硅片清洗的重要性想必大家是很清楚的，而清洗后硅片表面的各種性能在一定程度上又由清洗設(shè)備本身決定，因此，對硅片清洗設(shè)備的日常維護就尤為重要。
目前，在半導(dǎo)體的生產(chǎn)中廣泛使用的為濕式化學清洗方法，在該清洗方法中有大量的化學試劑被使用，具體使用的化學試劑及其主要作用見表1。
▼表1常用的化學清洗溶液
另外，在半導(dǎo)體材料及器件生產(chǎn)廠家，槽式清洗設(shè)備被廣泛使用，由于該類清洗設(shè)備清洗工位較多，任何一個環(huán)節(jié)的疏忽，都會導(dǎo)致最終清洗后硅片表面質(zhì)量不合格，且主要表現(xiàn)為硅片表面顆粒超標和硅片表面金屬沾污超標。
硅片表面質(zhì)量的重要參數(shù)是顆粒數(shù)跟金屬沾污，去除顆粒跟金屬沾污也是硅片清洗最主要的目的，所以需對清洗設(shè)備對顆粒跟金屬沾污的去除能力進行監(jiān)控。
如發(fā)現(xiàn)硅片表面顆粒跟金屬沾污超標，則需進行如下處理：
1、將各槽中原液排干，用DI水將槽子沖洗一次，然后將槽中水排盡；
2、加入少許（lgallon)DI水，然后加入lgal- lonH2O2，再加入少許DI水，然后加工入lgallonNH4OH，再加DI水至槽滿。如果是工藝槽，則讓混合液循環(huán)2h，否則靜置2h；
3、將槽中液排盡，用DI水再次沖洗槽子一次，將槽液排盡；
4、重新對清洗設(shè)備進行測試。
具體的操作流程如下：
由于對清洗設(shè)備的工藝維護在實際的生產(chǎn)中起著舉足輕重的作用，故需特別注意。如果發(fā)現(xiàn)問題需及時進行解決，直至檢測合格為止。也可以咨詢本公司進行專業(yè)服務(wù)。