(gòu)成：供冷卻水或冷卻氣體等冷卻介質(zhì)流動(dòng)，從而使因在腔室(10)內(nèi)的沉積制程中產(chǎn)生的高溫的熱而加熱的腔室(10)冷卻。
在腔室的內(nèi)部配置安裝基板(W)的基板支撐部(20)?；逯尾?/span>(20)包括：加熱器區(qū)塊(21)，安裝基板(W)并加熱；軸(22)，支撐加熱器區(qū)塊(21)并使其旋轉(zhuǎn)；密封部(23)；以及感應(yīng)加熱部(24)，對(duì)加熱器區(qū)塊(21)進(jìn)行加熱。
加熱器區(qū)塊(21)設(shè)置有多個(gè)收容槽(210、220、230)(參照?qǐng)D2)，以便可在上部面安裝多個(gè)基板(W)。軸(22)以如下方式構(gòu)成：一末端連接到加熱器區(qū)塊(21)，另一末端貫通腔室(10)的底部凸緣部(13)而連接到配置在腔室(10)的外部的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部來支撐加熱器區(qū)塊(21)并使其旋轉(zhuǎn)。軸(22)以如下方式構(gòu)成：在內(nèi)部設(shè)置熱電偶(22a)而測(cè)定由感應(yīng)加熱部(24)加熱的加熱器區(qū)塊(21)的溫度來進(jìn)行控制。之后詳細(xì)地對(duì)熱電偶(22a)配置到加熱器區(qū)塊(21)的內(nèi)部的構(gòu)成進(jìn)行說明。
以在軸(22)與腔室(10)的底部凸緣部(13)之間設(shè)置密封部(23)來密封旋轉(zhuǎn)的軸(22)與底部凸緣部(13)之間的空間的方式構(gòu)成。在密封部(23)填充流體密封件，，流體密封件可構(gòu)成為通過磁性力而氣密地密封與外部的空隙的磁性流體密封件。
可在密封部(23)的上部設(shè)置隔熱部(26)，隔熱部包圍軸(22)，防止在沉積制程過程中產(chǎn)生的高溫的熱傳遞到腔室(10)及密封部(23)。
感應(yīng)加熱部(24)以如下方式構(gòu)成：例如，由包圍加熱器區(qū)塊
(21)的感應(yīng)線圈形成，從而對(duì)配置在感應(yīng)加熱部(24)的內(nèi)側(cè)的加熱器區(qū)塊(21)進(jìn)行加熱?？稍诟袘?yīng)加熱部(24)與加熱器區(qū)塊(21)之間配置熱障壁(25)。熱障壁(25)不僅防止由感應(yīng)加熱部(24)加熱的加熱器區(qū)塊(21)的高溫的熱傳遞到所述腔室(10)的內(nèi)部，而且也可保護(hù)感應(yīng)加熱部(24)免受加熱器區(qū)塊(21)的高溫的熱的影響。，熱障壁(25)例如可由對(duì)高溫穩(wěn)定且熱反射率較高的陶瓷原材料形成。
在腔室的一側(cè)設(shè)置氣體供給部(30)。氣體供給部(30)具備分別連接到多個(gè)供氣線的多個(gè)氣體供給埠，從多個(gè)氣體供給源向多個(gè)供氣線供給處理氣體。有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置(1000)具備設(shè)置到腔室(10)的內(nèi)部的反應(yīng)空間形成單元(40)。
反應(yīng)空間形成單元(40)包括設(shè)置到與腔室頂蓋對(duì)應(yīng)的一側(cè)的上部板(41)、側(cè)部板(、及設(shè)置到與基板支撐部對(duì)應(yīng)的一側(cè)的下部板(43)，向反應(yīng)空間形成單元供給反應(yīng)氣體的一側(cè)與連通到排氣孔的一側(cè)開口。
反應(yīng)空間形成單元(40)以如下方式構(gòu)成：一側(cè)貫通腔室(10)的內(nèi)部壁部而緊固到氣體供給部(30)，另一側(cè)連通到形成在外部壁部(12)的排氣孔(14)。
可在反應(yīng)空間形成單元的上部板(41)設(shè)置阻熱頂蓋(44)。阻熱頂蓋(44)設(shè)置到與加熱器區(qū)塊(21)對(duì)向的位置，厚于上部板，朝向加熱器區(qū)塊(21)的上部面突出，因此可更小地形成安裝在加熱器區(qū)塊(21)的基板(W)上的反應(yīng)空間。
