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隨著我們進入由物聯(lián)網(wǎng) (IoT)、大數(shù)據(jù)和人工智能 (AI) 驅(qū)動的新計算時代，對更節(jié)能芯片的需求不斷增長。在這種情況下，我們通常會想到摩爾定律和減小晶體管的尺寸。?

然而，功率半導體的進步不受節(jié)點尺寸縮小的影響。MOSFET 和 IGBT 等硅功率開關(guān)設計用于處理 12V 至 +3.3kV 的電壓和數(shù)百安培的電流。通過這些開關(guān)的功率很大！但它們的能力是有限的，這推動了碳化硅 (SiC) 等具有卓越性能的新材料的開發(fā)。?

碳化硅是一種化合物半導體材料，它結(jié)合了硅和碳，創(chuàng)造了硅的超級英雄表親。要讓電子開始在材料內(nèi)自由移動，需要多出三倍的能量。這種更寬的帶隙使材料具有有趣的特性，例如更快的開關(guān)和更高的功率密度。我將重點介紹 SiC 器件可以帶來顯著優(yōu)勢的兩個用例。?

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汽車中的碳化硅

第一個例子是汽車。據(jù)研究公司 Yole Developpement 稱，道路上有超過 10 億輛汽車。截至 2017 年，190 萬輛汽車或約 0.2% 是電動汽車。預計到 2040 年，這一比例將增長到 50%，因此提高能效的影響可能相當大。 ?

電動汽車通常具有為車輪提供動力的主電機。部署了六個功率晶體管和二極管來轉(zhuǎn)動電機。每個晶體管都需要能夠阻止 700V 和開關(guān)幾百安培。大多數(shù)電源開關(guān)使用脈寬調(diào)制 (PWM) 技術(shù)，這意味著它們每秒打開和關(guān)閉數(shù)千次。當晶體管打開和關(guān)閉時，狀態(tài)之間存在轉(zhuǎn)換延遲（圖 1）。就像轉(zhuǎn)動水龍頭一樣，完全打開和關(guān)閉閥門需要時間，在此期間，可能會浪費一些水。在晶體管中也會發(fā)生同樣的情況。在電源應用中，一個關(guān)鍵目標是盡快切換設備，以最大限度地減少浪費的電源并實現(xiàn)更高的效率。?

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?圖1.圖 2. SiC

太陽能中的碳化硅

SiC 的另一個應用是太陽能逆變器，其尺寸僅為基于 IGBT 的解決方案的一半。SiC 更快的開關(guān)速度意味著制造商可以減小系統(tǒng)中無源元件的尺寸。大電容器和變壓器可以用較小的替代品代替。散熱器尺寸可以減小。隨著系統(tǒng)效率的提高，能量捕獲最大化。?

使能碳化硅

雖然 SiC 器件具有令人興奮的潛力，但也存在制造問題。一個主要的挑戰(zhàn)是基板缺陷?；嫖诲e和螺旋位錯會產(chǎn)生“致命缺陷”，碳化硅器件必須減少這些缺陷才能實現(xiàn)商業(yè)成功所需的高良率。應用材料公司正在與包括 SiC 晶圓制造商和 IDM 在內(nèi)的生態(tài)系統(tǒng)參與者合作，專門解決可制造性問題。我們將在以后的博客中討論這些發(fā)展。

許多行業(yè)預測者認為，碳化硅最終將在更高電壓和功率的應用中取代硅。隨著該行業(yè)采用 SiC，它可以應對更大的功率和效率挑戰(zhàn)，并且與所有超級英雄一樣，有助于讓世界變得更美好。?

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