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?硅晶片清潔過程是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵步驟。華林科納支持各種類型的晶圓清洗工藝，無論您是進行研究還是大批量生產(chǎn)，都可以保持純度。華林科納支持的清潔工藝包括RCA清潔、SC1和SC 2（標(biāo)準(zhǔn)清潔1和2）、預(yù)擴散清潔，以及包括臭氧清潔和兆聲波清潔在內(nèi)的其他清潔工藝。
1.晶圓清洗的目的
所述的目標(biāo)晶片清洗過程是在不改變或損害晶片表面或基底除去的化學(xué)和顆粒雜質(zhì)。晶片表面必須保持不受影響，這樣粗糙度、腐蝕或點蝕會影響晶片清潔過程的結(jié)果。硅晶片的良率與晶片加工的缺陷密度（清潔度和顆粒數(shù)）成反比。降低缺陷密度和提高產(chǎn)量的一種方法是使用高效的晶圓清潔工藝，以有效去除顆粒污染物。對于更小的半導(dǎo)體器件和幾何形狀，從硅晶片上去除更小的顆粒變得更加重要。小顆?？赡茈y以去除，因為在顆粒和晶片基板之間存在強靜電力。
2.晶圓清洗技術(shù)
在過去的 30 年中，標(biāo)準(zhǔn)晶圓清洗中使用的化學(xué)物質(zhì)基本保持不變。它基于使用酸性過氧化氫和氫氧化銨溶液的 RCA 清潔工藝。雖然這是工業(yè)仍在使用的主要方法，但最近發(fā)生的變化是它的實施以及新的優(yōu)化清潔技術(shù)，包括臭氧清潔和兆聲波清潔系統(tǒng)。根據(jù)特定的設(shè)備類型，制造集成電路需要數(shù)百個精確的處理步驟。大多數(shù)步驟在將它們切割成單個芯片之前作為完整晶片上的單個工藝完成。大約 20% 的步驟是晶圓清洗工藝，這凸顯了晶圓清洗和基板表面調(diào)節(jié)的重要性。
3.晶圓清洗步驟
預(yù)擴散清潔 | 創(chuàng)造一個沒有金屬、微粒和有機污染物的表面。在某些情況下，需要去除天然氧化物或化學(xué)氧化物 |
金屬離子去除清潔 | 消除可能對設(shè)備操作產(chǎn)生不利影響的金屬離子 |
顆粒去除清潔 | 使用 Megasonic 清潔的化學(xué)或機械擦洗從表面去除顆粒。 |
蝕刻后清潔 | 去除蝕刻工藝后留下的光刻膠和聚合物。去除光刻膠和固體殘留物，包括“蝕刻聚合物” |
去膜清潔 | 氮化硅蝕刻/剝離、氧化物蝕刻/剝離、硅蝕刻和金屬蝕刻/剝離 |
4.華林科納的咨詢和設(shè)備支持
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