阻熱頂蓋(44)與上部板(41)緊固成一體，為了使更換容易，以可與上部板(41)分離的方式構(gòu)成。阻熱頂蓋(44)例如可由對(duì)高溫穩(wěn)定且熱反射率較高的陶瓷材質(zhì)形成。
腔室(10)的內(nèi)部溫度達(dá)到1000℃以上的高溫，故而通過利用陶瓷原材料形成包覆加熱器區(qū)塊(21)的熱障壁(25)及阻熱頂蓋(44)而構(gòu)成為對(duì)高溫穩(wěn)定。由此，通過熱反射率較高的阻熱頂蓋(44)可有效率地對(duì)基板進(jìn)行加熱，同時(shí)可有效率地減少加熱基板所需的功耗。在基板上生長(zhǎng)薄膜的過程中，在因沉積制程的化學(xué)反應(yīng)而集中地產(chǎn)生副產(chǎn)物的位置設(shè)置阻熱頂蓋來延長(zhǎng)零件的更換周期，由此可提高生產(chǎn)效率。
有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置以如下方式構(gòu)成：在基板支撐部的收容槽安裝基板的情況下，可防止因會(huì)形成到收容槽的顆粒等而傾斜地配置基板的情況。
圖2是加熱器區(qū)塊(21)的俯視圖，圖3是加熱器區(qū)塊(21)的局部剖面圖。圖3的(A)表示收容槽(210)，圖3的(B)表示在收容槽(210)安裝有基板(W)的狀態(tài)。
參照?qǐng)D2及圖3，有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置(1000)在加熱器區(qū)塊(21)具備收容基板(W)的收容槽(210、220、230)。收容槽(210、220、230)在圖中表示為3個(gè)，但并不限定于此，可適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)。
可在收容槽(210、220、230)的內(nèi)側(cè)形成安裝基板(W)的安裝部(212、222、232)，在安裝部(212、222、232)的邊緣與收容槽(210、220、230)之間形成中間槽(213)。
在收容槽(210、220、230)的內(nèi)側(cè)，在以特定長(zhǎng)度朝向上部突出形成的安裝部(212、222、232)的上表面安裝基板(W)，在此情況下，在基板(W)的邊緣區(qū)域的下部定位中間槽(213)。
此時(shí)，平坦地形成安裝部(212、222、232)的上表面，因此在安裝部(212、
222、232)的上表面安裝基板(W)的情況下，不會(huì)在基板(W)的下表面與安裝部
(212、222、232)的上表面之間產(chǎn)生空間。由于不會(huì)在基板(W)與安裝部(212、222、232)之間產(chǎn)生空間，因此可防止流入處理氣體而產(chǎn)生顆粒、粉末等異物的情況。
中間槽(213)可像圖中所示一樣形成為內(nèi)部的邊角具有棱角的形態(tài)。在此情況下，中間槽(213)的側(cè)剖面形成為具有棱角的四邊形等多邊形形態(tài)，因此非常易于形成具有相對(duì)小于無棱角的單純?yōu)閳A形的形態(tài)的寬度的槽。與圓形形態(tài)相比，具有棱角的四邊形形態(tài)在中間槽(213)的內(nèi)側(cè)具有相對(duì)較廣的表面積，因此易于附著顆粒而可不使顆粒露出到中間槽(213)的外部。進(jìn)而，也可期待中間槽(213)的具有棱角的邊角部分阻礙顆粒移動(dòng)的效果。
其結(jié)果，如圖3的(b)所示，即便處理氣體流入到基板(W)的下部，大部分顆粒等異物也形成到中間槽(213)的內(nèi)側(cè)。尤其，中間槽(213)的邊角形成為具有棱角的形態(tài)，因此顆粒等無法沿具有棱角的邊角上升而移動(dòng)，而是聚集到中間槽(213)的底面。因此，不會(huì)像以往一樣在安裝基板(W)的面形成顆粒等，因此在基板(W)安裝到收容槽(210、220、230)的內(nèi)部的情況下，可防止基板(W)傾斜。
