掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料

摘要

半導體晶片在從裸硅晶片轉變?yōu)檠b有數(shù)百萬個晶體管電路的晶片之前，要經(jīng)過多種工藝。此類工藝包括物理或化學氣相沉積（PVD、CVD）、化學機械平面化 (CMP)、等離子蝕刻、快速熱處理 (RTP) 和光刻。隨著特征尺寸不斷縮小，過程控制在這些過程中的每一個中都扮演著越來越重要的角色。基于模型的控制方法是為先進半導體設備設計商業(yè)控制器的有效手段。我們將概述先進控制在半導體行業(yè)中的應用。根據(jù)我們的經(jīng)驗，控制設計的最佳模型大量借鑒了過程的物理學。這些模型用于特定控制應用的方式取決于性能目標。在某些情況下，例如 RTP 和光刻，閉環(huán)控制完全取決于系統(tǒng)具有非常好的物理模型。對于 CMP 等其他過程，物理模型必須與經(jīng)驗模型結合或完全是經(jīng)驗模型。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運行控制器，或其組合。本文中介紹的三個案例研究（RTP、CMP 和光刻）代表了先進控制在半導體行業(yè)的前沿應用。對于 CMP 等其他過程，物理模型必須與經(jīng)驗模型結合或完全是經(jīng)驗模型。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運行控制器，或其組合。本文中介紹的三個案例研究（RTP、CMP 和光刻）代表了先進控制在半導體行業(yè)的前沿應用。對于 CMP 等其他過程，物理模型必須與經(jīng)驗模型結合或完全是經(jīng)驗模型。所得的多變量控制器可以是原位前饋反饋或逐次運行控制器，或其組合。本文中介紹的三個案例研究（RTP、CMP 和光刻）代表了先進控制在半導體行業(yè)的前沿應用。

?

簡介

在生產(chǎn)集成電路之前，半導體晶片經(jīng)歷了廣泛的工藝步驟 [1]-[3]。圖 1 說明了制造超大規(guī)模集成 (ULSI) 電路（例如微處理器 [4]）的一些步驟。關鍵步驟是物理氣相沉積 (PVD) 和化學氣相沉積 (CVD)、光刻、等離子蝕刻、快速熱處理 (RTP) 和化學機械平面化 (CMP)。多年來的標準做法是一次在許多晶圓上分批執(zhí)行這些步驟，以生產(chǎn)大量相同的芯片。為了響應對芯片上器件的臨界尺寸 (CD) 越來越小的需求，并在要生產(chǎn)的芯片的種類和數(shù)量方面提供更大的靈活性，用于制造集成電路的工具的制造商已經(jīng)轉向需要精確控制的單晶圓工藝。有趣的是，制造芯片的過程現(xiàn)在開始使用需要制造芯片的計算能力的控制器。另一個趨勢是在一個“集群”中執(zhí)行幾個相關的步驟，該集群由集成到一臺機器中的多個腔室組成。

結論

我們簡要概述了一些重要半導體制造設備的工藝建模和控制系統(tǒng)設計問題，重點介紹了三個重要工藝 RTP、CMP 和光刻。由于越來越嚴格的性能要求，基于模型的反饋前饋控制系統(tǒng)設計變得越來越普遍，除了現(xiàn)在在晶圓廠中普遍使用的逐次運行控制。略

?

本文簡述動態(tài) CMP 模型 ，光刻晶片臺定位系統(tǒng)，控制器結構等問題

?

文章全部詳情，請加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