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摘要

? ? ? 研究了使用基于硫酸的化學(xué)品去除光刻膠灰化殘留物。樣品是通過離子注入圖案化的、紫外線硬化的光刻膠制備的。通過測量有機物、金屬和顆粒表面濃度來確定灰后清潔的功效。硫酸-硝酸混合物和硫酸-過氧化氫混合物對于去除金屬污染物非常有效。這兩種化學(xué)方法對微粒和有機殘留物都不是很有效。當(dāng)基于硫酸的清潔后跟 RCA 類型的工藝順序時，觀察到高效的整體清潔。冗余清理沒有提供額外的好處。通過減少基于硫酸的清潔次數(shù)，或者對于某些后灰應(yīng)用，可以通過用 RCA 型工藝代替它們來簡化后灰清潔。

介紹

? ? ? 氧化化學(xué)物質(zhì)已被用于剝離光刻膠和作為光刻膠后的灰化清潔劑使用多年。這些氧化化學(xué)物質(zhì)通?；诹蛩?，并結(jié)合強氧化劑，例如過氧化氫或硝酸。盡管已經(jīng)進(jìn)行了大量研究來評估這些基于硫酸的化學(xué)物質(zhì)去除光刻膠的功效，但在公開文獻(xiàn)中關(guān)于使用這些化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行灰后清潔的信息相對較少。之前關(guān)于光刻膠剝離的大部分工作都集中在優(yōu)化硫酸化學(xué)的混合比以實現(xiàn)最大絕熱溫度 (1,2)。這種優(yōu)化技術(shù)可能適用于去除體光刻膠。

性

樣品制備

? ? ? 許多因素已知會影響或被認(rèn)為會影響光刻膠灰化的功效 (3)。這些因素包括植入物種類和劑量、光刻膠厚度和軌道烘烤條件、紫外線穩(wěn)定參數(shù)，也許最重要的是用于執(zhí)行光刻膠灰化的工具和工藝參數(shù)。為這項研究準(zhǔn)備的所有晶片都是 150 毫米監(jiān)控級硅，上面已經(jīng)生長了 10 納米的屏蔽氧化物。氧化后，旋涂光刻膠，使用掩模版測試結(jié)構(gòu)掩?；?CMOS 工藝層掩模在 I 線步進(jìn)機上曝光，并顯影軌跡。最后，晶片在紫外線穩(wěn)定劑中固化，注入不同劑量和能量的 75As+ 或 31P+，并在下游的氧等離子體灰化器中灰化。

清潔實驗???????略

結(jié)果與討論

? ? ? 在最初的篩選實驗中，晶片用光罩測試結(jié)構(gòu)掩模進(jìn)行光刻，注入不同劑量的砷，并使用未優(yōu)化的灰化配方剝離。在灰化之后，通過 5:1 SPM 化學(xué)處理晶片。這導(dǎo)致在 Tencor Surfscan7700 上測量的光散射事件計數(shù)沒有實質(zhì)性變化。

結(jié)論

? ? ? 優(yōu)化灰化后清潔的考慮因素與優(yōu)化光刻膠剝離的考慮因素大不相同。對于灰后清潔，需要去除痕量金屬污染物、微粒和分子有機物，而不是去除大量的重有機材料。硫酸基化學(xué)品通常在光刻膠灰化后使用，事實上，經(jīng)常重復(fù)進(jìn)行，并與其他清潔化學(xué)品一起使用。由于這些清潔劑可有效去除金屬污染物，因此它們?yōu)榛液笄鍧嵦峁┝艘嫣帯?/span>

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