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介紹

????隨著器件尺寸的迅速縮小和實(shí)現(xiàn)極其光滑表面的嚴(yán)格要求，在前端和后端工藝中，使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)對(duì)各種薄膜進(jìn)行全局表面平坦化的需求越來越大。在化學(xué)機(jī)械拋光過程中，拋光墊材料和晶片表面在漿料的存在下緊密接觸。在化學(xué)機(jī)械拋光過程結(jié)束時(shí)，漿料顆粒仍然留在晶片表面，如果不去除，它們會(huì)導(dǎo)致各種類型的缺陷(劃痕、腐蝕點(diǎn)等)。這影響了集成電路的功能化。在某些情況下，這些缺陷也可能是由拋光墊和金剛石圓盤修整器引起的。其他常見的污染物包括有機(jī)殘留物和金屬雜質(zhì)。

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作用力

范德華力是粒子粘附到任何基底上的最重要的力之一。這些力是由于原子核周圍電子的位置所形成的分子間的瞬時(shí)偶極相互作用而產(chǎn)生的。偶極相互作用有三種類型，即永久偶極-永久偶極(基索姆相互作用)、永久偶極-誘導(dǎo)偶極(德拜相互作用)和誘導(dǎo)偶極-誘導(dǎo)偶極相互作用(倫敦力)，它們共同對(duì)范德華力做出貢獻(xiàn)。范德華力取決于相互作用的粒子、基底和介質(zhì)的組成、它們之間的分離距離以及粒子和基底的表面粗糙度和幾何形狀。

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化學(xué)機(jī)械拋光后清洗工藝的類型

? ? ? 在不同類型的濕法清洗方法中，批量清洗由于其低擁有成本已經(jīng)使用了很長(zhǎng)時(shí)間，因?yàn)樗ǔＲ淮翁幚?/span>25個(gè)晶片的盒子。濕式批量清洗由幾個(gè)步驟組成，指定不同的浸沒槽，其中包含不同的化學(xué)品。該技術(shù)包括將晶片依次浸入包含在不同浴槽中的不同清洗溶液中。這種清洗方法允許化學(xué)溶液在晶片的兩側(cè)均勻接觸。此外，使用該技術(shù)可以獲得對(duì)溶液溫度的良好控制。

? ? ? 批量清洗的最后一步是干燥過程，這通常是通過將晶圓置于異丙醇(IPA)-水的高溫混合物中來進(jìn)行的。應(yīng)該提到的是，在每個(gè)化學(xué)處理步驟之后，在單獨(dú)的浸沒槽中進(jìn)行去離子水沖洗過程。

單晶片清洗? 略

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總結(jié)

化學(xué)機(jī)械拋光后清洗是化學(xué)機(jī)械拋光后的一個(gè)關(guān)鍵步驟，因?yàn)樗梢杂行コw粒和其他污染物，從而提高集成電路制造中的器件成品率。本文中描述的研究強(qiáng)調(diào)了控制單個(gè)晶片(刷洗和兆頻超聲波清洗)和浸沒清洗中工藝變量的重要性，以實(shí)現(xiàn)高的PRE，而不會(huì)在表面上引起任何缺陷。通過對(duì)各種研究的討論，強(qiáng)調(diào)了二氧化硅、鎢和銅膜的化學(xué)機(jī)械拋光后清洗中使用的不同化學(xué)制劑和成分在顆粒去除中的作用。后化學(xué)機(jī)械拋光工藝的發(fā)展必須不斷進(jìn)步，以應(yīng)對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光結(jié)束時(shí)出現(xiàn)的挑戰(zhàn)和更嚴(yán)格的表面清潔要求。?

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