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摘要
? ? ? 用化學(xué)氣相沉積法制備了透明導(dǎo)電的氧化鋅薄膜。沉積的氧化鋅薄層；用x光衍射研究了硅和磷化銦半導(dǎo)體襯底上0.1毫米厚度的晶相，用原子力顯微鏡研究了表面形貌。進(jìn)行了紫外可見近紅外光譜范圍內(nèi)的分光光度測量和znoy半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光電測量。
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介紹
? ? ?氧化鋅薄膜在各種器件中的應(yīng)用需要不同的薄膜物理性能，這意味著不同的沉積技術(shù)和條件。氧化鋅是一種ⅱ-ⅵ族半導(dǎo)體，具有寬帶隙(3.2電子伏)，當(dāng)作為薄層獲得時，其晶體結(jié)構(gòu)包含多晶結(jié)構(gòu)。已發(fā)表的報告中使用的制備氧化鋅薄膜的沉積技術(shù)有:活性反應(yīng)蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)；磁控、反應(yīng)或離子束濺射；噴霧熱解；具有許多變體的化學(xué)氣相沉積(CVD)；以及最近的溶液沉積技術(shù)和脈沖激光沉積方法。氧化鋅薄膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，如微晶取向、晶粒尺寸、層電阻率、載流子遷移率或光學(xué)透明度，受制造技術(shù)和工藝變量的影響。
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薄膜沉積程序??略
氧化鋅薄膜表征
?????對沉積的薄膜進(jìn)行x光衍射測量，以確定薄膜的駐留相，驗證微晶取向并評估微晶晶粒尺寸。為了獲得XRD光譜，使用了配備有基于雙晶體法的閃爍檢測器的DRON 3型衍射儀。
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? ? ? 表面形態(tài)用原子力顯微鏡研究了沉積在硅和磷化銦上的氧化鋅薄膜的表面形貌。沉積在磷化銦襯底上的氧化鋅薄膜的原子力顯微鏡2D和三維圖像。
? ? ??光學(xué)和電學(xué)特性用分光光度法研究了其光學(xué)性質(zhì)。用SPECORD-M42雙光束分光光度計記錄了沉積在玻璃襯底上的薄膜在200-900nm波長范圍內(nèi)的透射光譜。獲得的薄膜的典型透射曲線。
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結(jié)論
? ? ?高透明(T)80%)和導(dǎo)電(r3=10y4 Vcm)氧化鋅薄膜已由以乙酰丙酮鋅為源的固態(tài)化學(xué)氣相沉積技術(shù)。XRD和原子力顯微鏡研究表明:制備的氧化鋅薄膜微晶的擇優(yōu)取向為硅襯底上的(112)和垂直于(100)取向磷化銦襯底表面的(002)纖鋅礦c軸取向；晶粒尺寸在18-40納米的范圍內(nèi)，并且揭示了所制備薄膜的納米晶體性質(zhì)；和掃描面積為2043.5=2021.5 nm2的原子力顯微鏡2D和三維圖像顯示粗糙度的最大值為5.4納米，平均值為1.31納米。
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