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摘要

污染的控制在微電子組件制造過(guò)程中，這是一項(xiàng)不容忽視的關(guān)鍵問(wèn)題。迄今半導(dǎo)體業(yè)界已投入許多心血,在減低制造環(huán)境中顆粒(Particle) 和殘留物(Residue)的數(shù)量，進(jìn)而防止 缺陷(Defect)產(chǎn)生和提高良率(Yield)。 除了致力于防止工藝中之污染物入侵 到電子組件外，清洗工藝仍然持續(xù)占據(jù)整個(gè)微電子制造過(guò)程之很大成分。

典型污染物及其影響

? ? ? 先進(jìn)構(gòu)裝清洗工藝要去除之典型 污染物，包括：表面氧化物、有機(jī)膜、 離子性污染物、錫鉛助熔劑殘留物、 光阻層、以及一般殘留物與微粒等。

氧化物、有機(jī)膜和離子性污 染物?????略

錫鉛助熔劑(Solder Flux)之殘 留物????略

濕式清洗和蝕刻之化學(xué)機(jī)制

? ? ? 清洗工藝是指選擇性地 (Selectively)去除不需要的材料，并且 盡可能不要損害到電子組件本身的材 料。蝕刻也可考慮為清洗工藝的一 種，其目的在選擇性移除不需要材 料，以形成一種預(yù)期需要的圖案，或 者制造一個(gè)功能組件。

晶圓級(jí)構(gòu)裝之濕式清洗和蝕刻工藝? 略

結(jié)論

? ? ? 有關(guān)晶圓級(jí)構(gòu)裝之濕式工藝和設(shè) 備,在本文中已針對(duì):污染物種類、清 洗和蝕刻之化學(xué)機(jī)制、以及重要濕式 工藝和設(shè)備，作了詳細(xì)分析與整理。???略

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