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摘要
? ? ? 隨著集成電路變得越來越復雜。每個芯片的輸入/輸出連接數(shù)在增長傳統(tǒng)的引線鍵臺、引線框架、安裝技術(shù)已經(jīng)跟不上了。當芯片封裝在一個擁有數(shù)百條引線的巨大器件中時；縮小芯片尺寸所節(jié)省的空間就會丟失。解決辦法是顛簸金、導電膠，但最重要的是焊料凸點。實際上，世界上每—家半導體制造商都在使用或計劃使用凸點技術(shù)來制造更大、更復雜的產(chǎn)品設備。
? ? ? 用于制造凸起晶片的幾種晶片凸起工藝。一些更流行的技術(shù)是蒸發(fā)、模板或絲網(wǎng)印刷、電鍍、化學鍍鐐、焊料噴射、柱形凸塊、貼花轉(zhuǎn)印、沖孔和沖模、焊料注入或擠出、粘性點處理和球放置。 ，
? ? ? 本文將討論使用這些技術(shù)來撞擊晶片的工藝步驟。關(guān)鍵清潔是這些過程的要求。需要去除的主要污染物是光刻膠和焊劑殘留物。去除這些污染物需 要濕法工藝，而濕法工藝不會
? ? ? 侵蝕、晶片金屬化或鈍化。研究的重點是滿足這一關(guān)鍵清潔要求的強化清潔解決方案。本文將介 紹定義從凸起晶片溶劑化和去除殘留物所需的時間、溫度、溶解能力和沖擊能量的工藝參數(shù)。
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介紹
? ? ? 隨著技術(shù)的發(fā)展，將會有許多需要創(chuàng)新的挑戰(zhàn)，一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)將是關(guān)鍵的清潔。 為了更好地理解臨界清洗，本文將比較精密清洗和臨界清洗的流行定義：精密清洗:去除可檢測到的污染物，這些污染物包含已知會影響產(chǎn)品可靠性或性能的特定不良物理或化學特性。臨界清洗:去除可檢測的離子和非離子污染 物，其中物理或化學性質(zhì)阻止了后續(xù)組裝 制造過程的成功完成，或者無法符合特定的性能要求。
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晶圓級封裝
? ? ? 凸塊直接應用于芯片本身在切割晶片之前。這些過程產(chǎn)生芯片級封裝和倒裝芯片。芯片規(guī)模封裝是指封裝不大于芯片管芯的1.2倍。倒裝芯片是指將芯片面朝下安裝在電路板上的做法，而不是像傳統(tǒng)的引線框 架封裝那樣面朝上安裝。CSP的一個顯著特點是將集成電 路信號帶到芯片表面排列的焊盤上，而不是沿著邊緣排列 。然后使用各種技術(shù)之一施加焊料。然后焊料回流，使其與焊盤金屬結(jié)合，并形成均勻的球體或小球?；亓骱冈谔厥獾募t外線或熱氮回流焊爐中進行。最后，整個晶圓在被切割成芯片之前被撞擊。
晶圓碰撞至關(guān)重要清潔要求
? ? ? 清洗起重要作用的是焊料凸點,關(guān)鍵污染物是光刻膠和焊劑殘留物。一個關(guān)鍵的考慮是清洗溶劑與金屬化和鈍化層的兼容性 。行業(yè)標準要求晶圓清潔度滿足以下標準：
? ? ? 在儲存過程中，可能不存在會導致點蝕或腐蝕的活性殘留物。
? ? ? 清潔化學品不得侵蝕金屬化層（即銅、鋁、鈣 、繰、金、銀、鈦、硅等）。
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晶圓凸點清洗要求
? ? ? 晶圓凸塊制程污染物由遮蔽材料和助焊劑殘留物組成。用于去除光刻膠的化學剝離 劑不得侵蝕金屬化和鈍化層。由于這個問題，清洗溶劑可能不同于前端半導體工藝步驟中用于去除光刻膠的剝離劑。焊劑殘留物的去除對于電子組件是眾所周知的。電氣裝配中使用的技術(shù)也可以在這些過程中采用。?????
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液態(tài)光刻膠
? ? ? 液體抗蝕劑的去除取決于所使用的工藝步驟?；谌軇┑膭冸x劑在抗蝕劑用作掩模,并在回流之前去除的工藝中工作良好。如果抗蝕劑是硬烘焙的，溶劑基剝離劑可能 需要更多的活性成分。如果直到焊料凸塊回流后才去除抗蝕劑，則剝離劑配方可能需要更具侵蝕性的活化劑，該活化劑可以是水形式。
干膜光刻膠
? ? ? 干膜抗蝕劑的去除通常更加困難，?溶劑型脫漆劑在大多數(shù)情況下效果不好。 可能需要額外的成分或活化劑來分解聚合物。干膜抗蝕劑的另一個潛在問題是起膜而不是溶解。當薄膜從表面抬起時，殘留物會粘在晶片表面。當抗蝕劑片被提起時，過濾器也會堵塞。
? ? ? ?先進的清潔化學技術(shù)后端半導體處理需求 是由更高的輸入/輸出需求驅(qū)動的。隨著 倒裝芯片技術(shù)需求的持續(xù)增長，對凸起晶片的需求也在增長。隨著碰撞技術(shù)的發(fā)展 ,對先進清潔工藝的需求也將發(fā)展。后端 處理的清潔技術(shù)必須具有侵蝕性，以溶解污垢，但又不至于引起兼容性問題。
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結(jié)論
? ? ? 由于器件的精細幾何形狀以及制造過程中微粒和薄膜污染物對半導體產(chǎn)品造成的災難性影響,半導體工藝長期 以來被歸類為關(guān)鍵應用。隨著電子封裝行業(yè)對生產(chǎn)更快 、更小和更輕的器件的需求增加，推動行業(yè)不斷改進和 創(chuàng)新封裝，以實現(xiàn)成本優(yōu)勢和卓越性能。集成電路的設計和制造一直是互連技術(shù)的原動力，迫使人們尋求更小的導體寬度、更小的空間、更小的孔和焊盤尺寸、改進的材料以及制造工藝的創(chuàng)新。這些新興技術(shù)將推動對關(guān)鍵清潔要求的需求。這一要求將繼續(xù)推動精密清潔配方領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。
? ? ? 后端晶圓級封裝是倒裝芯片技術(shù)，已經(jīng)開發(fā)了幾種不同的技術(shù)來撞擊晶片。光致抗蝕劑通常用作掩模來暴露焊盤。焊劑用于在回流之前去除氧化物。兩種殘留物都必須去除。用于在前端工藝中去除光刻膠的技術(shù)可能不可行因為兼容性問題。
? ? ? 清除助焊劑殘留物是電子裝配中常用的技術(shù)，可適用于該技術(shù)。清潔方法取決于碰撞過程和污染物。將根據(jù)工藝需要選擇半水、溶劑和水清洗技術(shù)。事實證明，所有這些清潔技術(shù)在這些獨特的應用中都是穩(wěn)健有效的。
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