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摘要

? ? ?最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據表明，近 8% 的設備由于金屬過多或設備表面上不需要的金屬而被拒絕。實驗和分析表明，這些缺陷中幾乎有一半是由于在整個上游工藝的加熱環(huán)境中形成在導電鎳表面頂部的氧化鎳未完全去除造成的。這項研究對這些多余金屬缺陷的成分進行了分類和確定，評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法，最后提出了一種濕蝕刻工藝，該工藝將快速去除缺陷，同時繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓，這是大多數(shù)金屬缺陷的特征。濕浸蝕刻工藝。結果證明，快速暴露于稀 (40%) 硝酸，然后立即浸入清潔劑、專有鎳蝕刻劑和鈦鎢蝕刻劑中，可去除所有氧化鎳缺陷。實施后，該方法有可能將多余金屬造成的廢料減少 3%，并將整體蝕刻工藝時間減少 25%。此外，還開發(fā)了一種工藝來完全蝕刻具有高缺陷密度的圖案化基板，并在原始基板上對其進行返工。

介紹

? ? ?薄膜器件充當小規(guī)模電路，在陶瓷表面制造，布線以特定圖案“印刷”到表面上。設備是使用一系列在機械柔性壓電陶瓷上執(zhí)行的增材和減材工藝制造的。在應用過程中，電流平穩(wěn)地通過這些金屬表面，只有在金屬通路暢通的情況下才有可能。表面上發(fā)現(xiàn)的任何放錯位置的金屬或污染物都會減少或阻止電流通過電路。因此，高質量的設備不會包含任何表面或材料缺陷。該研究確定并消除了降低薄膜器件制造良率的重復發(fā)生的表面和材料缺陷的關鍵因素。

動機

? ? ?目前，有 16.2% 的器件因過多的金屬缺陷、圖案中的孔洞或空隙或陶瓷材料中的裂紋和斷裂而被拒絕。每丟失一個設備都會導致材料、人工時間和成本的浪費，而產量損失的任何減少都將對應于公司收入的顯著增加。該良率改進計劃的目標是消除很大比例的過量金屬、空隙、破損缺陷。在圖 1 中提供的良率損失分布中，器件根據最明顯的缺陷進行分類。此外，歷史數(shù)據表明，只有不到 15% 的被拒絕設備包含多個缺陷，因此該分布是所有缺陷頻率的準確表示。

目標

? ? 該項目的主要目標是識別和消除對產量損失有重大影響的缺陷原因，并提高制造產量。為了實現(xiàn)這一改進，該項目分為三個獨立的目標，每個目標都針對導致設備缺陷的主要原因。這些目標是：

? ? 1.消除因金屬和氧化物去除不完全而導致的多余金屬缺陷

? ? 2.消除由于光刻膠涂層缺陷導致的多余金屬缺陷和圖案空隙

? ? 3.消除極化過程中造成的基板破損

概覽

? ? ? 鋯鈦酸鉛 (PZT) 薄膜器件的制造過程是通過在基板或陶瓷晶片上涂覆兩個金屬層來啟動的。首先，在整個表面上沉積一層鈦鎢 (WTi) 阻擋層，以促進其與導電金屬層的粘附。然后在基板上濺射一層鎳 (Ni)，該鎳 (Ni) 層將通過器件傳輸電流。

標準程序

? ? ? 在蝕刻之前，將基材浸入溫和的清潔浴中，該浴結合了焦亞硫酸鈉、次氮基三乙酸三鈉、烷基芳香鹽和陰離子表面活性劑作為其活性成分。這種清潔劑旨在去除殘留在表面上的天然氧化物和顆?；蛴?。然后將基材放入溢流槽中以沖洗掉洗滌劑殘留物。

濕蝕刻

?? ? ?在實踐中，濕蝕刻是通過三個連續(xù)步驟實現(xiàn)的，如圖所示。

1.?反應物向金屬表面的傳輸

2.?表面反應

蝕刻選擇性

? ? ?選擇性蝕刻是一種蝕刻工藝，其中一種材料被快速蝕刻，而另一種材料被蝕刻得非常緩慢或根本不蝕刻。在理想的蝕刻工藝中，每種蝕刻劑只會與一個表面層發(fā)生反應。但是，已知許多蝕刻劑會與幾層反應，但或多或少會選擇性地與不同材料發(fā)生反應。為了實現(xiàn)高蝕刻選擇性，必須選擇不會侵蝕下金屬層或基板表面的蝕刻劑。眾所周知，濕法蝕刻工藝對金屬層具有高度選擇性，因為它能夠預測和控制將在基材浸入時發(fā)生的表面反應。

蝕刻速率均勻性

? ? ? ?位于基板任何部分的缺陷都可能導致一個或多個設備被拒絕。因此，蝕刻速率必須在整個襯底上、從襯底到襯底、在工作指令之間并且與特征尺寸或圖案密度無關。蝕刻速率的均勻性可以用來估計，其中 100% 的蝕刻速率均勻性表明蝕刻速率與基板上的位置或化學稀釋度無關。0% 蝕刻速率均勻性可能表示蝕刻工藝未向整個基板提供足夠的新鮮化學品或蝕刻劑內反應產物的濃度太高。需要 100% 的蝕刻速率均勻性。

氧化鎳

? ? ? 氧化鎳 (NiO) 通常在純鎳表面形成，長時間暴露在大氣或水溶液中。然而，除了作為天然氧化物的正常表面鈍化之外，它在工業(yè)中沒有任何用處。因此，NiO 通常被認為是器件制造中的污染物，應在蝕刻前去除。

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