在基板(W)安裝到安裝部(212、222、232)的上表面的情況下，以基板(W)的邊緣最大限度地與收容槽(210、220、230)鄰接的方式配置。即，以略微大于基板(W)的外徑的方式設(shè)定收容槽(210、220、230)的內(nèi)部直徑。在此情況下，基板(W)的邊緣像圖中所示一樣遮擋中間槽(213)的寬度(D)的大部分。例如，基板(W)可遮擋中間槽(213)的寬度(D)的50％以上，優(yōu)選為基板(W)可遮擋中間槽(213)的寬度(D)的60％至95％左右。在中間槽(213)的寬度(D)的大部分被基板(W)遮擋的情況下，可減少流入到中間槽(213)的處理氣體的量，從而可抑制顆粒的產(chǎn)生。
根據(jù)實(shí)驗(yàn)，中間槽(213)的寬度(D)、或安裝部(212、222、232)的邊緣與收容槽(210、220、230)的內(nèi)側(cè)面之間的距離(D)可為大致1mm至3mm，且可為大致2mm?？捎蓸?gòu)成基板支撐部(20)的加熱器區(qū)塊(21)的上表面(21a)至中間槽(213)的底部的深度(B1)、及安裝部(212、222、232)的上表面至中間槽(213)的底部的深度(B2)定義中間槽(213)的深度。在此情況下，安裝部(212、222、232)的上表面至中間槽(213)的底部的深度(B2)可相對(duì)于加熱器區(qū)塊(21)的上表面21a至中間槽(213)的底部的深度(B1)而為大致40％至80％。
可知在像上述內(nèi)容一樣設(shè)定中間槽(213)的深度的情況下，由中間槽(213)實(shí)現(xiàn)的顆粒引導(dǎo)效果最優(yōu)異。
有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置以如下方式構(gòu)成：在基板支撐部的收容槽安裝基板的情況下，可通過防止基板旋轉(zhuǎn)而防止基板卡入到收容槽或破損。以下，具體地進(jìn)行說明。
圖4至圖8是表示形成在基板支撐部(20)的收容槽(310)的突出部的各種實(shí)施例的俯視圖。即，，為了防止基板(W)在收容槽(310)的內(nèi)側(cè)旋轉(zhuǎn)，具備從收容槽(310)的邊緣向內(nèi)側(cè)突出形成而防止基板(W)旋轉(zhuǎn)的突出部。在此情況下，基板(W)可沿圓形的圓周面(Ws)而在至少一部分具備平面(Wf)，在基板的圓周面(Ws)與平面(Wf)接觸的區(qū)域形成角隅區(qū)域(Wc)。在圖4至圖8中，(a)圖是收容槽(310)的俯視圖，(b)圖是(a)圖中的虛線區(qū)域的放大圖。
參照?qǐng)D4，突出部(314)從收容槽(310)的邊緣向內(nèi)側(cè)突出形成。此時(shí)，所
述基板(W)可像上述內(nèi)容一樣沿圓周而在至少一部分形成平面(Wf)，突出部(314)以與平面(Wf)接觸的方式配置。
即，在以往技術(shù)中，基板的角隅區(qū)域與收容槽的邊緣接觸而基板的角隅區(qū)域卡入到收容槽，在中，為了解決上述問題，以與基板(W)的平面(Wf)接觸的方式配置突出部(314)。因此，在中，基板(W)的角隅區(qū)域(Wc)不與突出部(314)接觸，從而可防止角隅區(qū)域(Wc)卡入到突出部(314)的情況。
為此，在基板(W)安裝到安裝部(312)的情況下，以相對(duì)小于基板(W)的平面(Wf)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ1)的方式形成突出部(314)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ2)。
如果突出部(314)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ2)相對(duì)大于基板(W)的平面(Wf)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ1)，則無法防止基板(W)的角隅區(qū)域(Wc)與突出部(314)接觸。在此情況下，會(huì)像上述內(nèi)容一樣產(chǎn)生基板(W)的角隅區(qū)域(Wc)卡入到突出部(314)的現(xiàn)象。
