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摘要?

? ? ? ?硅主導(dǎo)半導(dǎo)體行業(yè)是有充分理由的。?一個(gè)因素是穩(wěn)定，容易形成，絕緣氧化物，這有助于高性能 并允許實(shí)際處理。?這些美德如何才能作為新的美德繼續(xù)存在對(duì)完整性、特征尺寸的小型化和其他方面提出了要求 尺寸，以及對(duì)加工和制造方法的限制??這些需求使得識(shí)別、量化和預(yù)測(cè)控制增長(zhǎng)的關(guān)鍵變得至關(guān)重要以及原子尺度上的缺陷過程。理論與新實(shí)驗(yàn)的結(jié)合(同位素方法、電子方法) 噪聲、自旋共振、脈沖激光原子探針等解吸方法，特別是掃描隧道顯微鏡或原子力顯微鏡)提供了工具他對(duì)模型的影響剛剛得到認(rèn)可。?我們討論電流硅氧化的統(tǒng)一模型，超越了傳統(tǒng)的描述的動(dòng)力學(xué)和橢偏數(shù)據(jù)，明確地解決問題提出同位素實(shí)驗(yàn)。?這個(gè)框架仍然是Deal-Grove模式提供了一種現(xiàn)象學(xué)來描述行為的主要機(jī)制給出了一個(gè)基礎(chǔ)，從這個(gè)基礎(chǔ)可以對(duì)實(shí)質(zhì)性的偏差進(jìn)行描述在這個(gè)模型中，生長(zhǎng)受到擴(kuò)散和界面反應(yīng)的限制 系列。?與Deal-Grove的差異僅對(duì)第一批投資者最為顯著幾十個(gè)氧化物原子層，這對(duì)超薄的氧化物層至關(guān)重要現(xiàn)在要求。?幾個(gè)重要的特征出現(xiàn)了。?首先是壓力的作用和應(yīng)力松弛。?其次是最接近硅的氧化物的性質(zhì)進(jìn)一步分析了其缺陷及其與非晶化學(xué)計(jì)量氧化物的區(qū)別輸出，無(wú)論是在組成、網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浠蚱渌矫妗?第三,我們必須考慮固定和移動(dòng)物種的電荷狀態(tài)。?在薄膜中不同的介電常數(shù)，圖像項(xiàng)可能很重要;?這些方面影響光譜解釋，氧化劑種類的注入和相對(duì)缺陷穩(wěn)定性。?隨著鉛濃度的提高，這一點(diǎn)變得更加重要與界面應(yīng)力相關(guān)。?這就進(jìn)一步提出了關(guān)于完美的問題的氧化物隨機(jī)網(wǎng)絡(luò)和合并的間隙種分子氧。重要的是界面粗糙度。?這些特性取決于預(yù)柵氧化物清洗并確定要氧化的硅表面可能有對(duì)上面列出的特性的影響。

介紹 ?

? ? ? 硅一直主導(dǎo)著半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)久以來，這兩者幾乎成了同義詞。在一定程度上，這是優(yōu)秀的基礎(chǔ)教育的結(jié)果硅的性質(zhì);?部分原因是經(jīng)驗(yàn)的豐富在材料控制方面，以便克服障礙有信心。?在一定程度上，它也是附屬性質(zhì)就像一種容易形成的，穩(wěn)定的，絕緣的氧化物允許在加工和高路線的獨(dú)創(chuàng)性的性能。?是氧化物提供了邊緣對(duì)于硅(在其他因素中)，例如111-Vs，或鉆石。?工業(yè)驅(qū)動(dòng)著更高的包裝 ?CMOS器件的密度要求這種技術(shù)優(yōu)勢(shì)需要更薄的氧化物來維持門電介質(zhì)。?硅的霸主地位能維持下去嗎? 在納米級(jí)時(shí)，是否需要新的方法比例真的是正確的特征長(zhǎng)度嗎??有新問題，也有新機(jī)遇嗎??為 ?主要領(lǐng)域半導(dǎo)體技術(shù)，范圍廣泛因素包括:氧化物的分解和磨損，具有足夠的過程控制和噪音的制造能力與氧化物中的陷阱，氧化物中的電荷有關(guān)影響界面附近的傳輸?shù)?。因此，在這次審查中，我們集中討論如何著手我們對(duì)薄的生長(zhǎng)和性質(zhì)的理解。

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本文講述了C J索菲爾德和A M斯通漢姆，氧化的基本概念，Si/氧化物界面附近的氧化物性質(zhì)等一些問題。

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