HIT電池具有發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢(shì)，具體特點(diǎn)如下：

（1）低溫工藝

HIT電池結(jié)合了薄膜太陽(yáng)能電池低溫（<250℃）制造的優(yōu)點(diǎn)，從而避免采用傳統(tǒng)的高溫（>900℃）擴(kuò)散工藝來(lái)獲得p-n結(jié)。這種技術(shù)不僅節(jié)約了能源，而且低溫環(huán)境使得a_Si：H基薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度等可以較精確控制，工藝上也易于優(yōu)化器件特性；低溫沉積過(guò)程中，單品硅片彎曲變形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（約80μm）；同時(shí)低溫過(guò)程消除了硅襯底在高溫處理中的性能退化，從而允許采用“低品質(zhì)”的晶體硅甚至多晶硅來(lái)作襯底。

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高溫環(huán)境下發(fā)電量高，在一天的中午時(shí)分，HIT電池的發(fā)電量比一般晶體硅太陽(yáng)電池高出8-10%，雙玻HIT組件的發(fā)電量高出20%以上，具有更高的用戶附加值。

（2）雙面電池

HIT是非常好的雙面電池，正面和背面基本無(wú)顏色差異，且雙面率（指電池背面效率與正面效率之比）可達(dá)到90%以上，最高可達(dá)96%，背面發(fā)電的優(yōu)勢(shì)明顯。

（3）高效率

HIT電池獨(dú)有的帶本征薄層的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，在p-n結(jié)成結(jié)的同時(shí)完成了單晶硅的表面鈍化，大大降低了表面、界面漏電流，提高了電池效率。目前HIT電池的實(shí)驗(yàn)室效率已達(dá)到23%，市售200W組件的電池效率達(dá)到19.5%。

（4）高穩(wěn)定性

HIT電池的光照穩(wěn)定性好，理論研究表明非品硅薄膜/晶態(tài)硅異質(zhì)結(jié)中的非晶硅薄膜沒(méi)有發(fā)現(xiàn)Staebler-Wronski效應(yīng)，從而不會(huì)出現(xiàn)類似非晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率因光照而衰退的現(xiàn)象；HIT電池的溫度穩(wěn)定性好，與單晶硅電池-0.5%/℃的溫度系數(shù)相比，HIT電池的溫度系數(shù)可達(dá)到-0.25%/℃，使得電池即使在光照升溫情況下仍有好的輸出。

（5）無(wú)光致衰減

困擾晶硅太陽(yáng)能電池最重要的問(wèn)題之一就是光致衰減，而HIT電池天然無(wú)衰減，甚至在光照下效率有一定程度的增加，上海微系統(tǒng)所在做HIT光致衰減實(shí)驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)，光照后HIT電池轉(zhuǎn)換效率增加了2.7%，在持續(xù)光照后同樣沒(méi)有出現(xiàn)衰減現(xiàn)象。日本CIC、瑞士EPFL、CSEM在APL上的聯(lián)合發(fā)表也證實(shí)了HIT電池的光致增強(qiáng)特性。

（6）對(duì)稱結(jié)構(gòu)適于薄片化

HIT電池完美的對(duì)稱結(jié)構(gòu)和低溫度工藝使其非常適于薄片化，上海微系統(tǒng)所經(jīng)過(guò)大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，硅片厚度在100-180μm范圍內(nèi)，平均效率幾乎不變，100μm厚度硅片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了23%以上的轉(zhuǎn)換效率，目前正在進(jìn)行90μm硅片批量制備。電池薄片化不僅可以降低硅片成本，其應(yīng)用也可以更加多樣化。

（6）低成本

HIT電池的厚度薄，可以節(jié)省硅材料；低溫工藝可以減少能量的消耗，并且允許采用廉價(jià)襯底；高效率使得在相同輸出功率的條件下可以減少電池的面積，從而有效降低了電池的成本。