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摘要

本文簡要概述了面臨的挑戰(zhàn)晶圓清洗技術(shù)正面臨著先進的silicon技術(shù)向非平面器件方向發(fā)展結(jié)構(gòu)和半導體改性清洗的需要， 除了硅。?在前一種情況下，關(guān)鍵問題是相關(guān)的 用于下一代CMOS柵極結(jié)構(gòu)以及深3D幾何圖形的垂直表面的清潔和調(diào)理MEMS設(shè)備這些問題加速的步伐除硅以外的半導體正在被引進主流制造業(yè)需要發(fā)展特定材料的晶圓清洗技術(shù)。?考慮與每個挑戰(zhàn)相關(guān)的問題。 ?

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關(guān)鍵詞: ?III-V化合物FinFET集成電路制造 ，MEMS, MOS柵極堆棧，半導體清洗

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介紹

晶片清洗是最常用的加工方法 ，這也是進軍高端硅集成電路制造領(lǐng)域。?因此，化學的測試和執(zhí)行Si的清洗操作是非常重要的。建立良好的和支持多年的廣泛研究，以及重要的工業(yè)工具基地。因此，硅清潔技術(shù)是迄今為止在所有具有實際重要性的半導體中最真實的技術(shù)。 第一個完整的，基于科學考慮的清潔配方專門設(shè)計來清除Si表面 提出了顆粒、金屬和有機污染物在1970年。?從那時起，硅清潔技術(shù)就被經(jīng)歷著持續(xù)的進化變化。?然而令人驚訝的是，最先進的硅清潔仍大致依靠同樣的化學溶液，只是它們的方式不同準備和交付到晶圓，是非常不同的這是最初提議的。?另外，選擇曲面?zhèn)鹘y(tǒng)上由濕式清潔化學物質(zhì)形成的調(diào)節(jié)功能。然而，和現(xiàn)在一樣先進的是硅清洗方法不能滿足各種各樣的出現(xiàn)需求半導體技術(shù)跨越光譜材料和器件結(jié)構(gòu)在實現(xiàn)方法和化學方面。?兩個關(guān)鍵挑戰(zhàn)是本文綜述。?第一個挑戰(zhàn)是關(guān)于越來越重要的非平面硅器件，如新一代MOS柵極堆棧，微電子-機械系統(tǒng)(MEMS)器件和納米線。

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應(yīng)用程序：略

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總結(jié)

本文講述了非平面硅基器件，硅以外的半導體等問題。這篇概述的目的是為了證明challenges清潔和表面處理技術(shù)是面向的，因為一方面硅技術(shù)是非平面的另一方面，硅以外的半導體在一系列領(lǐng)域的發(fā)展比以往任何時候都更加積極。

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