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用單晶片處理器選擇性濕蝕刻磷酸中的 Si3N4/SiO2 的設(shè)計(jì)
在濕法工藝實(shí)施中使用單晶片處理器是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的一種趨勢(shì)，因?yàn)樗哂袩o污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率等優(yōu)點(diǎn)。然而，在去除氮化硅的過程中，不僅是磷酸消耗的成本問題，還有蝕刻速率、均勻性和選擇性等工藝性能，是使該工藝難以切換到單晶圓類型的障礙。從長(zhǎng)凳類型。在這里，我們提出了一種新穎的設(shè)計(jì)，它引入了一個(gè)上晶圓加熱板來保持磷酸蝕刻劑的高溫，以克服單晶圓處理器在氮化物方面存在的蝕刻速率低、均勻性差和選擇性低的常見問題。剝離過程。在這項(xiàng)工作中，研究了單晶片處理器中的操作變量（如轉(zhuǎn)速、熔池時(shí)間和溫度）對(duì)蝕刻速率、均勻性和選擇性的交互影響，以深入了解該過程。蝕刻選擇性明顯從約降低。100 到60 當(dāng) H3PO4 溫度從 144°C 增加到 154°C 而引入加熱板已被證明可以顯著提高蝕刻選擇性。
在半導(dǎo)體制造中，氮化硅 (Si3N4) 和二氧化硅 (SiO2) 是最典型和廣泛使用的介電材料，用作硬掩模、犧牲層、注入間隔物或應(yīng)力誘導(dǎo)膜。?氮化硅通?？梢酝ㄟ^各種方法去除，例如干法蝕刻、HF、BOE（緩沖氧化物蝕刻）等。 然而，氮化硅對(duì)磷酸介質(zhì)中的氧化物的高蝕刻選擇性使得氧化硅充當(dāng)蝕刻停止層，以保護(hù)下層膜或結(jié)構(gòu)免受氮化膜條帶產(chǎn)生的損壞。
多年來，在批量晶片清洗過程中，磷酸 (H3PO4) 和水 (H2O) 的混合物一直被用于選擇性蝕刻 Si3N4 膜而不是 SiO2 層。該工藝需要完全去除 Si3N4，但保持最小的 SiO2 損失。
半導(dǎo)體制造中針對(duì)二氧化硅膜選擇性剝離氮化硅膜的傳統(tǒng)工藝使用商業(yè) H3PO4 溶液，該溶液由 85% H3PO4 和 15% H2O 組成，在高溫下（約 140–180°C）。將此溶液填充在工作臺(tái)工具中，加熱至高溫，保持恒定......
實(shí)驗(yàn)性的???略
儀器，實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)? ?略
結(jié)果和討論????略
加熱板的影響，轉(zhuǎn)速和槳葉時(shí)間對(duì)氮化硅蝕刻速率的影響? ? 略
結(jié)論?????略
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