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摘要
眾所周知，高劑量離子注入 (HDI) 光刻膠難以通過(guò)常規(guī)濕法剝離（例如硫酸-過(guò)氧化物混合物）去除，而不會(huì)因?yàn)槠涮蓟鈿佣鴮?dǎo)致基板損失。為了克服這個(gè)問(wèn)題，提出了幾種方法，例如干蝕刻濕法，輔助物理清潔。在本文中，介紹了一種在同一腔室中使用干法和濕法相結(jié)合的剝離 HDI 光刻膠的新方法，以實(shí)現(xiàn)在不損失基板的情況下去除 HDI 光刻膠。一個(gè)新的過(guò)程包括兩個(gè)步驟。第一個(gè)過(guò)程通過(guò)大氣壓電感耦合氫等離子體去除碳化外殼層，第二個(gè)過(guò)程通過(guò)硫酸-臭氧混合物去除剩余的本體光刻膠。新工藝可以去除 HDI 光刻膠而不會(huì)造成任何基板損失。
傳統(tǒng)上，光刻膠已使用等離子灰化的組合剝離，低壓氧氣和浸漬濕法處理。然而， 由于等離子體灰化后的材料損壞，典型的灰化工藝已成為納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)器件中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。因此，在光刻膠剝離中實(shí)施全濕法或其他無(wú)損傷工藝是必不可少的。
實(shí)驗(yàn)性
氣壓電感耦合等離子體 (AICP)?！?低壓等離子體已用于半導(dǎo)體行業(yè)。然而，這里描述的新工藝要求在大氣壓下產(chǎn)生干凈的等離子體，因?yàn)樗糜陂_(kāi)放室單晶片、自旋清潔系統(tǒng)。因此，我們采用了 AICP 技術(shù)。該技術(shù)具有以下特點(diǎn)。
1.?等離子體非常干凈，因?yàn)殡姼旭詈系入x子體 (ICP) 沒(méi)有電極，這是金屬污染的來(lái)源。
2.?該設(shè)備的結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，因?yàn)椴恍枰忾]的腔室。
3.?可以產(chǎn)生高密度等離子體。
4.?可以產(chǎn)生含有各種氣體的等離子體
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圖 ?單晶片旋濕清洗系統(tǒng)的卡盤(pán)和腔室的橫截面示意圖
結(jié)果與討論??略? ?
文章全部詳情，請(qǐng)加華林科納V了解：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