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一般的光致抗蝕劑有各種各樣的報(bào)告，但是與現(xiàn)在在第一線(xiàn)使用的光致抗蝕劑相比，還沒(méi)有開(kāi)發(fā)出特別優(yōu)秀的光致抗蝕劑。另一方面，從使用方面來(lái)看，光致抗蝕劑的條件越來(lái)越嚴(yán)格。要得到滿(mǎn)足所有這些條件的光致抗蝕劑是很困難的，在現(xiàn)狀下，根據(jù)目的進(jìn)行細(xì)節(jié)的改良并使用。光致抗蝕劑的種類(lèi)、應(yīng)用面有很多，下面就最近用于半導(dǎo)體·集成電路制作的光致抗蝕劑的化學(xué)性質(zhì)及其周邊進(jìn)行解說(shuō)。
半導(dǎo)體·集成電路以超高頻晶體管、高密度、超高密度存儲(chǔ)器為首，應(yīng)用光刻法制作的工序也變得復(fù)雜化。首先，作為基本的掩模制作變得困難，為了制作硬掩模，對(duì)光致抗蝕劑的條件當(dāng)然也很?chē)?yán)格。另外，晶圓工序中使用的光致抗蝕劑為了提高解像力，也要制作薄膜。 對(duì)于不產(chǎn)生漏孔、解像力、斷片的提高、粘著力、顯影性等，要求更加優(yōu)越，要求更加具體和嚴(yán)格的條件。
除了以上的技術(shù)方面以外，石油產(chǎn)品的價(jià)格上漲還波及到光致抗蝕劑、其附屬品、光伏工藝上的輔助材料的成本上升，除了這個(gè)的吸收對(duì)策以外，公害、防災(zāi)等的對(duì)策，或者IC自由化對(duì)策和周?chē)荚诔щy的方向發(fā)展，今后才是真正的關(guān)鍵時(shí)刻，我們也希望在光致抗蝕劑材料及其周?chē)?，雖然是微薄的力量，但也能起到一定的作用。
由于醌疊氮化物正型光致抗蝕劑可以容易地獲得高分辨率，因此它將作為獲得精細(xì)圖案的有力手段被廣泛使用。然而，在引入晶片工藝時(shí)，必須注意以下幾點(diǎn)：在微細(xì)圖案的蝕刻中，今后等離子蝕刻、濺射蝕刻等干燥的方法將變得有利，使用的機(jī)會(huì)將會(huì)增加。包括顯影液在內(nèi)的光致抗蝕劑也希望是高純度的。參照表2。
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表2
由于其他的性質(zhì)與以往的其他光致抗蝕劑相比較優(yōu)越，所以現(xiàn)在也得到了廣泛的使用。因此，得到了4～5μ的光致抗蝕劑，為了符合變化的半導(dǎo)體·集成電路的制造工藝，不斷地進(jìn)行了品質(zhì)的改良、穩(wěn)定化等方面的努力，而且還得到了穩(wěn)定的供給。例如，能夠極力減少針孔，粘著力穩(wěn)定化，配合等離子的利用進(jìn)行了高純度化，高解像力，穩(wěn)定地得到了良好的光致抗蝕劑。即使在鋁表面也能夠提供比較好的光致抗蝕劑。由于這些原因，產(chǎn)品的成品率也可以穩(wěn)定地維持在較高的水平。 另一方面，進(jìn)行了與光處理相一致的自動(dòng)化裝置、特殊裝置的開(kāi)發(fā)，這對(duì)用戶(hù)來(lái)說(shuō)也是有利的。純度高，酯化度幾乎為100%，接近純品，因?yàn)榻咏兤?，所以解像力特別高，因?yàn)橛锌伤苄?，所以粘著力?yōu)秀。曝光時(shí)的氧的影響少，顯影特性好等，可以說(shuō)是與以往品相比非常優(yōu)秀的負(fù)型光刻膠。
具有肉桂酸單元的光聚合物是通過(guò)使乙烯、苯酚或異丙烯基苯酚與肉桂酸或β-苯乙烯基丙烯酸反應(yīng)獲得的單體通過(guò)陽(yáng)離子聚合僅與乙烯基反應(yīng)而獲得的。將氧苯基苯乙烯基酮二鹽、氧苯基苯乙烯基β一乙烯基酮鹽等與氯乙基乙烯基醚反應(yīng)得到的單體進(jìn)行與7.2.2相同的聚合，作為光聚合物。
這樣雖然得到了各種各樣的單體，但是都是通過(guò)陽(yáng)離子聚合法，只反應(yīng)末端的乙烯基，感光基的硅酸基完全沒(méi)有變化。
通常，從獲得原料的角度來(lái)看，市場(chǎng)上銷(xiāo)售的一些產(chǎn)品是由皮酸和氯乙基乙烯基醚制成的。例如，OSR（東京應(yīng)化）如下所示。由于長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)的靈敏度較低，與進(jìn)行增感。通常的聚硅酸乙烯酯同樣，硝基化合物，酮類(lèi)，醌類(lèi)。蒽酮類(lèi)有效果。與聚硅酸乙烯酯在相同條件下進(jìn)行增感的話(huà)，可以得到近2倍的靈敏度。
表4
表4聚β-單皮酸偏二氧基乙酯類(lèi)光致抗蝕劑的分析實(shí)例。使用方法與聚硅酸乙烯酯（例如KPR，TP R）相同。光交聯(lián)如下所示，與KPR，TPR相同，
負(fù)性光致抗蝕劑和正性光致抗蝕劑都是在（1）H202+H2SO·，（2）熱H2SO4，（3）（NH4）2Cr207+H2SO4等無(wú)機(jī)化學(xué)物質(zhì)中溶解剝離的。正性光致抗蝕劑在光照、照射后或原樣，在稍濃的堿中溶解剝離。但是，在Si中有堿金屬污染的擔(dān)憂(yōu)的情況下，無(wú)機(jī)化學(xué)物質(zhì)溶解金屬，因此有不能使用的工序。此時(shí)，使用鹵素溶劑、表面活性劑和由苯酚等組成的有機(jī)化學(xué)物質(zhì)。上述使用藥品的物品（1）在處理上有危險(xiǎn)，（2）使用昂貴的藥品，并且廢液的處理很麻煩。（3）由于藥品剝離后使用大量的有機(jī)溶劑進(jìn)行洗滌，因此從石油化學(xué)產(chǎn)品的價(jià)格上漲的角度來(lái)看也是不利的。另一方面，正性抗蝕劑中容易溶于溫水且可回收的剝離液已上市銷(xiāo)售，這一點(diǎn)適用于避免使用等離子的工藝。
半導(dǎo)體、集成電路的超高密度化被積極地應(yīng)用于今后的開(kāi)發(fā)中，因此越來(lái)越需要亞微米的加工。 對(duì)此，如果有至今為止的深刻經(jīng)驗(yàn)的話(huà)，暫時(shí)具有經(jīng)濟(jì)性的光電過(guò)程，通過(guò)使用（包括剝離），幾乎可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。為此，我們希望進(jìn)一步致力于高質(zhì)量，高精度和高穩(wěn)定性的光致抗蝕劑，特別是正型抗蝕劑和OSR型負(fù)型抗蝕劑，并且開(kāi)發(fā)能夠熟練使用它們的外圍設(shè)備也是同樣重要的。在此之前的微細(xì)加工中，我們認(rèn)為將正式采用電子束光刻膠、X射線(xiàn)光刻膠等。