掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料

摘要

按照典型的雙大馬士革工藝一步一步地識別晶圓斜面、背面和隔離區(qū)的銅(Cu)污染。?物理氣相沉積系統(tǒng)的屏蔽環(huán)不能有效地保護(hù)隔離區(qū)和斜面。?此外，銅可能溶解和積聚在用于介質(zhì)后蝕刻清潔的溶劑中。?溶解的銅原子則可能 ?

再沉積在晶圓表面。?此外，粗糙的后側(cè)面比光滑的前側(cè)面更容易捕獲銅原子。?如果背面表面沒有SiO2膜，用稀HF進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光清洗后，不能去除背面表面的Cu。?提出了一種優(yōu)化的單片自旋腐蝕工藝。?以HF、HNO3、H2SO4、H3PO4的配比為0.5:3:1:0.5時，蝕刻劑性能最佳。?實(shí)驗(yàn)表明，在很短的時間內(nèi)，10 s的后側(cè)清洗可以完全去除后側(cè)表面、斜面和2mm隔離區(qū)的銅。?提出了一種“晶圓漂移”方法，解決了由于蝕刻殘余而導(dǎo)致的邊緣引腳附近的針痕問題。?優(yōu)化后的清洗工藝比以往報道的清洗工藝時間更短，清洗效率更高。 ?

隨著集成電路處理技術(shù)的進(jìn)步，特征尺寸不斷縮小。?由于器件性能和電路密度的提高而縮短。??通道長度和更小的器件幾何形狀，由于金屬線更細(xì)更長和它們之間的空間更窄，多電平互連的電阻和電容都增加了。?銅(Cop- per, Cu)因其低電性而被認(rèn)為是鋁互連材料中最合適的替代材料。??

電阻率和優(yōu)良的電遷移電阻。?然而，銅在硅和二氧化硅中都是一種快速擴(kuò)散體。?3-5介質(zhì)中的銅污染會導(dǎo)致器件不穩(wěn)定性和介質(zhì)可靠性的降低。?6-12此外，硅中的銅作為缺陷中心，破壞少數(shù)載流子壽命并增加結(jié)漏電流。?13-17在控制晶圓片正面表面的銅污染方面做了大量的工作。?

?工藝過程中的銅污染???略

設(shè)備檢查??????略

產(chǎn)品驗(yàn)證?????略

結(jié)論???略

?

文章全部詳情，請加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁

?