晶體硅太陽電池制作流程
太陽電池基本結(jié)構(gòu)：
一個單一的晶體硅電池輸出電壓在0.5V左右，而其最大輸出功率則與太陽電池效率和表面積有關(guān)。如，一個接受光面積約為100cm2，效率為15%的太陽電池的最大輸出功率僅為1.5W左右。達到一般應(yīng)用要求，必須將許多太陽電池串聯(lián)及并聯(lián)在一起，形成所謂的模組（module）。并聯(lián)的目的是為了增加輸出功率，串聯(lián)的目的在于提高輸出電壓，進一步的串聯(lián)或并聯(lián)則可形成
陣列安排（array）。
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在一把的太陽電池應(yīng)用系統(tǒng)上，還包括蓄電池（storagebattery）、功率調(diào)節(jié)器（powerconditioner）和安裝固定結(jié)構(gòu)（mountingstructures）等周邊設(shè)施，統(tǒng)稱為平衡系統(tǒng)（balanceofsystem）。隨材料和制造技術(shù)不同，太陽電池的架構(gòu)會有不同變化，但最基本的結(jié)構(gòu)可分為基板、PN二極管、抗反射層、表面粗糙結(jié)構(gòu)化和金屬電極等五個主要部分。
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為達到最佳的轉(zhuǎn)換效率，主要考慮的因素有：減低太陽光的表面反射；減低任何形式的載流子再結(jié)合(carrierrecombination)；金屬電極接觸最優(yōu)化。
基板：
在晶體硅太陽電池中，以單晶硅能達到的能量轉(zhuǎn)換效率最高。要達到最優(yōu)的能量轉(zhuǎn)換效率，所使用的基板的品質(zhì)最為關(guān)鍵，這里的品質(zhì)指基板應(yīng)具有很好的結(jié)晶完美性、最低的雜質(zhì)污染等。就品質(zhì)的完美性而言，所有的結(jié)晶硅中以FZ硅片（FloatZoneSilicon）最佳，而CZ硅片次之。在低成本的要求下，多晶硅片（multicrystalline）甚至比單晶硅更為廣泛使用。多晶硅片中的內(nèi)部缺陷，例如晶界（grainboundaries）及差排（dislocation），使得能量轉(zhuǎn)換效率不如CZ單晶硅片。
少數(shù)載流子的壽命是影響能量轉(zhuǎn)換效率的重要因素之一。而晶體硅中少數(shù)載流子的壽命主要受金屬雜質(zhì)的影響，金屬雜質(zhì)越高，壽命越短，能量轉(zhuǎn)換效率越低。除了起始基板本身的金屬雜質(zhì)外，太陽電池的高溫制備過程中也會引入雜質(zhì)。除了嚴格控制制備過程以去除雜質(zhì)污染外，另一重要技術(shù)是引入去疵技術(shù)（Getteringtechnology），去降低金屬雜質(zhì)對少數(shù)載流子壽命的影響。此外，利用氫氣鈍化處理（passivation），也是提高能量轉(zhuǎn)換效率的有效方法。
最常用的晶體硅基板，是P型摻雜，即添加硼(Boron)。當然，N型晶體硅也可以被用來當作基板，只不過現(xiàn)有的太陽電池技術(shù)大多采用P型硅而設(shè)計。
使用電阻率較低的晶體硅基板，會降低太陽電池的串聯(lián)電阻（seriesresistance）而導(dǎo)致的能量損耗，目前工業(yè)界常用的晶體硅基板的電阻率為0.5~30ohm·cm。晶體硅基板的厚度也會影響太陽電池的效率。
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表面結(jié)構(gòu)粗糙化（Texturing）：
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逆金字塔(倒金字塔）狀的凹槽，一般是利用NaOH或KOH堿性液對硅晶體表面進行蝕刻。
PN二極體是光伏效應(yīng)的來源，由高溫擴散產(chǎn)生。在P型晶體硅基板上做N型擴散，或是在N型基板上做P型擴散而產(chǎn)生的。一般的N型擴散只有約0.5μm左右的厚度，而且是在基板做完粗糙化處理后才進行的。
除了將晶體硅表面做粗糙織構(gòu)化之外，在表面涂布抗反射層是降低反射損失的另一有效方式，即在硅晶體表面涂布一層低折射系數(shù)的透明材料。常用TiO2、SiN、SiO、Al2O3、SiO2、CeO2等。折射率為硅折射率的平方根最好，厚度d=nλ/4最好，反射的情況可被降至最低。
在太陽電池中，金屬接觸必須被用來取出產(chǎn)生光電的載流子，而且這種作用必須是選擇性的，即只允許一種形態(tài)的載流子由硅表面流向金屬，但阻止另外一種形態(tài)的載流子流通。
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基本的太陽電池制造流程：1表面結(jié)構(gòu)粗糙化，2磷擴散制作，3邊緣絕緣處理，4抗反射層涂布，5正面電極網(wǎng)印，6背面電極網(wǎng)印
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