一、主要生產(chǎn)設(shè)備

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二、工藝流程簡(jiǎn)述

工藝流程說明：

(1)檢測(cè)：利用顯微鏡對(duì)襯底進(jìn)行檢測(cè)，看有無雜質(zhì)。檢測(cè)合格的襯底進(jìn)入下一工序。

(2)沉積：

①將藍(lán)寶石襯底放入由石英管和石墨基座組成的反應(yīng)器中；

②再按照NH₃和H₂比（5:95)通入NH₃和H₂混合氣體；

③將載氣H₂(N₂保護(hù)）通入三甲（乙）基諒、三甲基鋼、三甲基鋁液體罐中將有機(jī)金屬蒸汽以及少量二環(huán)戊基鎂夾帶進(jìn)反應(yīng)器中，在密閉條件下進(jìn)行金屬有機(jī)物化學(xué)沉積反應(yīng)。主要沉積反應(yīng)有：

Ga(CH₃)₃+NH₃→GaN+3CH₄

如果欲生長(zhǎng)三元固溶體晶體，如Gaj-xAI,N時(shí)，可在反應(yīng)系統(tǒng)中再通入三甲基鋁，反應(yīng)式為：

_XAI(CH₃)₃+(1-x)Ga(CH₃)₃+NH₃=Ga_1-XAlxN+3CH₄

MOCVD的主要作用是在襯底上生長(zhǎng)GaN、InGaN、InGaAIN單品膜。

④反應(yīng)廢氣處理：反應(yīng)氣體中有機(jī)氣體（三甲（乙）基嫁、三甲基鋁、三甲基鋼）在高溫條件下絕大部分分解：氨氣有41%反應(yīng)或分解（2NH₃=N₂+3H₂),還有59%尚未完全分解，因此尾氣G6中含有大量氨氣，不能直接排放到大氣中，必須先進(jìn)行回收處理。

上述沉積過程按要求形成GaN、InCaN(或InGaAIN)雙層疊合膜

⑤處延片清洗：將長(zhǎng)晶后的外延片用H₂SO₄+雙氧水清洗后經(jīng)純水沖洗，清除表面附著的離子和有機(jī)物金屬。清洗后外延片在烘烤箱中烘干。本工序產(chǎn)生酸性清洗水W4、硫酸霧廢氣G7以及硫酸廢液L4。

本項(xiàng)目生產(chǎn)的外延片全部自用，清洗干凈的外延片進(jìn)入芯片制造工序。

LED外延片工藝流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)圖

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