因此，在中，為了防止基板(W)的角隅區(qū)域(Wc)卡入到突出部(314)，以相對(duì)小于基板(W)的平面(Wf)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ1)的方式形成突出部(314)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ2)。
有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置(1000)從基板(W)的側(cè)面供給處理氣體。如果從基板(W)的上側(cè)或下側(cè)供給處理氣體，則基板(W)不旋轉(zhuǎn)，但如果像一樣從基板(W)的側(cè)面供給處理氣體，則基板(W)會(huì)旋轉(zhuǎn)。尤其，如果為了抑制處理氣體之間的寄生反應(yīng)而提高處理氣體的氣體噴射速度，則基板(W)更容易旋轉(zhuǎn)。
因此，在有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積裝置(1000)中，即便從基板(W)的側(cè)面供給處理氣體，除基板(W)的角隅區(qū)域(Wc)以外的平面(Wf)的至少一部分與突出部(314)接觸而也最大限度地防止基板(W)旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而，可防止基板(W)的角隅區(qū)域(Wc)卡入到突出部(314)。基板(W)的圓周面(Ws)與平面(Wf)接觸的角隅區(qū)域(Wc)容易破損或損傷，但在中，以不使角隅區(qū)域(Wc)與突出部(314)接觸的方式配置突出部(314)，因此可最大限度地防止基板(W)損傷或破損。中間槽(213)的寬度、或安裝部(312)的邊緣與收容槽(310)的內(nèi)側(cè)面之間的距離因突出部(314)而發(fā)生變化。
在無突出部(314)的區(qū)域，中間槽(213)的寬度(d2)可像上述內(nèi)容一樣形
成為大致1mm至3mm，與此相反，在形成有突出部(314)的區(qū)域，中間槽(213)的寬度(d1)形成為相對(duì)小于寬度(d2)。在形成有突出部(314)的區(qū)域，中間槽(213)的寬度(d1)會(huì)相當(dāng)于無突出部(314)的中間槽(213)的寬度(d2)的大致一半左右。在此情況下，在形成有突出部(314)的區(qū)域，固定地保持中間槽(213)的寬度(d1)。
圖4的實(shí)施例的構(gòu)成可防止基板(W)旋轉(zhuǎn)，但在基板(W)與突出部(314)接
觸的情況下，突出部(314)的面與基板(W)的邊角接觸，從而防止卡入現(xiàn)象的效果降低。具有突出部(314)的耐久性相對(duì)較弱的特性。
圖5表示另一實(shí)施例的突出部(324)。
參照?qǐng)D5，突出部(324)從收容槽(310)的邊緣向內(nèi)側(cè)突出形成。圖5的突
出部(324)的形狀與圖4的突出部的形狀相似，但其寬度及突出長(zhǎng)度存在差異。
即，在無突出部(324)的區(qū)域，中間槽(213)的寬度(d2)像
上述內(nèi)容一樣形成為大致1mm至3mm，與此相反，在形成有突出部(324)的區(qū)域，中間槽(213)的寬度(d3)可相對(duì)小于寬度(d2)而為大致20％至40％左右。即，可謂本實(shí)施例的突出部(324)呈較圖4的突出部更突出的形態(tài)。能夠以相對(duì)小于圖4的突出部(314)的方式構(gòu)成收容槽(310)的圓周方向上的突出部(324)的長(zhǎng)度。
與圖4的構(gòu)成相比，圖5的構(gòu)成在基板(W)與突出部(324)接觸的情況下，
突出部(324)的面與基板(W)的面接觸而基板的卡入程度減小，尤其，突出部(324)的耐久性明顯地得到改善。然而，在形成有突出部(324)的區(qū)域，中間槽(213)的寬度(d3)相對(duì)變小，從而基板的裝載/卸載的便利性及固定地保持基板的溫度的溫度梯度特性具有與圖4相似的特性。
