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在新一代晶體管的開(kāi)發(fā)中，作為溝道材料，高遷移率的鍺( Ge )備受矚目。但是，如何高質(zhì)量地加工柵極絕緣膜形成前的Ge表面，特別是濕式清洗時(shí)的各種污染物的行為和除去特性、Ge表面的微粗糙度和鈍化所代表的原子水平上的結(jié)構(gòu)控制方面還有很多不清楚的地方。

圖1(a)是在Ge（100）表面上散布直徑約20nm的Ag微粒后獲得的電子顯微鏡(SEM)照片。將該表面浸入儲(chǔ)存的純水中（溶解氧濃度約為9 ppm），24小時(shí)后如圖(b)所示發(fā)生變化。 也就是說(shuō)，以細(xì)顆粒為中心進(jìn)行局部蝕刻，并且出現(xiàn)暴露（111）微面的凹坑標(biāo)記。這是因?yàn)槿芙庠诩兯械难酰∣2）分子被還原成Ag細(xì)粒上的水分子（H2O），并且Ag細(xì)粒附近的Ge表面被優(yōu)先氧化。由于Ge的氧化物（GeO2）是水溶性的，因此以Ag細(xì)粒為中心的Ge表面的各向異性蝕刻進(jìn)行。

另一方面，當(dāng)將Ge（100）浸入溶解氧濃度降低至3ppb的純水中時(shí)，Ge（100）表面的結(jié)構(gòu)沒(méi)有顯著變化（見(jiàn)圖(d)）。 這表明上述各向異性蝕刻機(jī)制是合理的。此外，圖1顯示了控制Ge晶片濕法清洗過(guò)程中使用的純水的溶解氧濃度的重要性。

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圖1 將吸附有ag微粒的Ge(100 )表面吸附在純水中，浸泡前后的電子顯微鏡照片