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半導(dǎo)體器件的制造是在半導(dǎo)體襯底或其它襯底上形成特征的多步驟過程。步驟可以包括材料生長、圖案化、摻雜、沉積、蝕刻、金屬化、平坦化等。形成在襯底上的特征可以包括各種晶體管。晶體管可以是平面的或非平面的，也可以有單柵極或多柵極。非平面晶體管(有時(shí)稱為3D晶體管)包括鰭式場效應(yīng)晶體管等。

這種非平面晶體管通常包括垂直取向的或者用作源極和漏極之間的溝道的凸起鰭片。柵極也是垂直定向或凸起的，并且位于鰭片上方(鰭片頂部和鰭片側(cè)壁周圍)。這種非平面晶體管可以具有多個(gè)鰭和/或多個(gè)柵極。平面晶體管也具有相關(guān)的高度，盡管非平面特征的相對高度通常大于平面晶體管的相對高度。

半導(dǎo)體器件的制造通常包括放置隔離物和/或虛擬材料，以幫助構(gòu)造給定的特征設(shè)計(jì)，包括非平面晶體管上的特征。為了改善柵極功能，通常在非平面晶體管上指定側(cè)壁隔離物。隨著晶體管柵極的尺寸繼續(xù)縮小，柵極和觸點(diǎn)之間以及柵極和源極/漏極面之間的邊緣電容已經(jīng)增加。為了抵消邊緣電容的增加，低k介電材料被用作隔離材料。間隔物的成功受到間隔物蝕刻工藝的影響，該工藝可以影響間隔物的介電常數(shù)以及間隔物覆蓋

圖1是各種襯底上保護(hù)層生長的橫截面示意圖

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圖2是示出根據(jù)本文公開的實(shí)施例的蝕刻技術(shù)的曲線圖

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圖3是這里描述的示例方法的流程圖

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包括增加材料間蝕刻選擇性的方法。這里的技術(shù)包括氮化硅(SiN)隔離物和硅(例如多晶硅)的蝕刻和氧化的循環(huán)過程。這種技術(shù)可以增加對硅的選擇性，從而在從側(cè)壁和其他表面蝕刻氮化硅時(shí)，硅不太可能被蝕刻或損壞。與氮化硅相比，本文公開的技術(shù)和化學(xué)物質(zhì)對氧化硅和硅更具選擇性。氧化步驟在硅表面上形成氧化物保護(hù)膜，該保護(hù)膜比在氮化物表面上形成的任何氧化物膜都要厚。因此，這里的技術(shù)能夠更好地去除氮化硅和氮化硅間隔材料