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摘要
? ? ? ?本文報(bào)道了對(duì)SC1(nh4OH：H202：H20)溶液的研究，可用于抗顆粒去除和選擇性濕蝕刻某些薄膜。用于以下測(cè)試的SC1溶液的比例為1：2：10。研究了四氯硅氧化物、硼磷酸硅酸鹽玻璃、氮化物、摻雜多晶硅和熱氧化物等薄膜的刻蝕速率。薄膜成分、所使用化學(xué)品的年齡、溫度和化學(xué)成分是影響這些薄膜蝕刻率的因素。
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介紹
? ? ? ?抗蝕劑和顆粒去除的濕法工藝和化學(xué)方法在超大規(guī)模集成電路的制造中至關(guān)重要，依賴于克恩工作1、2的序列被廣泛使用。鹽酸：（H2O2 (SC2)±要用于去除金屬污染物，而食人魚(H2SO4:H2O2)和I NH4OH:H2O2:H2O (SCI)被認(rèn)為主要是有機(jī)污染物清洗液。
抗蝕劑涂層、離子注入或等離子體蝕刻和沖灰化步驟用于生成半導(dǎo)體處理過程中常見的粒子。
使用SC1溶液以選擇性地蝕刻半導(dǎo)體行業(yè)常見的某些薄膜的可行性。加熱后的SC1已被發(fā)現(xiàn)在蝕刻膜中非常有效，如原位摻雜(ISD)多晶硅，而不破壞背面的硅表面。加熱后的SC1也能有效地蝕刻薄膜的細(xì)絲，由于各向異性，在干燥的蝕刻過程后可能保持不變。
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?實(shí)驗(yàn)步驟
? ? ? ??SC1溶液所有測(cè)試中使用的濕罩是手動(dòng)的，帶有石英工藝罐。SC1儲(chǔ)罐不進(jìn)行再循環(huán)或過濾。沖洗技術(shù)是在60_2~處與DIW的去離子水(DIW)溢出。DIW的電阻率在16M~處測(cè)量。SC1溶液的溫度設(shè)置為所需溫度的_+2~。該解在使用之前允許平衡超過1min。晶片使用位于手動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)罩中的沖洗罐進(jìn)行清洗。去離子H20沖洗罐的材料為PVDF，它是一個(gè)快速傾倒溢流罐，溢流選項(xiàng)被用于這些實(shí)驗(yàn)。將晶片從工藝化學(xué)槽手動(dòng)移動(dòng)到H20沖洗槽。所有測(cè)試的起始襯底都是卩型< 100 >、1.61.9 Q-cm、150 mm、 cz硅。在硅上熱生長(zhǎng)或沉積不同的薄膜，以獲得測(cè)試材料。
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關(guān)于微粒去除的數(shù)據(jù)確實(shí)表明，加熱SCI不僅在微粒去除方面更有效，而且在獲得與使用SC18序列獲得的結(jié)果相似的結(jié)果所需的時(shí)間以及獲得最終晶片表面缺陷密度的這種結(jié)果所需的工藝步驟數(shù)量方面也更有效。
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結(jié)論
? ? ??SC1溶液加熱到40、50、50、60和80~有幾種可能的應(yīng)用。通過改變?nèi)芤旱臏囟?、改變蝕刻時(shí)間、或通過改變?nèi)芤旱谋壤?，可以進(jìn)行選擇性的濕式蝕刻。選擇性濕蝕刻將允許使用非常清潔和純的化學(xué)物質(zhì)，以獲得圖案結(jié)構(gòu)的下切割或從晶片表面去除不需要的薄膜。加熱后的SC1也可以用于從需要各向同性的圖案結(jié)構(gòu)中去除ISD多晶硅或氧化物等膜的細(xì)絲。目前，蝕刻某些薄膜，如ISD多晶硅。在更高的溫度和更高的濃度下使用SC1，可以去除多晶硅，而沒有明顯的蝕刻或損壞背面硅。去除顆粒的加熱SC1比目前使用的其他濕式清洗技術(shù)有所改進(jìn)。
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