圖5的突出部(324)也在基板(W)安裝到安裝部(312)的情況下，以相對(duì)小于基板(W)的平面(Wf)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ1)的方式形成突出部(324)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ3)。之前已對(duì)此進(jìn)行了詳述，因此省略重復(fù)的說明。
圖6表示又一實(shí)施例的突出部(334)。
參照?qǐng)D6，本實(shí)施例的突出部(334)在從收容槽(310)的邊緣的內(nèi)側(cè)突出的情
況下呈平行地突出的形態(tài)。即，突出部(334)與安裝部(312)之間的距離不像圖中所示一樣固定，而是持續(xù)地發(fā)生變化。
與圖4及圖5相比，在圖6的實(shí)施例中，在形成有突出部(334)的區(qū)域，中間槽(213)的寬度相對(duì)變小，因此基板的裝載/卸載的便利性略微較低，但溫度梯度特性明顯地得到改善。在基板(W)與突出部(334)接觸的情況下，突出部334)的面與基板(W)的面接觸，從而表現(xiàn)出基板的卡入現(xiàn)象相對(duì)減少，突出部的耐久性也得到改善的特性。
圖6的突出部(334)也在基板(W)安裝到安裝部(312)的情況下，以相對(duì)小于基板(W)的平面(Wf)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ1)的方式形成突出部(334)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ4)。之前已對(duì)此進(jìn)行了詳述，因此省略重復(fù)的說明。
圖7表示又一實(shí)施例的突出部(354、356)的構(gòu)成。
參照?qǐng)D7，沿收容槽(310)的邊緣的內(nèi)側(cè)具備一對(duì)本實(shí)施例的突出部(354、356)。
沿收容槽(310)的邊緣的內(nèi)側(cè)而隔以特定距離具備一對(duì)突出部(354、356)，突出部(354、356)大致突出形成為具有特定的半徑的半圓形狀、或曲線形狀、彎曲(curved)形狀等。
在此情況下，形成有突出部(354、356)的區(qū)域相對(duì)小于上述實(shí)施例，故而基板的裝載/卸載特性相對(duì)變良好。在基板(W)與突出部(354、356)接觸的情況下，突出部(354、356)的面與基板(W)的面接觸而防止基板的卡入現(xiàn)象，但突出部的耐久性相對(duì)變差，基板的外周面與加熱器區(qū)塊(21)之間的距離變遠(yuǎn)，因此基板的溫度梯度特性變差。
在像圖7一樣具備一對(duì)突出部(354、356)的情況下，在基板(W)安裝到安裝部(312)時(shí)，也以相對(duì)小于基板(W)的平面(Wf)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ1)的方式形成一對(duì)突出部(354、356)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ5)。之前已對(duì)此進(jìn)行了詳述，因此省略重復(fù)的說明。
圖8表示又一實(shí)施例的突出部(344、346)的構(gòu)成。
參照?qǐng)D8，與圖7的實(shí)施例相似地具備一對(duì)本實(shí)施例的突出部(344、346)。然而，本實(shí)施例的各突出部(344、346)以如下方式構(gòu)成：在從收容槽(310)的邊緣突出的情況下，形成突出部(344、346)的兩面的長(zhǎng)度不同。
即，如圖所示，第一突出部(344)以第一面(344A)長(zhǎng)于第二面(344B)的方式構(gòu)成，相同地，第二突出部(346)以第三面(346A)長(zhǎng)于第四面(346B)的方式構(gòu)成。第一突出部(344)的第一面(344A)與第二突出部(346)的第三面(346A)可沿假想線配置。
