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摘要
在過去的30年里,基于硅的電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。?然而,在過去的幾年里,改進的速度已經放緩,因為硅功率MOSFET已經逐漸接近它的理論界限。?在硅襯底上生長的氮化鎵可以在電力管理市場的很大一部分取代硅。 ?
介紹
?這些大多數載波設備比它們的少數載波同行更快,更堅固,有更高的電流增益。?因此,開關電源轉換成為商業(yè)現(xiàn)實。?早期臺式電腦的AC/DC開關電源是功率的最早批量消費者,其次是變速電機驅動器、熒光燈或DC/DC轉換器。?多年來,幾家制造商已經開發(fā)了許多代功率mosfet。?仍有改進之處。?例如,超結器件和igbt已經實現(xiàn)了電導率的提高,超過了簡單垂直多數載流子MOSFET的理論極限。?這些創(chuàng)新可能還會持續(xù)相當長的一段時間,并且肯定能夠利用功率MOSFET的低成本結構和受過良好教育的設計師基礎。
GaN在電力電子領域的開端
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圖1:硅上的GaN器件有一個非常簡單的結構,類似于橫向DMOS,可以在標準CMOS鑄造廠進行處理 ?
功率半導體
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圖2:硅器件和氮化鎵器件在200V額定電壓下的尺寸比較 ?
氮化鎵功率晶體管的新功能
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?圖3:Buck變換器效率vs電流的各種輸入電壓使用單個100V EPC1001作為頂部和底部晶體管?
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