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摘要 ?

本文提出了一種新的室溫濕化學(xué)數(shù)字蝕刻砷化鎵技術(shù)，該技術(shù)采用雙氧水和酸兩步蝕刻工藝，?第二步用一種不攻擊未氧化砷化鎵的酸除去氧化層。?這些步驟依次重復(fù)，直到得到所需的蝕刻深度。

介紹 ?

現(xiàn)代生長技術(shù)如分子束和金屬有機化學(xué)氣相沉積已經(jīng)證明了以原子層精度、可控物質(zhì)摩爾分?jǐn)?shù)和精確摻雜濃度來生長半導(dǎo)體能力。?這種可控性使得材料結(jié)構(gòu)的生長具有最佳的器件性能，這是由器件理論和建模決定的。?因為數(shù)字蝕刻技術(shù)去掉了材料中的幾個原子層 ，這是一種可控的方式，可以為制造最佳器件提供蝕刻所需的材料。?一般來說，數(shù)字蝕刻技術(shù)由兩步化學(xué)過程組成去除固定厚度的材料。 ?

標(biāo)準(zhǔn)的111-V半導(dǎo)體濕化學(xué)蝕刻 ?

通過氧化半導(dǎo)體表面和蝕刻產(chǎn)生氧化。由氧化暈劑和絡(luò)合(氧化蝕刻)劑組成的液體混合物中的半導(dǎo)體。?因此，氧化和蝕刻同時發(fā)生反映，導(dǎo)致蝕刻深度取決于半導(dǎo)體暴露在蝕刻劑中的時間。??

數(shù)字腐蝕實驗 ?

介紹了幾種濕法化學(xué)數(shù)字蝕刻技術(shù)試圖確定一個能提供一致和可再生的效果是?蝕刻的一個重要步驟。

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數(shù)字蝕刻實驗結(jié)果 ??略

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