在此情況下，形成有突出部(344、346)的區(qū)域相對(duì)小于上述實(shí)施例，故而基板的裝載/卸載特性相對(duì)變良好。在基板(W)與突出部(344、346)接觸的情況下，突出部(344、346)的面與基板(W)的面接觸，從而防止基板的卡入現(xiàn)象，耐久性也變良好。
在像圖8一樣具備一對(duì)突出部(344、346)的情況下，在基板(W)安裝到安裝部(312)時(shí)，也以相對(duì)小于基板(W)的平面(Wf)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ1)的方式形成一對(duì)突出部(344、346)相對(duì)于安裝部(312)的中心(C)的圓周角度(θ6)。之前已對(duì)此進(jìn)行了詳述，因此省略重復(fù)的說明。
圖4至圖8的突出部的構(gòu)成也可一體地形成到收容槽，但能夠以可裝卸的方式具備突出部。在此情況下，突出部可包括與區(qū)塊加熱器不同的材質(zhì)。例如，突出部可由耐久性相對(duì)優(yōu)于加熱器區(qū)塊且耐熱的材質(zhì)制作。如上，在以可裝卸的方式構(gòu)成突出部的情況下，在今后對(duì)基板支撐部進(jìn)行維護(hù)等時(shí)，可更快且容易地進(jìn)行維護(hù)。
如上，在基板支撐部(20)的加熱器區(qū)塊(21)的內(nèi)側(cè)具備測(cè)定加熱器區(qū)塊(21)的溫度的熱電偶(22a)。圖9是表示加熱器區(qū)塊(21)的內(nèi)部構(gòu)成的剖面圖。
參照?qǐng)D9，為了裝設(shè)熱電偶(22a)，從加熱器區(qū)塊(21)的底部向上部形成
插入槽(29)，在插入槽(29)的內(nèi)部具備熱電偶(22a)。在圖9中，軸’22’表示軸。
此時(shí)，熱電偶(22a)可對(duì)加熱器區(qū)塊(21)的溫度進(jìn)行測(cè)定而推測(cè)由加熱器區(qū)塊(21)加熱的基板(W)的溫度。因此，在加熱器區(qū)塊(21)的內(nèi)部與基板(W)鄰接地配置熱電偶(22a)會(huì)較為有利。然而，如果為了實(shí)現(xiàn)這種配置而使從加熱器區(qū)塊(21)的底部測(cè)定的插入槽(29)的高度(h2)與加熱器區(qū)塊(21)的高度(h1)大致相似、或設(shè)為90％左右以上，則用以加熱基板(W)的熱能會(huì)通過插入槽(29)排出到腔室(10)的外部。這種情況會(huì)降低基板(W)的加熱效率而降低沉積到基板(W)的薄膜的品質(zhì)。在將從加熱器區(qū)塊(21)的底部測(cè)定的插入槽(29)的高度(h2)設(shè)為加熱器區(qū)塊(21)的高度(h1)的60％以下的情況下，存在如下缺點(diǎn)：與安裝晶片的加熱器區(qū)塊上表面的溫度的差異較大，因此不適于用作制程反饋溫度。
因此，，將從加熱器區(qū)塊(21)的底部測(cè)定的插入槽(29)的高度(h2)設(shè)為加熱器區(qū)塊(21)的高度(h1)的大致60％至90％左右，優(yōu)選為設(shè)為75％左
右。
在這種構(gòu)成中，插入槽(29)的高度(h2)相對(duì)于加熱器區(qū)塊(21)的高度(h1)而為大致90％以下，因此可抑制用以加熱基板(W)的熱能通過插入槽(29)排
出的情況。如圖所示，以在插入槽(29)的內(nèi)側(cè)不與插入槽(29)的上表面接觸的方式具備熱電偶(22a)。因此，在加熱器區(qū)塊(21)旋轉(zhuǎn)的情況下，也可防止熱電偶(22a)受損。進(jìn)而，熱電偶(22a)配置到插入槽(29)的內(nèi)側(cè)而測(cè)定加熱器區(qū)塊(21)的溫度，因此能夠以不根據(jù)基板(W)上部的環(huán)境改變的情況、例如處理氣體變化、壓力變化、溫度變化等環(huán)境變化而敏感地發(fā)生變化的狀態(tài)準(zhǔn)確地測(cè)定加熱器區(qū)塊(21)的溫度。
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