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摘要

半導(dǎo)體器件的制造工程使光電儀器、激光二極管和無線通信設(shè)備以及許多其他現(xiàn)代設(shè)備成為可能。從 1947 年 Bardeen、Brittain 和 Shockley 在貝爾實驗室發(fā)明晶體管以及大約十年后 Kilby 和 Noyce 引入集成電路開始，半導(dǎo)體器件極大地推動了計算和電子行業(yè)的發(fā)展。

半導(dǎo)體材料，如硅、鍺、砷化鎵和磷化銦，既不是良好的絕緣體，也不是良好的導(dǎo)體，但它們具有固有的電氣特性，因此通過控制添加雜質(zhì)，它們的導(dǎo)電性可以達到改變了。由于需要制造微米級和納米級器件，半導(dǎo)體行業(yè)遵循“摩爾定律”，即集成電路上的晶體管數(shù)量大約每兩年呈指數(shù)增長的趨勢。制造這些集成電路的微小特征是通過對半導(dǎo)體材料進行等離子體蝕刻來實現(xiàn)的。

介紹

InGaP 和 InGaAsSb 等半導(dǎo)體對于發(fā)光設(shè)備以及通信設(shè)備和電子設(shè)備都很重要。這些器件的制造是通過等離子蝕刻實現(xiàn)的，其中電離氣體混合物通過化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊來蝕刻基板。在用于這些目的的等離子蝕刻中，銦產(chǎn)品沒有那么易揮發(fā)，而且通常比其他半導(dǎo)體材料更難去除。

實驗性

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圖 1 是晶片層的簡化的表示

結(jié)果與討論

在第一輪蝕刻過程之后，結(jié)果尚無定論?？磥頋裎g刻溶液沒有選擇性地蝕刻晶片。假設(shè)晶片可能已經(jīng)倒置，這意味著正在蝕刻更厚的 GaAs 底層而不是 750? 頂層。在第二輪蝕刻過程中，小心地使用劃線器標記每個樣品的底面。

結(jié)論?

使用 H2SO4: H2O2: 去離子水以~8.6 ?/s 的速度從下面的 InGaP 層去除 GaAs 外延蓋層的選擇性濕蝕刻工藝已經(jīng)開發(fā)出來。

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