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流程概覽

? ? ? ? 硅半導體器件加工的描述，可以是分立器件（僅包含一個有源器件的半導體，例如晶體管）或 IC（能夠執(zhí)行至少一個電子電路功能的單個半導體襯底內(nèi)的有源和無源元件的互連陣列） ，涉及許多高度技術性和特定的操作。本說明的目的是提供基本框架和解釋，用于制造硅半導體器件的主要組件步驟以及相關的環(huán)境、健康和安全 (EHS) 問題。

? ? ? ?IC 的制造涉及一系列過程，在電路完成之前，這些過程可能會重復多次。最流行的 IC 使用 6 個或更多掩膜來完成圖案化工藝，典型的是 10 到 24 個掩膜。微電路的制造始于直徑 4 至 12 英寸的超高純度硅晶片。完全純凈的硅幾乎是一種絕緣體，但某些雜質(zhì)（稱為摻雜劑）以百萬分之 10 到 100 的量添加，使硅導電。

? ? ? 集成電路可以由數(shù)百萬個由摻雜硅制成的晶體管（還有二極管、電阻器和電容器）組成，所有晶體管都通過適當?shù)膶w模式連接，以創(chuàng)建計算機邏輯、存儲器或其他類型的電路。在一塊晶圓上可以制作數(shù)百個微電路。

? ? ? 六個主要的制造工藝步驟適用于所有硅半導體器件：氧化、光刻、蝕刻、摻雜、化學氣相沉積和金屬化。接下來是組裝、測試、標記、包裝和運輸。

氧化???略

光刻???略

濕化學??略

化學氣相沉積???略

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