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摘要

幾乎所有的直接晶圓鍵合都是在化學(xué)機(jī)械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進(jìn)行的。在晶圓鍵合中引入化學(xué)機(jī)械拋光將使大量材料適用于直接晶圓鍵合，這些材料在集成電路、集成光學(xué)、傳感器和執(zhí)行器以及微機(jī)電系統(tǒng)中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)并將發(fā)現(xiàn)更多應(yīng)用。

介紹

化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 是一種經(jīng)常用于制造高質(zhì)量透鏡和反射鏡以及用于集成電路 (IC) 工藝的硅晶片制備的技術(shù)。自 1990 年代初以來，CMP 正成為現(xiàn)代亞微米 (0.35 |±m(xù)) 超大規(guī)模集成 (VLSI) 電路中層間電介質(zhì) (ILD) 平面化和/或金屬層平面化的關(guān)鍵工藝。

DWB 中表面形態(tài)學(xué)的影響

典型的 DWB 工藝包括三個步驟：晶圓清潔、室溫鍵合和退火。為了實(shí)現(xiàn)自發(fā)、無空隙的室溫鍵合，晶片表面應(yīng)該平坦、干凈且極其光滑。

?CMP的表面平滑度工藝

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CMP 與?DWB 的關(guān)系

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應(yīng)用

晶圓鍵合在 IC、IO、S&A 和 MEMS 中的應(yīng)用刺激了硅以外材料的鍵合，其中使用了廣泛的材料。在大多數(shù)情況下，在應(yīng)用常規(guī)鍵合之前，需要進(jìn)行 CMP 步驟。

結(jié)論

DWB 對表面平滑度的嚴(yán)格要求使 CMP 成為制備適合鍵合的晶片表面的最佳工藝，并且可能是唯一工藝。略

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