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摘要

制備了 53 種已使用或可能可用于制造微機(jī)電系統(tǒng)和集成電路的材料樣品：具有兩種摻雜水平的單晶硅、具有兩種摻雜水平的多晶硅、多晶鍺、多晶 SiGe、石墨、熔融石英，Pyrex 7740，二氧化硅的其他九種制劑，氮化硅的四種制劑，藍(lán)寶石，氧化鋁的兩種制劑。

簡(jiǎn)介

HEN 在設(shè)計(jì)微加工工藝時(shí)，必須知道要蝕刻的每種材料的蝕刻速率。例如掩蔽膜和底層，使得可以選擇蝕刻工藝以獲得良好的選擇性（目標(biāo)材料的蝕刻速率與其他材料的蝕刻速率的高比率）。

蝕刻速率?略

濕蝕刻???略

干蝕刻????

磷： 磷酸（按重量計(jì) 85%），160。它是為數(shù)不多的氮化硅濕法蝕刻之一。因?yàn)樗鼤?huì)蝕刻光刻膠，所以必須使用另一種掩蔽材料，例如氧化物。這里報(bào)告的化學(xué)計(jì)量和富含硅的 LPCVD 氮化硅的蝕刻速率比之前報(bào)告的要快 。蝕刻速率對(duì)溫度非常敏感，這個(gè)浴槽可能要高幾度。還發(fā)現(xiàn)熱磷酸能快速蝕刻鋁。??略

蝕刻速率變化

蝕刻速率變化的許多原因在前面已經(jīng)列舉過(guò)。其中最重要的一項(xiàng)是材料的特性，這是生產(chǎn)方法和后續(xù)加工（例如退火）的結(jié)果。通過(guò)檢查表 III 可以看出這一點(diǎn)：主要是二氧化硅的材料在 5:1 BHF 和其他蝕刻劑中的蝕刻速率差異很大。

結(jié)論

表中的數(shù)據(jù)顯示了對(duì)大多數(shù)材料有用的蝕刻劑，并指出了材料在哪種蝕刻劑中可以存活。如果光刻膠不夠用，它們還可用于計(jì)算選擇掩膜層的選擇性。對(duì)于表面微加工，傳統(tǒng)的材料和蝕刻劑系統(tǒng)是多晶硅的結(jié)構(gòu)材料，多晶硅的下層，基于二氧化硅、氮化硅或硅片的犧牲層，以及基于 HF 的蝕刻劑。

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