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RCA 清潔工藝可去除硅晶片表面的污染物，從而可以進行額外的濕法半導(dǎo)體制造步驟。該過程由兩個步驟組成，SC1 步驟去除有機化合物，SC2 步驟去除任何殘留的金屬殘留物或顆粒。專門的?濕式工作臺可?確保盡可能徹底地去除污染物和顆粒，并使硅晶片保持清潔。為了實現(xiàn)這一點，該設(shè)備小心地沖洗掉污染物并最大限度地減少對晶片的處理。自動化可用于可靠且一致地復(fù)制過程參數(shù)。華林科納可以提供標準和定制的專業(yè)設(shè)備來執(zhí)行 RCA 清潔過程。

1.RCA Clean SC1 去除大部分晶圓表面污染

SC1 清潔步驟使用化學(xué)品溶解雜質(zhì)，同時不影響下面的硅表面。將晶片放置在含有等量 NH4OH（氫氧化銨）和 H2O2（過氧化氫）的溶液中，溶液為五份去離子水。將溶液加熱至約 75 攝氏度，并將晶片在溶液中放置 10 至 15 分鐘。有機殘留物被溶解并去除顆粒。在晶片上形成一層薄薄的氧化硅，并且有一些金屬離子和顆粒污染。

2.RCA Clean SC2 去除金屬雜質(zhì)

對于 SC2，將新清洗的晶片置于含有等量鹽酸和過氧化氫和五份去離子水中的浴中。確切的比率可能因應(yīng)用而異。將水浴加熱至約 75 攝氏度，晶片浸泡約 10 分鐘。該解決方案專門消除堿殘留物、金屬氫氧化物和其他金屬顆粒。晶圓現(xiàn)在完全干凈，沒有任何類型的顆粒。

3.晶圓清洗設(shè)備必須具備專業(yè)功能

我們需要專門的設(shè)備來有效地執(zhí)行 RCA 清潔工藝步驟。必須將所需的化學(xué)品以正確的數(shù)量輸送到清洗槽中，然后，當(dāng)不再需要這些化學(xué)品時，必須將它們中和并安全處置?；瘜W(xué)品的濃度、浴溫和時間對于隨后能夠重現(xiàn)所需的清潔性能都很重要。污染物和顆粒必須被沖洗掉并過濾掉。有效清潔的主要特點是晶圓表面上的顆粒數(shù)量少，從而降低了制造晶圓的廢品率。

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華林科納的濕法設(shè)備支持這兩個 RCA 清潔步驟。除了從其廣泛的濕法設(shè)備生產(chǎn)線滿足客戶需求外，華林科納還可以為客戶定制應(yīng)用構(gòu)建系統(tǒng)。華林科納在濕法工藝和技術(shù)領(lǐng)域擁有多年的經(jīng)驗，是領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商之一，擁有為 RCA 清潔工藝和其他半導(dǎo)體制造應(yīng)用提供專業(yè)設(shè)備的內(nèi)部專業(yè)知識。請加微信：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁或發(fā)送電子郵件至xu@hlkncse.com.獲取咨詢和報價。