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流程概覽

? ?? ?硅半導(dǎo)體器件加工的描述，可以是分立器件（僅包含一個(gè)有源器件的半導(dǎo)體，例如晶體管）或 IC（能夠執(zhí)行至少一個(gè)電子電路功能的單個(gè)半導(dǎo)體襯底內(nèi)的有源和無(wú)源元件的互連陣列） ，涉及許多高度技術(shù)性和特定的操作。本說(shuō)明的目的是提供基本框架和解釋，用于制造硅半導(dǎo)體器件的主要組件步驟以及相關(guān)的環(huán)境、健康和安全 (EHS) 問(wèn)題。

? ? ? IC 的制造涉及一系列過(guò)程，在電路完成之前，這些過(guò)程可能會(huì)重復(fù)多次。最流行的 IC 使用 6 個(gè)或更多掩膜來(lái)完成圖案化工藝，典型的是 10 到 24 個(gè)掩膜。微電路的制造始于直徑 4 至 12 英寸的超高純度硅晶片。完全純凈的硅幾乎是一種絕緣體，但某些雜質(zhì)（稱為摻雜劑）以百萬(wàn)分之 10 到 100 的量添加，使硅導(dǎo)電。

? ? ? 集成電路可以由數(shù)百萬(wàn)個(gè)由摻雜硅制成的晶體管（還有二極管、電阻器和電容器）組成，所有晶體管都通過(guò)適當(dāng)?shù)膶?dǎo)體模式連接，以創(chuàng)建計(jì)算機(jī)邏輯、存儲(chǔ)器或其他類型的電路。在一塊晶圓上可以制作數(shù)百個(gè)微電路。

? ? ? 六個(gè)主要的制造工藝步驟適用于所有硅半導(dǎo)體器件：氧化、光刻、蝕刻、摻雜、化學(xué)氣相沉積和金屬化。接下來(lái)是組裝、測(cè)試、標(biāo)記、包裝和運(yùn)輸。

氧化???略

光刻???略

濕化學(xué)??略

化學(xué)氣相沉積???略

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