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污染控制有機物：

清潔有機污染物一直很重要以防止粘附問題和表面問題的掩蔽。然而，直到最近，量化有機污染才變得重要。（表 1 所示的水平是基于推測，并非基于實際數(shù)據(jù)。）離子和金屬：去除這些雜質(zhì)顯然是至關(guān)重要的，因為作為導(dǎo)電材料，他們會導(dǎo)致嚴重的電氣問題 如果它們出現(xiàn)在錯誤的地方，以錯誤的濃度出現(xiàn)。對于每一代設(shè)備，可接受水平的行業(yè)要求（表 1）變得更加嚴格，提高了 10 倍。但是，有跡象表明要求可能不像這里顯示的那么嚴格。

表面控制

表面粗糙度：雖然只有 清潔工程師最近關(guān)注的一個問題是，毫無疑問，在某些情況下，表面粗糙度可能是一個主要問題。然而，關(guān)于地點和水平的明確解釋仍然存在。

需要注意的是，垂直粗糙度并不是唯一需要考慮的重要測量指標。要求現(xiàn)在認識到橫向尺寸的伴隨測量也很關(guān)鍵。

表面終止： 表面終止在各種關(guān)鍵清潔步驟（如外延、柵極和發(fā)射極）中的重要性已經(jīng)促使人們相信氫終止是大多數(shù)需要裸硅的工藝步驟之前的清潔的正確最終狀態(tài)。雖然在某些情況下終止氧化物的步驟是有用的，但這種要求將推動更好地控制氧化物蝕刻和去除的需要。

氣相清潔的早期成功

業(yè)界第一個蒸汽清潔系統(tǒng)使用無水 HF 與水蒸汽結(jié)合在硅化鎢形成之前清潔多晶硅柵極。當(dāng)使用濕法清潔技術(shù)時，這種硅化物工藝容易出現(xiàn)分層和粘附問題。在這種情況下，蒸汽清潔因其技術(shù)優(yōu)勢而產(chǎn)生了影響。

自從 它在硅化鎢清洗、蒸汽清洗方面的成功 已在 RIE 聚合物去除方面取得積極成果 和某些其他特定于應(yīng)用程序的利基。但是，通常需要用水沖洗來處理浮渣、顆粒和金屬殘留物。這種對水的依賴需要將系統(tǒng)集成到 CVD 等真空工藝時的緩沖模塊。

單晶圓： 集成可能性將推動轉(zhuǎn)向單晶片清潔。隨著晶圓尺寸增加到 12 和 16 英寸，它提供了額外的控制。盡管“總擁有成本”計算可能表明單晶片氣體處理具有成本競爭力，但出于吞吐量方面的考慮，大多數(shù)工程師會在可能的情況下嘗試保留批處理。

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