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引言
本設計涉及自旋干燥器的晶片導向結構， 更詳細的說明是為了減少蝕刻后的晶片在干燥中的顆粒所造成的污染， 內(nèi)側有支撐各種結構的軀體， 使多個晶片在上述體內(nèi)側可旋轉支撐的多個回收站， 對于由多個晶片導軌組成的自旋驅動裝置，上述每個晶片的邊緣結合在一起，從而使上、下晶片在一定的間隙內(nèi)高速旋轉， 上述晶片導軌的特點是，由傾斜角度約為12°的斜角槽和寬約為0.9 mm的長方形槽組成，使與晶片的摩擦最小化。
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圖1
圖1a為城市通常自旋干裝置的一部分的平面圖，圖1b為城市圖1a的1-1線的部分截面圖。 其中， 圖1b是圖1a的1-1線， 上述晶片導軌形成了傾斜的傾斜凹槽，以使晶片的邊緣易于插入； 與上述傾斜凹槽聯(lián)通時，形成了一定寬度及一定深度的矩形槽。
進行這種配置的傳統(tǒng)自旋干燥器的晶片導軌在多個晶片插入上述晶片導軌的直方槽后， 其作用是在超純水噴射到上述晶片表面的同時，在高速旋轉（大約為1200RPM）的過程中，抓住晶片以防止上述晶片移動。 當然，在上述晶片的高速旋轉下，殘留在上述晶片上的蝕刻液都會外排。但是，這種傳統(tǒng)的自旋干燥器的晶片導軌存在著一個問題，由于與晶片的摩擦，大量的particle和物質(zhì)留在晶片的邊緣，導致晶片被頂出（reject）處理。也就是說， 由于晶片邊緣與上述晶片導軌的矩形槽之間的摩擦，上述矩形槽可能會輕微損壞，?這些損壞導致的碎片留在上述晶片的邊緣等，成為晶片頂出的一個因素。
因此，本設計旨在解決以往的問題，本設計的目的在于提供一種可減少蝕刻的晶片在干燥中由刨花板造成的污染的自旋干燥器的晶片導向結構。
為了達到上述目的，本設計采用了內(nèi)側支撐各種結構的軀體， 使多個晶片在上述體內(nèi)側具有可旋轉支撐的多個回收站， 在由多個晶片導軌組成的自旋干燥器中，上述每個晶片的邊緣結合在一起，使上、下晶片在有小間距的情況下高速旋轉， 為使與晶片的摩擦最小化，其特點是由具有一定傾角的斜角槽和與上述斜角槽相連且寬約0.9 mm、傾角約為12°的長方形槽組成。根據(jù)上述設計的自旋干燥器的晶片導軌結構， 其優(yōu)點是晶片的Edge和韋離片導軌的摩擦最小化，并相應地使矩形槽的損壞最小化，從而使晶片被刨花板污染的現(xiàn)象也最小化。
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圖2為本設計的自旋干燥器晶片導軌結構的城市部分剖面圖
以下在本設計所屬的技術領域具有通常知識的人可以方便地實施本設計，參照所附圖紙詳細說明本設計的可取實施例如下: 見圖2，由本設計的自旋干燥器的晶片導軌結構的部分截面成圖。 首先， 雖然未成城，但在內(nèi)側支持各種結構的軀體， 在上述軀干內(nèi)側， 所述各晶片的Edge結合在一起，使上、下部的晶片在具有規(guī)定間隙的情況下高速旋轉的多個晶片導軌，使自旋干燥器 構成。其中，根據(jù)本發(fā)明的晶片導軌， 盡量減少與晶片的摩擦； 形成了具有小靜傾斜的經(jīng)斜坳陷； 在所述傾斜凹槽上聯(lián)通，其寬度大約為0.9 mm，形成了一個坡度大約為12°的矩形槽。 說明進行這種構成的本設計對晶片導軌結構的作用， 晶片的厚度[0018]大約為0.731 mm， 由于矩形槽的寬度延伸0.9 mm，并且槽的坡度也延伸到12°，使得將晶片安裝在晶片導軌上時的摩擦減小。
也就是說， 晶片Edge與傾斜凹槽和矩形槽之間的摩擦將減小，相應地，上述傾斜凹槽和矩形槽的損傷也將減小。 因此，最終在晶片的自旋干燥劑后，使上述晶片的刨花板所造成的污染大大增加。就會降低。如以上所述，本設計雖然僅限于上述實施例說明，但本設計僅限于上述實施例，在不超出本設計的范疇和思想的范圍內(nèi)，各種變形的實施例也是可能的。
因此，根據(jù)本設計的自旋干燥器的晶片導軌結構，晶片的邊緣與晶片摩擦最小化，從而使矩形槽的損壞最小化，從而使晶片被刨花板污染的現(xiàn)象也最小化的效果.