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摘要
? ? ? ?對幾種氮化鎵蝕刻技術(shù)進行了綜述和比較。本實驗選用了氮化鎵二元蝕刻技術(shù),用Dektak輪廓儀和AFM測量了蝕刻后的氮化鎵輪廓。三種類型的氮化鎵薄膜,如本征氮化鎵、n型氮化鎵和p型氮化鎵薄膜。
關(guān)鍵詞:氮化鎵,氮化物,二元蝕刻,輪廓儀,原子力顯微鏡 ?
介紹
? ? ? 氮化鎵作為一種寬禁帶III-V化合物半導(dǎo)體近年來得到了廣泛的研究。高性能GaN het和MOSFET都已經(jīng)被證明。氮化鎵處理技術(shù)是實現(xiàn)氮化鎵基器件良好性能的關(guān)鍵。大多數(shù)氮化鎵的蝕刻采用等離子體蝕刻,存在易產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得光滑的蝕刻側(cè)壁等缺點。
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圖1所示 幾種蝕刻技術(shù)的蝕刻速率
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圖2 用幾種蝕刻技術(shù)蝕刻后的氮化鎵表面粗糙度
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