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導言:
薄晶片已經成為各種新型微電子產品的基本需求。其中包括用于射頻識別系統的功率器件、分立半導體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉移之外，垂直系統集成和微機電系統器件中的新概念要求晶片厚度減薄到小于150米。
機械研磨是最常見的晶圓減薄技術，因為其減薄速率高。商業(yè)上可獲得的研磨系統通常使用兩步工藝，首先以非常高的速率(5 m/sec)進行粗研磨，然后以降低的速率進行后續(xù)的細研磨工藝。
實驗性:
實驗是在SSEC 3300系統上進行的。在蝕刻過程中，有許多工藝參數可以改變。為了這個研究的目的，使用了單一的蝕刻化學物質。溫度、流速、分配曲線、旋轉速度和室排氣是可以通過工藝步驟編程的參數。我們希望關注對工藝影響最大的工具參數，因此選擇了溫度、旋轉速度和流速。
所使用的化學物質是氫氟酸、硝酸、硫酸和磷酸的混合物，并且作為旋蝕刻劑在市場上可以買到。化學物質的再循環(huán)使用SSEC的開放式或封閉式收集環(huán)技術進行。
圖1:蝕刻過程中的SSEC收集環(huán)和液流分配
采用JMP軟件進行三因素三水平的Box-Behnken響應面試驗設計。
測量的響應是蝕刻速率、TTV和表面粗糙度? ?略
結果????略
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